公开(公告)号：CN103193482B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310075338.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱本鹏 ,  许炯 ,  郭万克 ,  张悦 ,  陈实 ,  杨晓非

IPC: B32B7/02 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅厚膜的制备方法，用于在钛片上生成锆钛酸铅厚膜，该方法具体包括：在高压釜内胆中配置前驱溶液；将钛片垂直浸入前驱溶液中，并将高压釜放入磁力搅拌器中进行磁力搅拌；最后，取出钛片，即可实现在钛片上反应生成锆钛酸铅（PZT）厚膜。本发明还公开了一种利用上述方法制备的锆钛酸铅厚膜。本发明的制备过程在液相中一次完成，不需要后期热处理，避免了温度过高导致基板与厚膜之间成分互扩散，而且膜的厚度可以通过重复结晶过程的次数来控制，简单可行，另外所制备的膜不受衬底的尺寸和形状控制，PZT厚膜可以制备在三维结构的表面，而且制备的PZT厚膜表面均匀，成分在准同型相界附近。

公开(公告)号：CN105591020A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610126990.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱本鹏 ,  许炯 ,  杨晓非 ,  陈实 ,  张悦 ,  欧阳君

IPC: H01L41/04 ,  H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/04 ,  H01L41/047 ,  H01L41/081 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明公开了一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制备方法，所述高频超声换能器包括曲面衬底，所述曲面衬底的上表面为弧度60°～180°的环形，所述曲面衬底的上表面的全部或部分区域覆盖有曲面聚焦阵列，所述曲面聚焦阵列的底部为高度4μm～20μm的底电极，所述底电极之上设置有16个～256个平行设置的弧形阵元，所述弧形阵元的底部为高度7μm～100μm的铌镁酸铅钛酸铅厚膜，顶部为高度100nm～300nm的金电极，且所述弧形阵元的圆心位于所述曲面衬底上表面的中心轴上。通过本发明，从而制备了一种具有铌镁酸铅钛酸铅曲面厚膜聚焦阵列的超声换能器，在高分辨率的高频超声换能器中具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105591020B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610126990.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱本鹏 ,  许炯 ,  杨晓非 ,  陈实 ,  张悦 ,  欧阳君

IPC: H01L41/04 ,  H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明公开了一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制备方法，所述高频超声换能器包括曲面衬底，所述曲面衬底的上表面为弧度60°～180°的环形，所述曲面衬底的上表面的全部或部分区域覆盖有曲面聚焦阵列，所述曲面聚焦阵列的底部为高度4μm～20μm的底电极，所述底电极之上设置有16个～256个平行设置的弧形阵元，所述弧形阵元的底部为高度7μm～100μm的铌镁酸铅钛酸铅厚膜，顶部为高度100nm～300nm的金电极，且所述弧形阵元的圆心位于所述曲面衬底上表面的中心轴上。通过本发明，从而制备了一种具有铌镁酸铅钛酸铅曲面厚膜聚焦阵列的超声换能器，在高分辨率的高频超声换能器中具有良好的应用前景。