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公开(公告)号：CN108037472A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711160801.4
申请日：2017-11-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/06
CPC classification number: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种新型各向同性磁电传感器结构，该各向同性磁电传感器由圆柱状的磁致伸缩材料与圆环状的压电材料组成。各向同性磁电传感器根据结构上呈对称状态，因此对二维平面内变换的磁场，无关传感器与被测磁场方向的夹角为多少，其输出是不会改变的。在此基础上，本发明提出一种各向同性磁电测量装置，该装置在所述传感器正上方以及正下方放置对称磁铁，产生对称发散的偏置磁场，从而实现不影响各向同性的同时，增大磁电转换系数。本发明中，两个磁铁与磁电传感器完全同轴放置，根据有限元建模的理论分析结果显示，本发明对磁场测量具有很好的各向同性。本发明还具有成型工装结构简单，能实现动态场景下的磁场测量。
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公开(公告)号：CN107050673A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710417275.9
申请日：2017-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61N7/00 , B29C64/135 , B29C64/314 , B33Y40/00
CPC classification number: A61N7/00 , A61B8/42 , B29C64/135 , B29C64/314 , A61N2007/0004 , A61N2007/0043 , A61N2007/0052 , A61N2007/0056 , B33Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种聚焦光致超声材料及其制备方法和内窥式光致超声探头。利用基于掩模图像投影立体光刻技术(MIPS)的3D打印技术，以碳纳米管粉末和光固化树脂的混合物为原料，自下而上，逐层制作聚焦光致超声材料。内窥式光致超声探头的主要结构包括成像入射光纤、治疗入射光纤、圆柱形光致超声材料、聚焦光致超声材料和全反射镜。通过成像入射光纤和圆柱形光致超声材料，产生超声信号，确定病变组织的位置；然后通过治疗入射光纤和聚焦光致超声材料，产生能量较高的超声信号，将病变组织击碎。
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公开(公告)号：CN105436065A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510817970.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: B06B1/06
CPC classification number: B06B1/06 , B06B2201/55
Abstract: 本发明公开了一种行列寻址的超声面阵探头的制备方法，该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的压电片；2)在压电片上镀上翻边电极，即在压电片下表面和上表面平行的两侧以及压电片两个侧面分别镀上一层电极，且这些电极相互导通3)将压电片的下表面粘贴在背衬上，然后在压电片的上表面沿与侧电极垂直的方向进行第一次切割；4)在每条切槽内分别灌满环氧树脂胶，并将压电片的上表面有环氧树脂胶的部位磨平5)在压电片的上表面镀上一层长方体形状的中间电极以形成上电极；6)在铺有上电极的部位对上电极和压电片进行二次切割；7)将第一柔性电路板粘贴在压电片上。本发明方法工艺简单，操作方便，制造的探头性能良好。
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公开(公告)号：CN103193482B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310075338.9
申请日：2013-03-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: B32B7/02 , C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅厚膜的制备方法，用于在钛片上生成锆钛酸铅厚膜，该方法具体包括：在高压釜内胆中配置前驱溶液；将钛片垂直浸入前驱溶液中，并将高压釜放入磁力搅拌器中进行磁力搅拌；最后，取出钛片，即可实现在钛片上反应生成锆钛酸铅（PZT）厚膜。本发明还公开了一种利用上述方法制备的锆钛酸铅厚膜。本发明的制备过程在液相中一次完成，不需要后期热处理，避免了温度过高导致基板与厚膜之间成分互扩散，而且膜的厚度可以通过重复结晶过程的次数来控制，简单可行，另外所制备的膜不受衬底的尺寸和形状控制，PZT厚膜可以制备在三维结构的表面，而且制备的PZT厚膜表面均匀，成分在准同型相界附近。
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公开(公告)号：CN103536317A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310435989.4
申请日：2013-09-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61B8/00
Abstract: 本发明公开了一种三维超声成像面阵探头接线方法及三维超声成像装置。针对三维超声成像面阵探头接线次品率高、接线不牢固的问题，本发明首先在三维超声成像面阵探头须要接线处钻接线孔，然后将信号线导电部分插入到接线孔中，接下来将导电胶注入到经上述步骤处理的接线孔中，最后等待导电胶凝固完成接线。采用本发明提供的接线方法接线的三维超声成像面阵探头与相应的转换电路、计算机相连，构成三维超声成像装置。本发明所提供的三维超声成像面阵探头接线方法及三维超声成像装置，信号线连接牢固，传导性能好，能匹配机械切割加工精度，生产时次品率低，适用于微米级三维超声成像面阵探头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115754839A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211474696.2
申请日：2022-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种基于声波驱动铁磁共振作用的矢量磁传感器，包括处理部件和两组叉指换能部件，每组叉指换能部件均包括输入叉指换能器和输出叉指换能器，每组叉指换能部件中的输入和输出叉指换能器之间均设有一定的空间距离形成延迟线结构，两个延迟线结构交叉相同且呈45°夹角设置，且两个延迟线结构的空间距离内生长有由铁磁材料制成的磁性薄膜，两个延迟线结构所传感的外磁场方向均与该延迟线结构中声波传播方向呈﹣45°。处理部件则通过对两组叉指换能部件中的输入输出叉指换能器的电信号进行采集分析，得到各延迟线结构分别所测量到的磁场大小，然后利用矢量合成得到外磁场的大小和方向。本发明可对外界磁场的方向和大小进行同时探测。
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公开(公告)号：CN106871934A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710187438.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 华中科技大学 , 中国人民解放军火箭军指挥学院
Abstract: 本发明公开了一种拓宽磁电传感器响应频率范围的方法，包括如下步骤：首先，根据磁电传感器在不同频率相同幅值的交变磁场激励下的输出信号获得幅频数据，根据谐振频率下的磁电系数与在不同频率下的磁电系数中获得在不同频率下的补偿系数；根据磁电传感器在被测信号激励下输出信号获得被测信号的响应频域数据；然后，对被测信号的响应频域数据与不同频率下的补偿系数进行相乘处理获得被测信号补偿后响应频域数据；最后，对被测信号补偿后响应幅频域据进行逆傅里叶变换获得被测信号补偿后时域数据。本发明从方法的角度实现对磁电传感器输出信号的补偿，实现简单且成本低，能够快速调整该方法适用于不同类型的磁电传感器时，可以降低产品开发周期。
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公开(公告)号：CN106093882A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610390227.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G01S7/285 , G01S13/9023
Abstract: 本发明公开一种环状基于正三角栅格的综合孔径辐射计天线阵列排布方法：首先，对待放置天线阵列的平面进行正三角形栅格化，获得多个正三角形栅格；然后，选择任意一个正三角形栅格中的任意一个顶点为圆心O，根据待放置的天线单元个数n和圆的半径r0获得半径r1和r2；接着，以圆心O为圆心，分别以r1和r2为半径获得两个同心圆；接着，设置在所述两同心圆所夹的范围内且在正三角形栅格顶点处的位置为待放置天线单元的候选位置，通过优化目标函数从所述候选位置中获得n个位置作为放置天线单元的位置；最后，将天线单元设置在所述位置后形成所需的天线阵列。本发明可获取规则的空间频率域采样，更利于降低反演算法的计算复杂度及反演图像质量的提高。
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公开(公告)号：CN104550399A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410809065.0
申请日：2014-12-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D22/20
Abstract: 本发明公开了一种声学镊子压力聚焦球面的成形装置，包括下座，下座向上安装有多根导柱，有上座活动穿装在该多根导柱上，每根导柱上均螺纹连接有旋钮，下座向上安装有导向座，所述导向座内设置有用于套装超声换能器的外壳的定位圆通孔，所述定位圆通孔内套装有限位片，限位片上设置有限位圆通孔，限位圆通孔处放置有压力球，上座的底端向下安装有压力座，压力座的底端设置有球形槽。本成形装置结构简单，容易在超声换能器的压电片上形成聚焦球面，形成的聚焦球面容易使超声换能器实现准确的压力聚焦。
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公开(公告)号：CN113589205A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110854339.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。
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