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公开(公告)号:CN100376473C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200610124483.1
申请日:2006-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源,自制Na2SeSO3溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se2-源,采用单一水合肼或水合肼与氨水、三乙醇胺的一种或多种混合作络合剂形成化学浴前驱体溶液,以化学浴法制备ZnSe纳米光电薄膜材料。和其它II-VI族半导体相比,ZnSe的溶度积常数相对较高,溶液中阴阳离子浓度之积超过其离子积常数时很容易发生同相沉积而形成粉末状块材,因此工艺的控制相当重要。本发明在ZnSe半导体薄膜合成过程中废液对环境的污染很小,是一种“绿色”的制备方法,所制备的ZnSe多晶纳米薄膜具有结晶性好,表面均匀而有光泽,可见光范围内透射率高,光学特性好等特点。
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公开(公告)号:CN118443002A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410397615.6
申请日:2024-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种融合柱状物特征的激光惯性位姿估计方法和系统,其中方法包括:从激光雷达采集的点云中提取边缘和平面特征点,构建激光点云几何残差,求取初始激光里程计位姿;从激光雷达采集的点云中提取柱状物特征点云,滤除异常点云,将最终的柱状物特征点云投影至二维平面,进行圆拟合,将圆心作为柱状特征二维几何中心,构建柱状特征二维几何中心残差,对初始激光里程计位姿进行优化,得到激光里程计位姿;将当前关键帧与上一关键帧的激光里程计位姿之间的相对位姿变换作为激光里程计约束,将激光里程计约束、IMU预积分约束、回环约束作为约束项,对因子图进行优化,得到最优位姿。本发明结合场景中的物体信息,提高定位精度和鲁棒性。
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公开(公告)号:CN1915803A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200610124483.1
申请日:2006-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源,自制Na2SeSO3溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se2-源,采用单一水合阱或水合肼与氨水、三乙醇胺的一种或多种混合作络合剂形成化学浴前驱体溶液,以化学浴法制备ZnSe纳米光电薄膜材料。和其它II-VI族半导体相比,ZnSe的溶度积常数相对较高,溶液中阴阳离子浓度之积超过其离子积常数时很容易发生同相沉积而形成粉末状块材,因此工艺的控制相当重要。本发明在ZnSe半导体薄膜合成过程中废液对环境的污染很小,是一种“绿色”的制备方法,所制备的ZnSe多晶纳米薄膜具有结晶性好,表面均匀而有光泽,可见光范围内透射率高,光学特性好等特点。
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