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公开(公告)号：CN110048227B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910327095.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于二氧化钒相变动态可调的蝴蝶结纳米天线装置，包括：形成于衬底上的二氧化钒薄膜；形成在二氧化钒薄膜上的介质薄膜；以及由周期性排布于介质薄膜上的蝴蝶结金属单元组成的金属天线层；所述蝴蝶结金属单元被构造为由两个镜向对称的结构组成。进一步，还公开了该蝴蝶结纳米天线装置的制备方法以及纳米天线共振波长的调节方法。通过本发明可实现在近红外较大波长范围内对其共振波长的动态调控，可应用在动态可调高次谐波、动态可调分子荧光、动态可调拉曼散射、动态可调纳米激光等领域。
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公开(公告)号：CN105002476B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510395941.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106842376A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710055815.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 南京大学
IPC: G02B1/00
CPC classification number: G02B1/002
Abstract: 本发明公开一种三维超构材料，具有多个周期性分布的U形结构，每个U形结构对应图像中的一个像素点，所有U形结构共同组成所需图像；U形结构由两臂及连接两臂的底部构成，两臂与Z轴同向且相邻U形结构的臂相互独立不接触，底部与X轴的夹角为θ，0°≤θ≤90°；进一步的，本发明还公开这种三维超构材料的制备方法，以及基于这种三维超构材料的灰度编码和显示方法及二值编码和显示方法。通过设计特定的金属结构单元引入额外自由度调控电磁波的物理性质，可以使超构材料对不同频率的电磁波实现选择性吸收，对不同偏振态的电磁波实现全吸收、部分吸收或全反射，由此可在编码与成像技术中有着重要应用。
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公开(公告)号：CN106842375A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710055813.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种用于多频率的二值显示和编码的三维超构材料，具有多个周期性分布的像素点结构单元，每个像素点结构单元包括至少两个U形结构；像素点结构单元中的U形结构根据编码需要成不同的排布，且相邻U形结构的臂相互独立不接触；U形结构由两臂及连接两臂的底部构成，两臂与Z轴同向，底部与X轴或Y轴同向，且沿Z轴方向的高度至少有两种。还公开了基于该三维超构材料的制备方法和二值显示与编码方法。实现通过改变像素点结构单元中的U形结构的高度和底部取向，在不同频率不同偏振实现对入射电磁波的选择性吸收，制备多频率的二值成像点。
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公开(公告)号：CN105002476A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510395941.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。
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公开(公告)号：CN103048723B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210545695.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 一种L形波片，其由L形和旋转180度的L形金属膜构成正方形包络的结构周期排列形成，每个L形金属膜边长900±40nm，线宽140±20nm，厚度150±20nm，正方形包络长度1200±40nm，重复周期1350±40nm。L形和旋转180度的L形金属膜最小处的间隙在10nm-100nm。本发明提出一种结构厚度极薄的波片，可以将线偏振光变化为两分量强度相等而相位差从-π到π可调的特定偏振态。而传统的波片，比如半波片或四分之一波片只能在特定的频率产生特定的相位差。
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公开(公告)号：CN204298504U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420775254.6
申请日：2014-12-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了适用光学显微成像和光谱测量的微型溶液晶体生长装置,包括透明封闭式晶体生长槽、气流温度控制器和晶体生长槽温度控制器。所述透明封闭式晶体生长槽以石英玻璃为材料，L型结构设计，生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔；所述气流温度控制器为空心石英棒缠绕金属电加热丝，能够实现载流气体温度控制；所述生长槽温度控制器由加热陶瓷片组构成，借助热电偶和PID控制系统能够操控生长槽内温度场。本实用新型所述可实现溶液法晶体生长，通过溶液温度、气体流量或温度的控制实现晶体的可控生长，完全封闭的生长槽隔绝了有毒以及腐蚀性挥发物对环境的污染，超薄的液层以及高透光性的石英材料适合光学显微观测和光谱测量。
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