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公开(公告)号：CN101226496A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810006610.7
申请日：2008-01-28
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 杨凡
IPC: G06F11/30
Abstract: 本发明提供一种监控vxworks操作系统中已终止任务的装置及方法，其中，该装置包括消息接收单元、存储单元，其中，消息接收单元，用于接收系统中其他任务的消息，并将接收到的消息发送至存储单元；存储单元，用于添加已终止的TCB信息，并根据所述已终止的TCB信息通知系统释放所述TCB占用的内存。本发明的监控vxworks操作系统中已终止任务的装置及方法能够缓解由已终止任务的TCB占用内存空间所造成的浪费。
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公开(公告)号：CN101178666A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710198568.9
申请日：2007-12-13
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Inventor： 杨凡
Abstract: 本发明公开了一种异构多核间协调调度的方法及异构多核系统，通过采用主从式管理结构，使得运行于主核上的操作系统有对异构多核系统中所有资源的主导管理能力，能够监控异构多核系统的整体运行，并在必要的时候向对方发出行为调整命令，要求对方调整其行为，从核上的操作系统实时接受主操作系统传递过来的行为调整命令并进行调整，从而使多核异构系统中的主核操作系统与从核操作系统之间可以互相沟通与约束，有效的解决了主核操作系统与从核操作系统之间无法协调与调度的问题。
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公开(公告)号：CN119230612A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN119230612B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855213A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510329586.4
申请日：2025-03-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双沟道超结碳化硅MOSFET，包括A型衬底、A型外延层、B型第二阱区、第一沟槽、第二沟槽、漏极金属、栅极金属、源极金属和肖特基金属；A与B的导电类型不同；A型外延层内设有超结区和两个B型第一阱区；超结区包括A型柱状条和两个B型柱状条；两个B型第一阱区设在两个B型柱状条顶部；第一沟槽和第二沟槽设在B型第二阱区两侧；肖特基金属设在第二沟槽底部；栅极金属悬浮在绝缘介质内，位于栅极金属下方的B型第一阱区顶部形成有第一导电沟道，邻近栅极金属的B型第二阱区侧壁形成有第二导电沟道。本发明能在保证高击穿电压和低比导通电阻的同时，还拥有优异的动态性能，并且有着较强的续流能力与较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN114630267A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111632681.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于误差修正的室内融合定位方法，该方法包括：部署室内无线接入点，划分室内区域；在离线阶段部署参考点并采集RSS数据；采用多点定位、边界判断以及kmeans聚类相结合的方法设置校正基准点；在线阶段中，获取待测节点的RSS数据，采用多点定位和区域判断对待测节点进行初步定位；采用指纹定位以及位置补偿相融合的算法对待测节点进行在线阶段的定位修正。该发明通过对靠近室内边缘区域的定位结果的修正提高了总体定位精度，并且降低了定位复杂度，提高了定位效率。
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公开(公告)号：CN112272418A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011047906.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种RIS辅助的D2D通信传输模式选择方法，包括以下步骤：(1)在各传输时段，D2D用户以当前传输模式进行相互通信；(2)在各传输时段末，系统获取当前D2D用户与RIS的距离以及D2D用户之间的距离，计算D2D用户的距离函数；(3)将获得的距离函数与预设阈值比较，为下一传输时隙选择通信模式；(4)下一传输时隙，D2D用户采用系统选择的通信模式进行相互通信。本发明充分利用RIS辅助的D2D通信模式和传统D2D通信模式的优势，以D2D通信链路可达速率最大为目标，D2D用户对可在RIS辅助的D2D通信传输模式与直接D2D通信传输模式间动态切换，使得D2D用户对的可达速率始终保持最优。
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公开(公告)号：CN115529625A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210711607.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 南京卓云邮通科技有限公司 , 南京邮电大学
Inventor： 周欢 , 杨凡 , 彭敏鑫 , 徐波 , 刘娅璇 , 崔燕茹 , 吴丰靖 , 高赟 , 刘颖 , 张旭妍 , 邵鑫宇 , 王思洋 , 荀位 , 徐邦宁 , 徐卓然 , 孙文雪 , 吕锦钰 , 谈宇浩 , 赵海涛 , 张晖 , 夏文超 , 倪艺洋 , 杨洁
Abstract: 本发明公开了一种移动性任务卸载方法、系统及存储介质，待任务卸载的用户设备获取其通信范围内边缘节点设备的位置和方向向量信息，并计算用户设备与每个边缘节点设备的通信时间；以用户设备任务卸载耗费的总时延作为筛选约束，筛选出满足通信时间大于任务卸载总时延的边缘节点设备，将任务拆分后卸载到每个可用边缘节点设备上执行；其中，所述总时延由传输时延和计算时延加和得到；所述传输时延指将任务卸载到边缘节点设备所需的时间；所述计算时延指边缘节点设备的数据处理时间。该发明能够在无线分布式边缘计算环境下，考虑边缘节点设备的移动性，缩短边缘节点设备卸载响应时间，提高卸载成功率。
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公开(公告)号：CN112272418B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011047906.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种RIS辅助的D2D通信传输模式选择方法，包括以下步骤：(1)在各传输时段，D2D用户以当前传输模式进行相互通信；(2)在各传输时段末，系统获取当前D2D用户与RIS的距离以及D2D用户之间的距离，计算D2D用户的距离函数；(3)将获得的距离函数与预设阈值比较，为下一传输时隙选择通信模式；(4)下一传输时隙，D2D用户采用系统选择的通信模式进行相互通信。本发明充分利用RIS辅助的D2D通信模式和传统D2D通信模式的优势，以D2D通信链路可达速率最大为目标，D2D用户对可在RIS辅助的D2D通信传输模式与直接D2D通信传输模式间动态切换，使得D2D用户对的可达速率始终保持最优。
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