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公开(公告)号：CN100503515C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710052746.7
申请日：2007-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/632
Abstract: 本发明公开了一种制备功能陶瓷材料的方法，包括：①配置好含有有机单体、交联剂、引发剂、分散剂和陶瓷粉料的悬浮液；②加入催化剂，将浆料注入到环状金属模具中原位固化，即得到大尺寸陶瓷的湿坯；③将坯体脱模后，放入网状夹具中，再将夹具放入恒温恒湿箱中干燥，若干天后放入烘箱中干燥；④将干燥好的坯体在一定升温制度下排胶，并在高温烧结成瓷。本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅—锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅—锑锰酸铅—锆钛酸铅系热释电陶瓷。
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公开(公告)号：CN101260217A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810047179.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P20/125
Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。
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公开(公告)号：CN101217180A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810046660.8
申请日：2008-01-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法，包括：①固相法制备无铅压电陶瓷粉体；②将粘合剂按质量比为3∶100～9∶100溶解到松油醇中得到有机混合物；③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比15∶10～90∶10混合，加入分散剂，增塑剂混合碾磨后再球磨，得到待印刷浆料；④将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复得到所需厚度的厚膜素坯；⑤将素坯在1050～1300℃下烧结，保温15～45分钟即可。本发明工艺简单，环保，成膜效率高，可重复性好，成膜较致密，电性能优异，厚度可在10～100μm内随意控制，可无需光刻工艺得到各种印刷厚膜图形，与MEMS技术兼容，适合于制备压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器。
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公开(公告)号：CN100361933C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610019451.5
申请日：2006-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/624 , C04B33/28
Abstract: 本发明公开了一种热释电陶瓷材料的制备方法，包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合，再进行球磨，烘干，过筛，预烧，球磨，烘干和过筛制备成粉料；②将硅酸乙脂溶于去离子水和酒精的混合液中，再加入盐酸，混合搅拌，制备成水解液；③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料；④将浆料通过真空除泡，在模具内浇注；调节pH值，再将浆料快速凝固，干燥形成坯体；⑤将坯体进行高温烧结，烧结温度为1100～1200℃，保温制得所需的热释电陶瓷材料。采用本发明方法所制备的陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值，其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。
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公开(公告)号：CN1884194A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610019451.5
申请日：2006-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/624 , C04B33/28
Abstract: 本发明公开了一种热释电陶瓷材料，结构式为Pb1－x－yLaxCayTi1－x/4O3，x，y＝0.1－0.2。上述材料的凝胶注模成型方法，包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合，再进行球磨，烘干，过筛，预烧，球磨，烘干和过筛制备成粉料；②将硅酸乙酯溶于去离子水和酒精的混合液中，再加入盐酸，混合搅拌，制备成水解液；③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料；④将浆料通过真空除泡，在模具内浇注；调节pH值，再将浆料快速凝固，干燥形成坯体；⑤将坯体进行高温烧结，烧结温度为1100～1200℃，保温制得所需的热释电陶瓷材料。本发明陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值，其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1632926A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410061402.9
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L31/18 , G01J5/10 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本发明加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。应用该装置，能有效地保护硅基片正面图形，使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行，提高器件的质量及成品率。
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公开(公告)号：CN105330287B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510736091.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中，Ba和Sr的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将BST陶瓷纳米线阵列用作电卡材料，通过将BST陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡材料的制备。
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公开(公告)号：CN104485177A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410733580.5
申请日：2014-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法，该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上，再将纳米石墨粉按0.005～0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦，使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道，得到柔性、透明的导电膜。本发明具有工艺周期短，实施便捷的特点。产品与目前市场上的透明导电ITO玻璃相比，表现出良好的柔韧性以及较低的成本。
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公开(公告)号：CN101260217B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810047179.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P20/125
Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。
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公开(公告)号：CN101333109A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810048368.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn0.33Nb0.67)0.5(Mn0.33Sb0.67)0.5]0.08(ZrxTi1－x)0.92O3，其中，x表示Zr与Ti之间的摩尔分数比，0.80≤x≤0.98，在x的取值范围内选取二个不同的值，将PbO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3粉体和Mn(NO3)2按各自化学式中的化学计量比进行混合，得到二种混合物；②将二种混合物分别在800～900℃保温4～6小时，得到预烧粉体；③将上述预烧粉体作为基料，按质量比1∶2～2∶1进行混合，将粉体成型后，在1250～1300℃保温2～3h进行烧结；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、上电极和烧电极；⑤将烧电极后的材料进行极化，然后保压冷却到室温。本发明制备的混合PMN－PMS－PZT热释电陶瓷在较宽的温度范围内具有较高的热释电系数，良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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