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公开(公告)号：CN117470372A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311339022.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明涉及光谱分析技术领域，具体涉及一种基于光电二极管阵列的光谱仪及其制备和测试方法。所述一种基于光电二极管阵列的光谱仪，包括：阵列分布的光电二极管，不同光电二极管具有不同的光谱响应特征曲线。基于本发明提供一种基于光电二极管阵列的光谱仪，使光电二极管阵列中不同光电二极管具备不同的光谱响应特征曲线，实现对光谱较宽波段的全面响应，从而达成缩减光谱仪体积大小、扩展光谱仪的应用场景的目的。
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公开(公告)号：CN111348675A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010114200.5
申请日：2020-02-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于全无机金属卤化物纳米晶应用技术领域，公开了一种无自吸收纳米晶作为闪烁体的应用及其制备方法，该纳米晶的化学通式为Cs3Cu2X5，其中X选自Cl、Br、I。该闪烁体的制备方法是将Cs3Cu2X5纳米晶的有机溶液涂到玻璃片上，在空气中将有机溶剂自然挥发干形成的Cs3Cu2X5纳米晶薄膜即可用作闪烁体。本发明通过制备Cs3Cu2X5纳米晶薄膜作为闪烁体应用于X射线成像，展现出高效的闪烁性能，同时将Cs3Cu2I5纳米晶闪烁体用于X射线成像展现出很高的分辨率高达0.32mm。本发明制备过程简单，易于实现，成本低，在医疗诊断、国防工业和制造业中具有重要的应用价值和重大前景。同时还能够解决传统含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN117470370A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311344753.X
申请日：2023-10-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及高光谱成像技术领域，具体涉及一种滤光编码元件及其高光谱成像芯片和成像方法，所述滤光编码元件包括：X×Y组滤光单元，任一滤光单元具备过滤相同预设光谱滤光波段的能力；所述滤光单元包括a×b组滤光点，不同滤光点具有差异设置的吸收截止波长，用于实现对预设光谱滤光波段的覆盖。本发明基于滤光编码元件和高光谱成像方法获取的高光谱成像芯片，具有成像速度快、体积小、便于携带，适用性广、性能好等优点。
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公开(公告)号：CN118915219A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410910781.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B5/20 , G01N21/31 , G01N21/359 , G01N21/59 , C23C14/35 , C23C14/30 , C23C14/58 , C23C14/06 , C23C14/08
Abstract: 本申请涉及光谱分析的技术领域，具体涉及一种相变滤光阵列及其制备方法、计算光谱仪，计算光谱仪包括相变滤光阵列；相变滤光阵列包括多个阵列设置的滤光片，每一滤光片包括透明衬底；n组交替沉积的相变层和介质层，位于端部的相变层沉积于所述透明衬底上；角度反射抑制层，其沉积于位于端部的介质层上。本申请具有低难度制造与计算光谱仪匹配适用的滤光阵列，且提高滤光阵列光谱透射率的连续性的效果，进一步结合图像传感器及光谱重建算法，实现基于相变的计算光谱仪，以解决传统计算光谱仪在工作波长范围内得到的滤光像素数量有限的问题，提高其性能。
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公开(公告)号：CN106753357B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201611050553.3
申请日：2016-11-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)将铅的卤族化合物与油胺混合形成混合物；接着，在惰性气氛下，将该混合物加热至80℃～150℃，并保温得到铅的卤化物的油胺溶液；(2)将预先制备好的ZnS纳米棒溶液在注入到铅的卤化物的油胺溶液中，在80℃～190℃的温度下进行反应，即得到包括PbS量子点在内的反应产物。本发明通过对关键的制备方法原理、以及各步反应的反应条件等进行改进，与现有技术相比能够有效解决PbS量子点制备方法复杂、成本高的问题，并且本发明制备得到的纳米颗粒具有高度结晶性、尺寸均匀性、稳定性、良好的光学特性等特点，非常利于发挥PbS量子点的各种特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102719240A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210170993.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种水溶性量子点的制备方法，其步骤为：①将金属盐、水溶性硫醇（硫代甘油或巯基丙酸）与DMF混合，金属盐在混合物中的浓度为0.005～0.3mol/L，硫醇与金属盐的摩尔比大于1:1，在惰性气氛下加热至80～150℃；②将H2S气体通入金属盐的DMF溶液中，H2S的量使得S与金属盐满足化学计量比；③反应完成后，将反应产物温度降至室温；④进行离心沉淀，得到水溶性量子点。本发明简单而经济，制备的纳米晶具有高度结晶性、尺寸均匀性、良好的光学特性等特点。
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公开(公告)号：CN100376473C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610124483.1
申请日：2006-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na2SeSO3溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se2-源，采用单一水合肼或水合肼与氨水、三乙醇胺的一种或多种混合作络合剂形成化学浴前驱体溶液，以化学浴法制备ZnSe纳米光电薄膜材料。和其它II-VI族半导体相比，ZnSe的溶度积常数相对较高，溶液中阴阳离子浓度之积超过其离子积常数时很容易发生同相沉积而形成粉末状块材，因此工艺的控制相当重要。本发明在ZnSe半导体薄膜合成过程中废液对环境的污染很小，是一种“绿色”的制备方法，所制备的ZnSe多晶纳米薄膜具有结晶性好，表面均匀而有光泽，可见光范围内透射率高，光学特性好等特点。
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公开(公告)号：CN118274962A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410272373.8
申请日：2024-03-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种可见‑近红外宽波段计算光谱仪，所述光谱仪包括层叠设置的量子点滤光片和量子点图像传感器。本发明通过采用量子点滤光片与量子点图像传感芯片，通过将两者直接叠加并联合使用，同时实现对从可见到近红外光谱信号的光谱编码与信号探测；该计算光谱仪的结构简单，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN102719240B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210170993.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种水溶性量子点的制备方法，其步骤为：①将金属盐、水溶性硫醇（硫代甘油或巯基丙酸）与DMF混合，金属盐在混合物中的浓度为0.005～0.3mol/L，硫醇与金属盐的摩尔比大于1:1，在惰性气氛下加热至80～150℃；②将H2S气体通入金属盐的DMF溶液中，H2S的量使得S与金属盐满足化学计量比；③反应完成后，将反应产物温度降至室温；④进行离心沉淀，得到水溶性量子点。本发明简单而经济，制备的纳米晶具有高度结晶性、尺寸均匀性、良好的光学特性等特点。
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公开(公告)号：CN101475141A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910060547.X
申请日：2009-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种InAs纳米晶的制备方法，其步骤为：①将In的羧酸盐或InCl3与高级脂肪酸摩尔比为1∶1～3∶1的混合物，Zn的羧酸盐与十八烯混合，在惰性气氛下加热至190～250℃，形成无色透明的In－ODE复合物，In的浓度为0.003～0.2mol/L，Zn与In的摩尔比为1∶20～3∶1；②将AsH3用10～15分钟的时间通入In－ODE复合物，在开始通气2～10分钟后，往反应混合物中再次注入十八烯，注射量为初始十八烯体积的1/10～1倍；③20～120分钟后，将混合物温度降至30～60℃；④往反应产物中加入极性小于等于3德拜的有机溶剂和极性大于3德拜的有机溶剂，然后离心沉淀，得到纯净的InAs纳米晶，它可溶于普通的极性较小的有机溶剂，如甲苯、氯仿、正己烷等等。本发明简单而经济，制备的纳米晶具有高度结晶性，尺寸均匀性，良好的光学特性等特点。
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