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公开(公告)号：CN111564487A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010423278.5
申请日：2020-05-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。
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公开(公告)号：CN110361349A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810288550.6
申请日：2018-04-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开了一种基于集成电路工艺的多通道红外光谱探测器及其制备方法。该探测器包括多个由金属表面等离激元结构构成的探测阵列单元以及微测辐射热计；金属表面等离激元结构采用正方形周期排列的金属圆柱体，金属圆柱体的周围为空气；微测辐射热计包括桥墩、桥臂、红外吸收体和热敏电阻；金属表面等离激元结构沉积在微测辐射热计的红外吸收体上；多个探测阵列单元的金属表面等离激元结构的参数不相同。本发明通过集成电路工艺，在同一红外探测器阵列芯片上集成金属表面等离激元结构和红外探测器等模块，可获得不同波长的探测信号光信息，能实现对多种波长信号的同时检测，且具有结构简单、便于集成、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109056066A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811030854.9
申请日：2018-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种超声辅助雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的系统。一种超声辅助雾相输运化学气相沉积方法，采用水溶性的镓盐超声雾化源作为原料，在反应腔室中进行；利用反应腔室内有气流的收束装置部位作为生长区，反应腔室整体为卧式结构；镓源的水溶液由超声雾化器雾化之后由隋性气体(氮气)作为载气输运，与稀释气体混合后进入反应腔室，反应腔室内部具有气流收束结构，反应腔室后端输出位置时用水吸收反应产物和未反应的原料，输出位置并设有防倒吸结构；反应后的尾气由尾气处理装置处理。
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公开(公告)号：CN105576054A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610169554.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , B82Y30/00 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了基于蝶形等离激元增强天线的纳米线中间带太阳能电池结构，二氧化硅或石英衬底上为平躺的氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构纳米线，氧化锌在外层，氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构的纳米线长度为1-10um，核壳结构纳米线的直径为200-400nm，氧化锌的厚度为5-40nm；核壳结构纳米线的两侧设有若干对金属铝蝶形天线，每一对金属铝蝶形天线为尖端对尖端的三棱锥结构，每一对蝶形天线中两个尖端对尖端的三棱锥相对于纳米线是可以是中心对称的，也可以是非中心对称的。主要解决中间带太阳能电池吸收层中间带态密度小而吸收效率偏低的问题，实现太阳光全光谱吸收增强而提高器件整体光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119828207B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510334586.3
申请日：2025-03-20
IPC: G01T7/00
Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119836000A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510309182.9
申请日：2025-03-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β‑Ga2O3衬底，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层，κ‑(AlxGa1‑x)2O3层，κ‑Ga2O3层，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层、κ‑Ga2O3层和κ‑(AlxGa1‑x)2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将κ‑(AlxGa1‑x)2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层和耗尽型源极金属层；增强型器件区包括增强型源极金属层、p型异质介质和增强型栅极金属组合层以及增强型漏极金属层；本发明的反相器实现高迁移率、高击穿场强。
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公开(公告)号：CN115312616B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/10 , H10F30/223 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN119170630A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411679755.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法。本发明所设计的具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件，包括自下而上依次设置的衬底层、高阻层、背势垒层、氮化镓层、势垒层，以及设置在势垒层上的栅极、源极和漏极；其特征在于，所述氮化镓器件还包括单粒子辐照电荷引出电极，所述单粒子辐照电荷引出电极包括均匀布置在所述势垒层的顶面上的多个p型氮化镓块、在每个所述p型氮化镓块中部设置的欧姆金属柱以及用以连接各个分散的欧姆金属柱的互联金属片；通过单粒子辐照电荷引出电极能够为辐照感生空穴泄放至器件外部提供路径，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
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公开(公告)号：CN118944607B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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公开(公告)号：CN118944607A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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