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公开(公告)号：CN102691038A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210160698.4
申请日：2012-05-22
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备，所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶（Al掺杂的ZnO靶），制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后，其耐腐蚀性得到改善；对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后（Al-Sn共掺的ZnO薄膜）其耐腐蚀性能也得到改善，而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好。本方法制作工艺简单，沉积温度低，所用材料和工艺对环境无污染，制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能，可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN102660776A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210140097.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种低成本制备“黑硅”的方法。其特征在于：本发明首先使用丙酮、乙醇和超纯水依次对单晶硅片进行超声清洗，以去除硅片表面油污和金属离子；然后将硅片放入高浓度的NaOH溶液中腐蚀数分钟，以去除表面损伤层；接着将硅片放入低浓度的NaOH溶液中腐蚀数十分钟从而在硅片表面形成金字塔状结构；最后将其置于HF、锰盐(Mn(NO3)2、或Mn(NO3)3、K2MnO4以及KMnO4中任一种）和超纯水的混合溶液中进行化学腐蚀以在金字塔上制备减反射纳米微结构“黑硅”。该发明无需复杂设备，制备工艺简单，制备成本低，并可实现大面积“黑硅”的制备。
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公开(公告)号：CN102433544A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101699633B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910232884.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池器件技术领域，涉及PIN结硅基薄膜太阳能电池及其制备工艺。具体而言，对硅基薄膜太阳能电池的核心-PIN结的P-层，I-层，N-层均采用热丝化学气相沉积的方法制备，并且用热丝化学气相沉积的方法在P-层和I-层之间生长一层介质材料构成的钝化层。该热丝化学气相沉积法具有气源利用率高，生长速率快，减少界面缺陷等特点，所生长的薄膜中的H含量比PECVD法要高，悬挂键要比PECVD方法少，膜的质量更好。再加上P-层和I-层之间的钝化层可以钝化界面的悬挂键，并且通过隧道效应增加界面处的载流子迁移率，从而使得电池的效率得到更大的提高。
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公开(公告)号：CN101388423B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810155229.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体相二硅化铁(β-FeSi2)薄膜材料的制备方法，涉及晶态半导体相二硅化铁(β-FeSi2)光电薄膜的制备方法。包括以下过程：(1)非硅衬底清洗去污；(2)物理气相沉积法生长硅基过渡层；(3)物理气相沉积法沉积多层膜，具体为：依次沉积厚度为0.5nm至5nm的Fe薄层和厚度为0.5nm至5nm的Si薄层，且Si薄层和Fe薄层厚度比为在1.8至3.6之间，沉积的Si/Fe多层膜的周期为1-200；上述第(3)步可以在加热下进行，也可在室温下进行但需进行退火处理。本发明是一种在廉价的非硅衬底上制备禁带宽度、结晶取向和导电类型可控的半导体相二硅化铁(β-FeSi2)光电薄膜的方法，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114050189A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111327578.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种具有3D结构的硒硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。本申请的薄膜太阳电池包括从下至上的依次层叠设置的衬底玻璃、TiO2层、BaTiO3薄膜层、Sb2(S,Se)3薄膜层、空穴传输层和电极层。还包括一种Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池的制备方法，制备出的Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池其中TiO2层为3D‑TiO2阵列结构，与Sb2(S,Se)3薄膜层形成pn结，BaTiO3薄膜作为钝化层插入到pn结之间，减少异质结在界面处的复合。BaTiO3薄膜层与TiO2层形成双缓冲层结构，增加了耗尽层宽度可以有效提升电池的开路电压。利用BaTiO3自身的铁电性，提高了载流子的分离能力和电池的开路电压。且BaTiO3薄膜厚度较小，基于量子隧穿效应解决了BaTiO3导电性差，导致电池内阻高的问题。
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公开(公告)号：CN109449228A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811611265.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/0749 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开一种柔性可弯曲CIGS薄膜太阳能电池，包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有背电极、CIGS薄膜、缓冲层、高阻层、窗口层与减反层；背电极包括由下至上依次层叠的合金膜层、ZnAl膜层、降阻金属膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜；降阻金属膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜层；缓冲层为ZnS或InS薄膜；高阻层为本征ZnO薄膜；窗口层为GZO或IGZO薄膜；减反层为MgF2或ZnS薄膜；该电池不需要阻挡层、背电极较薄且具有较好的真空工艺相容性、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、良好的化学稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN107285323A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710600917.9
申请日：2017-07-21
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/62
Abstract: 本发明涉及一种高分散且粒径可控的二氧化硅微球制备方法，包括以下步骤：(1)将正硅酸乙酯与无水乙醇混合均匀；(2)将无机盐溶于氨水、无水乙醇和去离子水的混合溶液中；根据无机盐的种类和添加量，可以得到不同粒径的二氧化硅微球；(3)在高速搅拌步骤(2)中溶液时，将步骤(1)中溶液快速加入，待混合均匀后，降低搅拌速度；反应2h后，经离心分离并且干燥，即可得到二氧化硅微球。本发明采用的设备简单、操作方便、可重复性高，且对外界环境要求低，制备具有高分散性二氧化硅微球的同时，可以精确控制微球粒径，而反应时间不变，制备所得的二氧化硅微球无需接枝改性就具有良好的分散性。
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公开(公告)号：CN106229386A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610898676.6
申请日：2016-10-14
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , C30B33/10 , H01L31/0236 , H01L31/02363
Abstract: 本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。其方法步骤如下：(1)对溶液进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于H2O2、HF、AgNO3、Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备黑硅纳米减反结构；(3)采用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构。该发明采用Ag和Cu双金属辅助于多晶硅表面进行化学腐蚀，相对于现有的Ag辅助化学腐蚀，该发明使AgNO3消耗量降低几十倍以上，且工艺简单，降低了黑硅制备成本，可实现大面积黑硅的批量制备，并利用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN103094373B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201110074145.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/074 , H01L31/20
Abstract: 本发明一种Cu2ZnSnS4/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。所述的Cu2ZnSnS4/a-Si异质结太阳能电池，其结构包括p型层和n型层构成的异质p-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：n型层为a-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。制备步骤为：步骤1、对衬底进行清洗；步骤2、CZTS薄膜的制备；步骤3、a-Si薄膜的制备；步骤4、利用磁控溅射法制备透明导电电极。本发明制备的太阳能电池结构新颖且完全无毒廉价，具有广阔的应用前景和很大的商业价值。
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