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公开(公告)号：CN112442356B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011397141.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种ABX3型稳定钙钛矿量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)将含有A的化合物、含有B的化合物、含有X的化合物在极性溶剂中超声溶解，得到混合溶液；(2)在混合溶液中加入胺、酸和含有苯磺酰胺官能团的混合有机物，混合均匀得到钙钛矿量子点前驱体溶液；(3)将醇加入极性溶剂中混合后得到反溶剂；(4)将钙钛矿量子点的前驱体溶液加入反溶剂中，混合后即得钙钛矿量子点溶液；其中，A为甲脒、甲胺、铯中的一种或几种，B为Pb、Sn、Ge或Cu中的一种或几种，X为Cl、Br或I中的一种或几种。该方法制备出的钙钛矿量子点具有很好的稳定性，在空气中能够保持300小时发光强度无任何衰减，色纯度高、发光峰窄，制备方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114914357A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210449314.4
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的新型磁隧道结存储器件，从上到下包括顶电极、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ从上至下包括参考层、隧穿层、重金属层和自由层；衬底为Bi2Se3和NiI2异质结的结构，Bi2Se3作为拓扑绝缘体，自旋霍尔角比较大，有利于电流转化为自旋轨道力矩，从而实现电流诱导的无场磁化翻转；NiI2具有垂直磁各向异性，在发生翻转时，需要的电流相对较小；该磁隧道结采用了以Ta/W复合重金属为耦合层的具有垂直磁各向异性的人工反铁磁结构(CoFeB/MgO/Ta/W/CoFeB)，两个具有反铁磁耦合的CoFeB层通过SOT作用在平行和反平行态切换，实现MTJ磁阻的变化完成数据的写入与删除操作；Ta和W都具有较大的自旋霍尔角，有利于高效地产生自旋轨道力矩来翻转磁矩。
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公开(公告)号：CN113285017A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110442700.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN113257994A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110460411.9
申请日：2021-04-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于TI/FM结构的新型多层钇铁石榴石倾斜磁隧道结存储器件，该磁隧道结存储器从上到下包括种子层，反铁磁层，上铁磁层，隧穿层，下铁磁层和导电层。在MTJ核心结构中的上铁磁层、隧穿层和下铁磁层间形成楔形倾斜，产生Rashba效应，使磁矩更容易翻转，从而提高自旋轨道转矩效率。使用了新型YIG/Bi2Se3这种TI/FM结构，由于YIG/Bi2Se3具有较低的临界电流密度和较高的自旋霍尔角，在相同直流工作电压下相比基于巨磁阻效应的传统单铁磁结构的存储器结构消耗更小，切换TI/FM结构的预期临界电流也比基于SHE的预期临界电流要低得多。因此，本发明的TI/FM磁隧道结存储器件结构具有非常好的能量性能。
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公开(公告)号：CN110993782A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911288639.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器，该自旋轨道动量矩磁存储器由上到下包括顶电极、反铁磁金属层、SOT-MTJ和衬底，所述SOT-MTJ包括由上至下依次设置的参考层、隧穿势垒层、重金属层Ru、自由层，所述隧穿势垒层为两层氧化物混合的不均称锯齿结构，衬底为两层钙钛矿型氧化物异质结的结构。通过在基板上生长双分子层，可以控制磁易轴稍微偏离z方向，从而实现电流诱导的无场磁化。通过读写分离的操作，解决了传统的MRAM所存在的问题，实现了无需外部磁场即可进行读写，加快了非易失存储器领域发展的步伐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473904A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910481813.X
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种垂直GeSe/MoS2p-n异质结构，由GeSe层、MoS2层、四个金属电极、SiO2/Si衬底组成；所述的MoS2层位于衬底上，GeSe层与MoS2层垂直异质，GeSe层与MoS2层两端分别与金属电极接触；所述的异质结构利用GeSe中的自然p型掺杂和MoS2中的n型掺杂，创建了所述的新GeSe/MoS2pn异质结，GeSe和MoS2之间的II型能带对准以及这两种材料中的互补自然掺杂可以使垂直隧穿场效应管p-n结突变和缩短屏蔽隧道长度，适用于低功耗应用；在室温下，GeSe/MoS2p-n异质结的IV曲线类似于典型的p-n二极管特性，正向偏压(>100nA)的电流呈指数增加，反向偏压(～1nA)的电流小，具有整流特性。
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公开(公告)号：CN110459608A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910481833.7
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯-二硫化钼异质结构的垂直隧穿晶体管，由上至下依次包括第一石墨烯层、第二石墨烯层、位于第一石墨烯层与第二石墨烯层之间的二硫化钼层、位于第二层石墨烯层下方的六方氮化硼及衬底；本发明使用二硫化钼代替六方氮化硼作为隧道势垒，对垂直隧穿石墨烯场效应晶体管和垂直隧穿石墨烯纳米带场效应晶体管进行了模拟，可以获得较高的开关电流比，传输特性更强，且成本较低，可用于数字应用。
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公开(公告)号：CN110459591A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910482541.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用。
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公开(公告)号：CN110186979A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910454188.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道的上下表面分别设有栅极氧化层；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。该场效应管用于气体传感器灵敏度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN110070920A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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