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公开(公告)号：CN102052989B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010548819.3
申请日：2010-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01L9/12
Abstract: 本发明公开了一种用于无线无源测量的电容压力传感器，由周边固支的弹性振动膜片组成电容器，通过调整圆形电极与振动膜片半径之比、设置绝缘凸点等手段，使振动膜片处于大应变状态，最大电容与初始电容之比尽可能大，从而使电容达到大相对变化量、高Q值的目的。本发明的高Q值和大相对电容变化量的电容压力传感器与声表面波变送器连接后，可以实现对压力的高精度无线无源测量，该传感器可用于汽车轮胎压力监测领域。
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公开(公告)号：CN119967345A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510074039.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本发明提出了一种多层膜结构的自旋流增强声磁耦合装置，属于声磁耦合薄膜材料技术领域，包括压电衬底；第一叉指换能器，设置在所述压电衬底的端面的一侧，用于激发声表面波；第二叉指换能器设置在所述压电衬底的端面的另一侧，并与第一叉指换能器正对设置，用于接收第一叉指换能器激发并沿压电衬底传输的声表面波；多膜层结构堆叠设置在所述第一叉指换能器和第二叉指换能器之间的压电衬底上，当声波驱动第一铁磁层的铁磁共振时，第一铁磁材料层激发的自旋流通过非磁性金属层作用于第二铁磁材料层，带动第二铁磁材料层的磁化进动；第二铁磁材料层的磁化进动又产生自旋流，通过非磁性金属层反作用于第一铁磁材料层，实现铁磁共振增强。
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公开(公告)号：CN117214265B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311104927.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种检测亚硝酸根离子的电化学传感器及其制备方法，所述电化学传感器包括玻璃碳电极，所述玻璃碳电极上沉积有Au@MoS2/rGO/WO3电极。通过制备形成Au修饰的MoS2/rGO/WO3复合基电化学传感器，并将其应用于检测亚硝酸根离子，由于贵金属组分引起的局域表面等离子共振效应，会促使该电极产生强电流，显著促进亚硝酸根离子的催化氧化，促使电化学传感器响应更快更显著；同时通过设计具有快速异质电子转移速率的电极材料，将导致电化学亚硝酸根离子传感的过电位显著降低；克服了现有电化学传感器受到低温、碱金属、有机硅蒸汽以及缺氧的影响，导致其性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN112028013B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202011076055.2
申请日：2020-10-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光应用技术领域，更具体地，涉及一种基于飞秒激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用。本发明首先将金属氧化物前驱体与溶剂混合制备得到金属氧化物前驱体溶胶凝胶，接着将该溶胶凝胶涂覆于衬底表面得到凝胶薄膜，进行飞秒激光直写，利用飞秒激光高峰值功率产生的能量使金属氧化物前驱体发生反应生成金属氧化物微纳结构。本发明通过飞秒激光直写技术直接实现金属氧化物微纳结构的制备，由于飞秒激光峰值功率高，可直接烧结出金属氧化物，不需要其他处理，方便快捷。适用于任意亲疏水基底，可实现高精度、跨尺度、高定向的任意金属氧化物微纳结构的制备。
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公开(公告)号：CN115974138A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110512273A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910724860.2
申请日：2019-08-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。
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公开(公告)号：CN108193271B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620‑650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
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公开(公告)号：CN105483825B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510922295.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温，使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅铯单晶开裂的问题。
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公开(公告)号：CN106548840B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510598234.5
申请日：2015-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法。压敏电阻器由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi2O3，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi2O3的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。本发明采用贱金属Ni作为内电极，同时能防止Ni电极氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在还原气氛中被还原，促进ZnO在烧结过程中成瓷，压敏电阻器具备良好的非线性，制作成本低，适于大规模生产。
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公开(公告)号：CN104658727B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201310594610.4
申请日：2013-11-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/112
CPC classification number: H01C7/1006 , H01C7/112 , H01C7/18 , H01C17/06546 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。
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