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公开(公告)号：CN105356876A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510782644.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的逻辑门电路；非门电路包括第一多路选择器、第二多路选择器、第一电阻、第一忆阻器和第一接地开关；第二多路选择器的一路作为非门输入端；第一电阻一端作为非门输出端。与非门电路包括第三、第四、第五多路选择器、第二电阻、第二忆阻器、第三忆阻器、第二接地开关和第三接地开关；第四多路选择器的一路作为与非门第一输入端；第五多路选择器的一路作为与非门第二输入端。第二电阻一端作为与非门输出端。或非门电路包括第六、第七、第八多路选择器、第三电阻、第四忆阻器、第五忆阻器；第七多路选择器的一路作为或非门第一输入端；第八多路选择器的一路作为或非门的第二输入端；第三电阻一端作为或非门输出端。
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公开(公告)号：CN108962316A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810661457.5
申请日：2018-06-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G11C16/0483
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器和CMOS晶体管的内容可寻址存储单元、读写操作及其数据搜索匹配方法；基于忆阻器和CMOS晶体管的内容可寻址存储单元利用忆阻器的阻变特性和非易失性，由两个忆阻器和两个晶体管以特殊的连接方式构成。内容可寻址单元继承了忆阻器体积小、功耗低、可拓展性强的优点。相较于传统内容可寻址存储单元，内容可寻址存储单元提供了更大的存储空间，实现了更简单的读写操作和数据搜索匹配操作，为内容可寻址存储器设计提供了一种新的思路。内容可寻址存储单元由晶体管和忆阻器共同构成。读写操作以及数据搜索匹配操作通过在单元的输入输出线施加不同的操作电压来实现，读写操作简单，所需步骤少。
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公开(公告)号：CN108920788A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810633951.0
申请日：2018-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻非实质蕴涵的编码和译码交叉阵列电路，其利用非实质蕴涵“非-与”式特点结合编码和译码逻辑表达式，通过几步非实质蕴涵操作，从而可在输出单元上检测到编码或译码结果。本发明是纯忆阻实现方式，不再借助MOS管，电路整体结构更加简单，功耗更低，体积更小；并且忆阻器具有良好的非易失性，能将存储和运算相结合，有望突破传统冯.诺依曼体系架构的瓶颈。同时由于非实质蕴涵能够级联操作，从而可将该编码和译码逻辑功能扩展至交叉阵列中，使得大规模编码和译码操作成为可能，实际生产过程中的操作效率大幅度提升，提高了操作的灵活性，同时所需的芯片体积相较于传统结构要小很多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108712621A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810714431.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻和CMOS的运动目标检测电路，包括：依次连接的相邻帧差异比较模块和信号处理模块；相邻帧差异比较模块接收外部的视频数据，用于实现对相邻两帧图像之间的各像素点上高4位数值的差异比较；信号处理模块用于对相邻帧差异比较模块输出的差异比较结果依次进行电流电压信号转换、加权求和和阈值比较后获得对应于各像素点的二值输出，从而生成用于描述运动目标轮廓的黑白图像。本发明通过忆阻和CMOS的混合结构阵列对来自图像传感器的信号进行差异比较，具有结构简单、体积小、可扩展性强、功耗低的优点，能够在硬件电路上完成对运动目标的轮廓检测，能够分担计算机的数据处理压力，为实现更高阶图像处理任务奠定基础。
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公开(公告)号：CN103364612A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310282661.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 一种双霍尔元件电流传感器，属于电流传感装置，解决现有双霍尔元件电流传感器的铁心中气隙较大，导致漏磁较多、测量精度较低的问题，同时，减少外界噪声、磁场和静电等干扰，用于测量交流电流或者直流电流。本发明包括绝缘外壳、开口环状铁芯和两个霍尔元件，开口环状铁芯位于绝缘外壳的环形腔体内，两个霍尔元件位于开口环状铁芯的同一气隙中与磁力线垂直的同一截面内；所述绝缘外壳上设有接线端子，所述两个霍尔元件分别与接线端子电气连接；所述绝缘外壳和开口环状铁芯之间设置有磁屏蔽环。本发明中两个霍尔元件的放置方式减少了开口环状铁芯的漏磁量，相应提高测量精度；所设置的磁屏蔽环，可有效屏蔽周边电磁场的干扰。
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公开(公告)号：CN102901445A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210366219.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 华中科技大学 , 武汉飞恩微电子有限公司
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/55 , G01N21/95 , G01N25/72 , G01N2201/0636 , G01N2201/0638 , G01N2201/10 , G01N2201/102
Abstract: 本发明公开了一种基于光热成像的微电子封装工艺质量检测装置，包括图像获取装置、工作台、控制装置及数据处理装置；其中图像获取装置包括支架横梁、平动电机、成像探头、光发射器；平动电机固定于横梁的下侧面，成像探头垂直固定于平动电机中的移动块；光发射器通过可调连接件连接至所述移动块，通过调节可调连接件使其发射的光经试样反射后进入成像探头；数据处理装置用于对所述图像获取装置获取的光图像和热图像数据进行处理后获得相关系数和均方差统计系数，并将所述相关系数和均方差统计系数与预设的阈值进行比较，根据比较结果获得工艺质量评估。本发明可以实现残渣颗粒和空洞识别、材质识别及微孔深度测量，检测评估更可靠。
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公开(公告)号：CN203350335U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320400823.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 一种双霍尔元件电流传感器，属于电流传感装置，解决现有双霍尔元件电流传感器的铁心中气隙较大，导致漏磁较多、测量精度较低的问题，同时，减少外界噪声、磁场和静电等干扰，用于测量交流电流或者直流电流。本实用新型包括绝缘外壳、开口环状铁芯和两个霍尔元件，开口环状铁芯位于绝缘外壳的环形腔体内，两个霍尔元件位于开口环状铁芯的同一气隙中与磁力线垂直的同一截面内；所述绝缘外壳上设有接线端子，所述两个霍尔元件分别与接线端子电气连接；所述绝缘外壳和开口环状铁芯之间设置有磁屏蔽环。本实用新型中两个霍尔元件的放置方式减少了开口环状铁芯的漏磁量，相应提高测量精度；所设置的磁屏蔽环，可有效屏蔽周边电磁场的干扰。
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公开(公告)号：CN202948904U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220499080.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 华中科技大学 , 武汉飞恩微电子有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于光热成像的图像获取装置，包括支架横梁、平动电机、成像探头、光发射器；平动电机固定于横梁的下侧面，成像探头垂直固定于平动电机中的移动块；光发射器通过可调连接件连接至所述移动块，通过调节可调连接件使其发射的光经试样反射后进入成像探头；平动电机中的移动块用于拖动光发射器和成像探头在试样的正上方做径向运动；光发射器用于发射光至试样的上表面；所述成像探头用于对试样上表面的反射光进行成像。本实用新型可以实现残渣颗粒和空洞识别、材质识别及微孔深度测量，检测评估更可靠。
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