一种低相位噪声电感电容压控振荡器

    公开(公告)号:CN103107811B

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201210519598.6

    申请日:2012-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器,该振荡器包括谐振腔和Q值增大级;所述的谐振腔包括由电感(L)、第三电容(C3)、第一电容(Cv1)、第二电容(Cv2),第四电容(C4)顺序连接组成的一个闭环,第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串联连接后,其一端接在第三电容(C3)、第一电容(Cv1)之间,另一端接在第二电容(Cv2)、第四电容(C4)之间;所述Q值增大级包括由第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)组成的放大器,本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

    一种低相位噪声正交压控振荡器

    公开(公告)号:CN103414434B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201310342346.5

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明属于射频无线发射机/接收机集成电路技术领域,具体为一种低相位噪声正交压控振荡器,可应用于无线发射机/接收机集成电路中。该正交振荡器由两个电感电容压控振荡器,两对电容耦合管和分裂转换偏置管组成。本发明采用分裂转换偏置技术和电容耦合技术,设计一种新颖的正交压控振荡器电路。同传统的正交压控振荡器不同,本发明新颖电路增加了输出摆幅,减少1/f噪声,降低相位噪声。本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

    一种低相位噪声正交压控振荡器

    公开(公告)号:CN103414434A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310342346.5

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明属于射频无线发射机/接收机集成电路技术领域,具体为一种低相位噪声正交压控振荡器,可应用于无线发射机/接收机集成电路中。该正交振荡器由两个电感电容压控振荡器,两对电容耦合管和分裂转换偏置管组成。本发明采用分裂转换偏置技术和电容耦合技术,设计一种新颖的正交压控振荡器电路。同传统的正交压控振荡器不同,本发明新颖电路增加了输出摆幅,减少1/f噪声,降低相位噪声。本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

    一种低相位噪声电感电容压控振荡器

    公开(公告)号:CN103107811A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210519598.6

    申请日:2012-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器,该振荡器包括谐振腔和Q值增大级;所述的谐振腔包括由电感(L)、第三电容(C3)、第一电容(Cv1)、第二电容(Cv2),第四电容(C4)顺序连接组成的一个闭环,第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串联连接后,其一端接在第三电容(C3)、第一电容(Cv1)之间,另一端接在第二电容(Cv2)、第四电容(C4)之间;所述Q值增大级包括由第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)组成的放大器,本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

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