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公开(公告)号：CN105348289B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510728912.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/08 , C07D495/22 , C08G61/02 , C08G61/12 , C09K11/06 , H01L51/54 , G11C17/10
Abstract: 本发明涉及一类纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法，属于光电高新技术领域。该类纳米聚合物材料是以纳米格子为单体的均聚物或共聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)纳米格子单体表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，聚格子有希望成为新一代实用纳米高分子光电材料，这类纳米聚合物格子材料在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106518892A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610835611.7
申请日：2016-09-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/22 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: C07D513/22 , C09K11/06 , C09K2211/1051 , C09K2211/1092 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5096
Abstract: 本发明公开了一种给受体型芴基纳米格子材料、制备方法及其应用，该纳米格子材料是以芴基衍生物为电子给体单元与电子受体单元交替排列成方环形的刚性结构。制备方法：带有叔醇和芳香环端基氢双活性位点的前体溶解于有机溶剂中，在室温下加入催化剂搅拌反应，反应5 min~12 h，通过色谱柱分离得到产物。本发明提供的纳米格子材料具有合成方式模块化、高拓展性、高的热学、电化学、光学稳定性；可减少薄膜溶剂依赖性；实现大面积可溶性加工；精确调控孔径尺寸；实现对带隙、能级排布的精确调控等优点，在有机太阳能电池、存储及忆阻、传感、检测等光电功能材料领域有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN106397428A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610793010.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549 , C07D417/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1051 , C09K2211/1092 , H01L51/0071
Abstract: 本发明公开了一类高荧光量子效率芴基给受体H型分子材料及其制备方法和应用，此类材料是以卤代芳基的叔醇Friedel–Crafts反应桥连电子受体单元做桥连基团，芳基通过卤素偶联发色团而成的H型分子材料，具体结构通式如下：式中：Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar11为芳香基团，Ar11为电子受体单元，Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10为芳香基团或者非芳香基团，SG1、SG2、SG3、SG4为芳香基团或者非芳香基团。该类材料合成方式模块化，电子受体单元的可选性多，反应步骤简单，条件温和，且表现出高热学、电化学、光学稳定性，是一类非常具有应用前景的有机光电功能材料。
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公开(公告)号：CN119136630A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183766.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种咔唑衍生物单分子层及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法，涉及于有机存储和信息技术领域，其包括依次设置的源漏电极、半导体层、咔唑衍生物单分子层、栅绝缘层、衬底和栅电极。本申请制备了咔唑衍生物单分子层并将咔唑衍生物单分子层应用在有机场效应晶体管存储器当中，充当器件的电荷俘获层，操作工艺简单、成本低廉，降低了晶体管存储器的制备难度的同时缩短了制备周期，提高了晶体管存储器的存储性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN116199707B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111875616A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN109524546B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811350364.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C07D495/22
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、纳米格子分子存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明的存储器属于典型的电荷捕获‑释放机制，对比聚合物驻极体存储器和浮栅型存储器，表现出明显的电荷维持稳定、耐受性以及大的存储窗口和存储密度，还表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺手段制备存储器件，使其存储容量、开关速度和稳定性得到很大提升，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN108530609B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810242986.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种卟啉聚合物，其结构通式如下：本发明同时公开了卟啉聚合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括从阳极到阴极依次分布的卟啉聚合物活化薄膜层及氧化物缓冲层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN110526923A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910733037.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/00 , H01L51/05
Abstract: 本发明公开了一种侧链修饰的卟啉分子及其应用，其侧链修饰的卟啉分子以富电子功能的卟啉分子为俘获电荷的核心，以烷氧基链段为电荷传递过程的抑制部分，保证其可应用于可溶液加工的柔性结构。本发明从薄膜形貌、制备工艺、性能调控的角度对分子结构进行理性设计并对比有机场效应晶体管存储器器件性能。本发明提出了做到了调节其存储器性能的同时，提供了一种可商业推广、成本低廉、工艺简化的材料与器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN106397428B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610793010.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一类高荧光量子效率芴基给受体H型分子材料及其制备方法和应用，此类材料是以卤代芳基的叔醇Friedel–Crafts反应桥连电子受体单元做桥连基团，芳基通过卤素偶联发色团而成的H型分子材料，具体结构通式如下：式中：Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar11为芳香基团，Ar11为电子受体单元，Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10为芳香基团或者非芳香基团，SG1、SG2、SG3、SG4为芳香基团或者非芳香基团。该类材料合成方式模块化，电子受体单元的可选性多，反应步骤简单，条件温和，且表现出高热学、电化学、光学稳定性，是一类非常具有应用前景的有机光电功能材料。
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