-
公开(公告)号：CN103354226B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310248944.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/04
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种PIP堆叠封装器件，其包括：具有相对的第一表面和第二表面的第一基板，其包括布置于其第一表面上的多个第一连接垫片、布置于其第二表面上的多个第二连接垫片和布置于其第一表面上的多个第三连接垫片；安装于第一基板的第一表面上并与第一基板上的第三连接垫片电性连接的内封装元件；放置于内封装元件上的第一半导体晶片，其通过键合线与第一基板的第一连接垫片电性接触；和设置于第一基板的第一表面上的第一塑封体，其包覆内封装元件、第一半导体晶片和键合线。这样不仅可以得到较小的封装尺寸，不对引线键合工艺的要求也不高。
-
公开(公告)号：CN105206563A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510514469.1
申请日：2015-08-20
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , C25D7/12 , C25D5/48
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/48 , C25D7/123 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明涉及一种电镀工艺，尤其是一种TSV电镀工艺，具体的地说是一种能降低CMP成本的电镀工艺，属于TSV的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种TSV电镀工艺，所述TSV电镀工艺包括如下步骤：a、提供待电镀填充的晶圆，并对所述晶圆进行所需的TSV电镀填充；b、对电镀填充后的晶圆，在所述晶圆上施加与TSV电镀填充时相反的退镀电流，以降低电镀填充晶圆上过电镀铜层的厚度。本发明在利用TSV电镀对晶圆进行电镀填充后，再施加与TSV电镀时电流方向相反的退镀电流，利用退镀电流进行均匀退镀，降低过电镀铜层的厚度，即保证晶圆的TSV填充目的，又能将过电镀铜层的厚度尽可能减小，有效降低CMP成本的目的，适应范围广，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN104485300A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410757801.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/67121 , H01L21/4814
Abstract: 本发明涉及一种磁性非对称型柱或核球的植球治具及植球方法，其特征是：包括托盘和吸头，托盘的上部和吸头下部分别呈开口状，托盘的下部和吸头的上部分别设置抽真空口，在托盘内固定下模，在吸头内固定上模；在所述下模和托盘的下部之间形成第一真空腔，在上模和吸头的上部之间形成第二真空腔，第一真空腔和第二真空腔分别与抽真空口连通，抽真空口分别连接真空装置；在所述下模上表面设置第一BGA点阵孔，在上模下表面设置第二BGA点阵孔，第一BGA点阵孔与第一真空腔连通，第二BGA点阵孔与第二真空腔连通，第一BGA点阵孔与第二BGA点阵孔呈上下映射；所述托盘与振动装置连接，托盘和吸头一侧分别设置电磁装置。本发明实现了非对称型柱或核球的植球，锡球或锡柱在高度方向达到使用需求，有效减小植球间距。
-
公开(公告)号：CN103915423A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410136630.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种芯片三维堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多层堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，其特征在于：所述PCB基板上设置有窗口，所述PCB基板上堆叠有多层芯片，所述多层芯片中的部分芯片套装在所述窗口内，本发明同时还提供了一种芯片三维堆叠封装结构的封装方法。
-
公开(公告)号：CN103904066A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410136124.2
申请日：2014-04-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多面堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，PCB基板上设置有窗口，PCB基板上封装有多层芯片，多层芯片间通过第一焊球、焊盘连接，多层芯片中上层芯片的长度长于多层芯片中下层芯片的长度，多层芯片中的下层芯片套装在窗口内，多层芯片中上层芯片与PCB基板间通过第二焊球、焊盘连接，PCB基板上与第二焊球对应面设置有第三焊球，所述上层芯片与所述下层芯片通过塑封材料连接PCB基板，成型塑封结构，形成对芯片的密封，本发明同时还提供了一种倒装芯片堆叠封装结构的封装方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887251A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410131607.3
申请日：2014-04-02
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511
Abstract: 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载体圆片上先制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好槽的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝上贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制；并且，金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。
-
公开(公告)号：CN103539063A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310543225.7
申请日：2013-11-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种环境MEMS传感器基板封装结构，包括一有机基板，在有机基板上开有开窗，控制芯片和环境MEMS传感芯片贴装在有机基板的一个面上并与有机基板电连接，环境MEMS传感芯片的感应部对准有机基板上的开窗；在贴装有控制芯片和环境MEMS传感芯片的有机基板那一面上覆盖有灌封料；在贴装有控制芯片和环境MEMS传感芯片的有机基板那一面的相对面上植有焊球，所述焊球电连接有机基板，并通过有机基板与控制芯片和环境MEMS传感芯片电连接。本发明利用有机基板开窗来实现环境MEMS传感芯片的传感部与外界的连通，避免了在封装过程中使用薄膜辅助注塑成型加工工艺，可以降低成本，并且可以与现有基板类产品的加工工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN103523739A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310543099.5
申请日：2013-11-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种环境MEMS传感器三维柔性基板封装结构，包括一柔性基板，所述柔性基板弯折成U型结构，所述U型结构具有一个弯折部和两个相对的平整部；在一个平整部的柔性基板内面上贴装有控制芯片，与控制芯片相对的另一个平整部的柔性基板内面上贴装有环境MEMS传感芯片，环境MEMS传感芯片的感应部所面对的柔性基板上设有开口；控制芯片和环境MEMS传感芯片与U型结构的柔性基板内面电连接。进一步地，所述控制芯片和环境MEMS传感芯片在高度方向上重叠。进一步地，所述控制芯片的背面和环境MEMS传感芯片的背面粘合在一起。本发明避免了使用薄膜辅助注塑成型技术，成本降低，同时形成的三维层叠封装结构使得器件集成度提高。
-
公开(公告)号：CN103354227A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310242861.6
申请日：2013-06-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件，其包括第一基板和安装于第一基板上的第一半导体晶片；第二封装元件，其包括第二基板和安装于第二基板上的第二半导体晶片；夹持于第一基板的下表面和第二基板的上表面之间的互连部件，其包括与第一基板的下表面上接触的第一各向异性导电胶层、与第二基板的上表面接触的第二各向异性导电胶层和夹持在第一和第二各向异性导电胶层之间的第三基板，两个各向异性导电胶层在垂直于第一基板的延伸方向的纵向上导电。这样的互连部件中的相邻两个连接垫片之间的间距可以很小，不需要使用焊接球和激光钻孔，不需要考虑短路的问题，其属于堆叠封装中的一种全新的互连方案。
-
公开(公告)号：CN103354225A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310242862.0
申请日：2013-06-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件、第二封装元件、多个第一互连部件和多个第二互连部件。第一封装元件包括第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体晶片。第二封装元件包括第二基板和安装于第二基板的第二表面上的第二半导体晶片。每个第一互连部件的一端连接于第一基板的第二表面，另一端连接于第二基板的第一表面。第三封装元件包括第三基板和安装于第三基板的第一表面上的第三半导体晶片。每个第二互连部件的一端连接于第一基板的第二表面或第二基板的第一表面，另一端连接于第三基板的第一表面。这种结构充分利用了第一封装元件和第二封装元件之间的缝隙，从而从整体上降低了多层堆叠封装器件的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.075 seconds)
