公开(公告)号：CN105002476B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201510395941.4

申请日：2015-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 王迪 ,  王牧 ,  彭茹雯 ,  蒋尚池 ,  熊翔 ,  姚鹏飞 ,  赵地

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。

公开(公告)号：CN105002476A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510395941.4

申请日：2015-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 王迪 ,  王牧 ,  彭茹雯 ,  蒋尚池 ,  熊翔 ,  姚鹏飞 ,  赵地

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。