公开(公告)号：CN106486609B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201610826195.4

申请日：2016-09-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  姜赛 ,  钱君 ,  田仁宝

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  C08J5/18 ,  C08L65/00

Abstract: 一种液相制备超薄二维电学功能性薄膜的方法，将有机聚合物分子材料或有机无机杂化钙钛矿材料溶解到有机主溶剂与微量反溶剂中，在30～80℃的条件下磁力搅拌1～4h，使其完全溶解混合，再冷却至室温；用移液枪把混合溶液滴注到SiO2或Si衬底上；滴注时以抽气方式混合溶液蒸发、溶质分子的结晶成膜。所述抽气方式是，通过一个或若干吸气管置于衬底上方滴注管的周围，通过控制吸气管的方向与流量、流速对结晶成膜进行控制。控制吸气管的气流拖动液滴在SiO2或Si衬底上移动时，改变气流的流速，得到不同结构、形态的薄膜。

公开(公告)号：CN105977258A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610309711.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 李昀 ,  王宇 ,  宋磊 ,  木津泷 ,  塚越一仁 ,  施毅

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L29/247 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。