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公开(公告)号：CN103233206B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310138120.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 鱼叉状连续金属膜吸波材料，在介质衬底上制作均匀分布的两个互相垂直交叉站立的介质材料U形结构,得到一种鱼叉状结构单元；随后在全部交叉站立的介质材料的U形结构上方和衬底上表面全覆盖一层金属薄膜；金属薄膜厚度35±5纳米，鱼叉状结构单元周期4±0.5微米，所述鱼叉状结构单元中鱼叉座中部凸起高度0.6±0.1微米，鱼叉叉针高度1.6±0.2微米，通过调节鱼叉状结构单元的尺寸参数，以实现在不同频率对入射电磁波的吸收。
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公开(公告)号：CN106646715B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201611061163.6
申请日：2016-11-28
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种对称L形金属超构表面分束器，包括：金属反射层；镀在金属反射层上的SiO2层；以及在SiO2层上形成的金属膜，所述金属膜由多个周期性分布的分束器结构单元组成，所述分束器结构单元由相同数量n个L形结构和相同数量n个L形结构镜面对称的反L形结构在平面上依次排列构成，每个L形金属结构的边长为工作波长的五分之一，线宽为工作波长的十五分之一，厚度为工作波长的二十分之一。所述L形结构和其镜面对称的反L形结构其金属膜边长250±10nm，线宽80±10nm，厚度60±10nm；本发明的分束器可以在宽频段将任意线偏振光转变为两束强度相位偏振完全相等的两束线偏振光，而且结构的厚度极薄。
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公开(公告)号：CN106646715A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611061163.6
申请日：2016-11-28
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种对称L形金属超构表面分束器，包括：金属反射层；镀在金属反射层上的SiO2层；以及在SiO2层上形成的金属膜，所述金属膜由多个周期性分布的分束器结构单元组成，所述分束器结构单元由相同数量n个L形结构和相同数量n个L形结构镜面对称的反L形结构在平面上依次排列构成，每个L形金属结构的边长为工作波长的五分之一，线宽为工作波长的十五分之一，厚度为工作波长的二十分之一。所述L形结构和其镜面对称的反L形结构其金属膜边长250±10nm，线宽80±10nm，厚度60±10nm；本发明的分束器可以在宽频段将任意线偏振光转变为两束强度相位偏振完全相等的两束线偏振光，而且结构的厚度极薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103233206A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310138120.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 鱼叉状连续金属膜吸波材料，在介质衬底上制作均匀分布的两个互相垂直交叉站立的介质材料U形结构,得到一种鱼叉状结构单元；随后在全部交叉站立的介质材料的U形结构上方和衬底上表面全覆盖一层金属薄膜；金属薄膜厚度35±5纳米，鱼叉状结构单元周期4±0.5微米，所述鱼叉状结构单元中鱼叉座中部凸起高度0.6±0.1微米，鱼叉叉针高度1.6±0.2微米，通过调节鱼叉状结构单元的尺寸参数，以实现在不同频率对入射电磁波的吸收。
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公开(公告)号：CN103048723A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210545695.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 一种L形波片，其由L形和旋转180度的L形金属膜构成正方形包络的结构周期排列形成，每个L形金属膜边长900±40nm，线宽140±20nm，厚度150±20nm，正方形包络长度1200±40nm，重复周期1350±40nm。L形和旋转180度的L形金属膜最小处的间隙在10nm-100nm。本发明提出一种结构厚度极薄的波片，可以将线偏振光变化为两分量强度相等而相位差从-π到π可调的特定偏振态。而传统的波片，比如半波片或四分之一波片只能在特定的频率产生特定的相位差。
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公开(公告)号：CN105002476B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510395941.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。
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公开(公告)号：CN105002476A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510395941.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。
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公开(公告)号：CN103048723B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210545695.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 一种L形波片，其由L形和旋转180度的L形金属膜构成正方形包络的结构周期排列形成，每个L形金属膜边长900±40nm，线宽140±20nm，厚度150±20nm，正方形包络长度1200±40nm，重复周期1350±40nm。L形和旋转180度的L形金属膜最小处的间隙在10nm-100nm。本发明提出一种结构厚度极薄的波片，可以将线偏振光变化为两分量强度相等而相位差从-π到π可调的特定偏振态。而传统的波片，比如半波片或四分之一波片只能在特定的频率产生特定的相位差。
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