三角晶格二维光子晶体Fano共振器

    公开(公告)号:CN110441858A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910635303.3

    申请日:2019-07-15

    Inventor: 陈兵 陈德媛 夏雨

    Abstract: 本发明公开了一种三角晶格二维光子的Fano共振器,该器件由一个光子晶体腔和一个设计有反射元的光子晶体波导构成。腔结构产生Fano共振所需的离散态,而设计有反射元的光子晶体波导产生Fano共振所需的连续态,两者耦合产生非对称的Fano共振线形。本发明产生的Fano共振的消光比高达55dB,Fano共振的峰值与谷值之差仅有1.4nm,此外也具有高的Q值和低的插入损耗。该发明应用于光子集成中的光开关、光子传感器、滤波器等基础光子器件。

    一种高动态范围红外焦平面读出电路

    公开(公告)号:CN103237180B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310116031.9

    申请日:2013-04-03

    Abstract: 一种高动态范围红外焦平面读出电路,包括像素单元电路、比较计数电路、电荷重新分配控制电路及数字模拟转化电路,像素单元电路的输出分别连接比较计数电路和电荷重新分配控制电路,比较计数电路的一个输出连接像素单元电路,比较计数电路的另一个输出分别连接数字模拟转化电路和电荷重新分配控制电路,数字模拟转化电路的输出连接电荷重新分配控制电路。

    一种高调谐线性度宽调谐范围环形压控振荡器

    公开(公告)号:CN103117706B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201310040693.2

    申请日:2013-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种高调谐线性度宽调谐范围环形压控振荡器,该环形振荡器由四级延迟单元组成,单个延迟单元包括两对输入管、两对交叉耦合管(其中一对的耦合回路中串联有控制管)以及一对负载管。控制电压同时接在控制管与负载管的栅极,当控制电压较低时,负载管为电路提供电流并且其电流随控制电压变化,当控制电压较高时,控制管工作控制耦合对管的耦合强度,这样控制电压在整个电压范围内有效,得到了宽的调谐范围。与已有结构相比,增加负载管也改善了在控制电压较低时的调谐线性度。为了保证电路振荡,单元中引入一对直接交叉耦合的MOS管。本发明具有高调谐线性度、宽调谐范围及轨到轨的输出等优点。

    一种高背景应用的BDI型像素单元电路

    公开(公告)号:CN104034431A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410275471.3

    申请日:2014-06-19

    Abstract: 一种高背景应用的BDI型像素单元电路,在现有包括依次连接的输入放大器、注入管、积分/复位控制电路、采样开关电路和输出控制电路的基础上,去除用于控制积分时间的采样开关电路,在注入管与积分/复位控制电路之间增设注入开关管,通过注入开关管来控制积分时间,注入开关管的栅极连接数字信号Vint,漏极连接前级注入管的输出,源极连接后级积分/复位控制电路的输入。

    一种高速的环形压控振荡器

    公开(公告)号:CN103414466A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310342362.4

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明的一种高速的环形压控振荡器由四级延迟单元串联组成,其中每一级延迟单元的负输出端(Vout-)接下一级延迟单元的正输入端(Vin+),每一级延迟单元的正输出端(Vout+)接下一级延迟单元的负输入端(Vin-);最后一级延迟单元的负输出端(Vout-)接至第一级延迟单元的负输入端(Vin-),最后一级延迟单元的正输出端(Vout+)接至第一级延迟单元的正输入端(Vin+)。本发明在传统的延迟单元基础上增加有源电感结构,负载端增加一对栅极接地的PMOS管,保证了电路在整个电压范围振荡,为电路提供额外的电流,提高了振荡频率。延迟单元的频率控制通过将控制电压接到一对PMOS管的栅极实现,该PMOS管相当于压控电阻,起调节振荡频率作用。

    一种低相位噪声电感电容压控振荡器

    公开(公告)号:CN103107811A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210519598.6

    申请日:2012-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器,该振荡器包括谐振腔和Q值增大级;所述的谐振腔包括由电感(L)、第三电容(C3)、第一电容(Cv1)、第二电容(Cv2),第四电容(C4)顺序连接组成的一个闭环,第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串联连接后,其一端接在第三电容(C3)、第一电容(Cv1)之间,另一端接在第二电容(Cv2)、第四电容(C4)之间;所述Q值增大级包括由第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)组成的放大器,本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

    一种偏置电流产生电路
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102520756A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110448348.3

    申请日:2011-12-28

    Abstract: 一种偏置电流产生电路,包括:电压-电流转换电路,将基准电压Vref转换成电流I1,产生第一偏置电压Vb1;稳定偏置电流产生电路,用来获得高稳定性的偏置电流,产生第二偏置电压Vb2;稳定偏置电流输出电路,利用NMOS管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出。本发明电路直接采用系统中存在的基准电压Vref(相对于电源电压Vdd),利用Vref的高精度和低温漂的特点,获得同样高精度和低温漂的偏置电流,解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。

    一种从原子力显微镜形貌图像中提取表面电势信号的方法

    公开(公告)号:CN116183966A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310112555.4

    申请日:2023-02-14

    Abstract: 本发明提供了一种从原子力显微镜形貌图像中提取表面电势信号的方法,包括:使用原子力显微镜在表面电势不均匀的区域探测样品表面形貌,获取样品表面的形貌图像,提取形貌偏移量;根据探针振动模型建立表面电势信号与形貌偏移量之间的定量关系模型;将步骤1的形貌偏移量与步骤2的定量关系模型进行比对,获得表面电势信号。本发明无需使用额外的探测模块,能够节约成本,同时基于形貌探测的高分辨率,使得探测表面电势不存在信号失真问题,分辨率高于现有的开尔文力或静电力探测技术。

    一种开尔文显微探测二维图像的数字信号处理和分析方法

    公开(公告)号:CN106802357B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201611159153.6

    申请日:2016-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种开尔文显微探测二维图像的数字信号处理和分析方法,首先,利用原子力显微镜和开尔文显微探测技术,获得试样表面的电势分布信息,其次,通过格林函数方法建立探测信号与真实信号之间的定量关系模型,获得该显微探测系统点扩散函数的计算方法,最后,采用数字信号处理方法,在显著降低截断误差和噪声信号影响的基础上,利用维纳滤波技术,对失真的表面电势信息进行还原处理,进而获得试样表面电势分布的真实信息。本方法具有一定的普遍性,适用于表面电势信号不随时间变化的测试对象。

    一种高速的环形压控振荡器

    公开(公告)号:CN103414466B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310342362.4

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明的一种高速的环形压控振荡器由四级延迟单元串联组成,其中每一级延迟单元的负输出端(Vout-)接下一级延迟单元的正输入端(Vin+),每一级延迟单元的正输出端(Vout+)接下一级延迟单元的负输入端(Vin-);最后一级延迟单元的负输出端(Vout-)接至第一级延迟单元的负输入端(Vin-),最后一级延迟单元的正输出端(Vout+)接至第一级延迟单元的正输入端(Vin+)。本发明在传统的延迟单元基础上增加有源电感结构,负载端增加一对栅极接地的PMOS管,保证了电路在整个电压范围振荡,为电路提供额外的电流,提高了振荡频率。延迟单元的频率控制通过将控制电压接到一对PMOS管的栅极实现,该PMOS管相当于压控电阻,起调节振荡频率作用。

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