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公开(公告)号：CN118249946B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410671704.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02
Abstract: 本发明公开了一种基于级联微环调制器的波长锁定系统及波长锁定方法，属于光电子器件技术领域。用于精确控制波分复用系统中的多个微环的谐振波长与激光的相对位置。它包括：WDM光源、级联微环调制器、直通端光功率探测器阵列、微环环内光功率探测器阵列。本发明通过位于波长选择性端和非波长选择性端的等效3个PD协同锁定微环工作点，具有免疫激光光源功率波动、可稳定激光光源波长漂移、补偿微环工艺误差和自热效应、低能耗易实现的良好特性。
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公开(公告)号：CN118244419B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410671888.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于沉积硅的垂直耦合波导及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：SOI衬底，其上定义了光波导；硅波导倏逝波耦合结构，其与待测光学器件一同制作于SOI衬底上；二氧化硅衬底，其沉积于SOI衬底之上，且其上刻蚀有凹槽；水平波导，其沉积于凹槽底部，沿水平方向延伸，且与硅波导倏逝波耦合结构相匹配；以及垂直波导，其与水平波导中光耦合出的一端相接，且沿凹槽的侧壁向上延伸。工作时，待测光学器件的水平出射光经硅波导倏逝波耦合结构耦合进水平波导并在其中传播，之后继续沿垂直波导传播，实现水平方向到垂直方向的过渡。本发明提供的耦合结构耦合效率高、一致性好，为晶圆级光学器件的在片测试提供了有力的支撑。
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公开(公告)号：CN118249946A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410671704.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02
Abstract: 本发明公开了一种基于级联微环调制器的波长锁定系统及波长锁定方法，属于光电子器件技术领域。用于精确控制波分复用系统中的多个微环的谐振波长与激光的相对位置。它包括：WDM光源、级联微环调制器、直通端光功率探测器阵列、微环环内光功率探测器阵列。本发明通过位于波长选择性端和非波长选择性端的等效3个PD协同锁定微环工作点，具有免疫激光光源功率波动、可稳定激光光源波长漂移、补偿微环工艺误差和自热效应、低能耗易实现的良好特性。
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公开(公告)号：CN115061237B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210772770.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的可重构功率分支器及功率分支比调节方法，属于光子器件领域，可重构功率分支器包括：基底；位于基底上的Y分支波导，其两臂作为可重构功率分支器的输出波导；以及沉积于Y分支波导两臂上表面的相变材料序列；相变材料序列中各相变材料单元的周期满足亚波长条件，且各相变材料单元的状态独立可调；相变材料单元的状态包括晶态和非晶态。调节方法包括：调节Y分支波导两臂上表面的相变材料序列中相变材料单元的状态，以调节Y分支波导的两臂的等效折射率，直至Y分支波导两臂输出的光达到预设的功率分支比。本发明能够在保证功率分支器的功率分支比灵活可调的情况下，提高功率分支比的带宽特性。
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公开(公告)号：CN116014559A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211677304.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，属于半导体激光器领域，包括：增益区，其包括N型衬底、下包层、有源层、上包层、欧姆接触层以及电极；设置于增益区右侧的功率分支区，其包括N型衬底、下包层、波导层、上包层和欧姆接触层，用于将光等功率分为两路；分别设置于功率分支区的两个输出光路的两个弯曲波导，二者均包括N型衬底、下包层、波导层、上包层和欧姆接触层；分别设置于两个弯曲波导右侧的前光栅区和后光栅区，前、后光栅区均包括N型衬底、下包层、波导层、上包层、欧姆接触层和电极，且波导层中制作有光栅，用于产生不同的反射谱。本发明能够减小不同波长的光输出功率的波动，并在更宽的调谐范围内获得更大的输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115453776A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211048525.3
申请日：2022-08-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非易失可编程光学相移系统、相移器设计方法以及基于该相移器的光学相移方法，其中，相移器包括依次叠设于半导体基底上的下包层、光波导以及相变材料薄膜层，其中，相变材料薄膜层具n个沿波导方向并排设置的相变单元，当输入工作光波时，相移器在工作光波下非晶态与晶态消光系数差不大于0.1，n个相变单元中的第i个相变单元在完全晶态和完全非晶态间转变所引起的工作光波的相位差为2π/2i，i＝1,2,3……,n。上述相移器设置n个呈一定规律变化的相变单元，以一定的状态组合方式实现整个波导的0‑2π间以2π/2n(n为相变材料单元总数)为步进的任意总相移量，可以实现2n种相变，大大减少了相变单元的数量，简化相移器结构以及相移单元的控制系统。
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公开(公告)号：CN115061237A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210772770.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的可重构功率分支器及功率分支比调节方法，属于光子器件领域，可重构功率分支器包括：基底；位于基底上的Y分支波导，其两臂作为可重构功率分支器的输出波导；以及沉积于Y分支波导两臂上表面的相变材料序列；相变材料序列中各相变材料单元的周期满足亚波长条件，且各相变材料单元的状态独立可调；相变材料单元的状态包括晶态和非晶态。调节方法包括：调节Y分支波导两臂上表面的相变材料序列中相变材料单元的状态，以调节Y分支波导的两臂的等效折射率，直至Y分支波导两臂输出的光达到预设的功率分支比。本发明能够在保证功率分支器的功率分支比灵活可调的情况下，提高功率分支比的带宽特性。
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公开(公告)号：CN112467514B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011250138.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/06
Abstract: 本发明公开了一种宽工作温度范围的半导体器件，属于半导体器件领域，包括：器件区和应力补偿区，器件区包括有源区，有源区为多量子阱结构，器件区和应力补偿区的热膨胀系数不相等；当半导体器件的温度高于初始温度时，应力补偿区用于为器件区提供应力，以对温度升高在器件区中产生的阈值电流升高和微分增益降低进行补偿。利用器件区和应力补偿区的材料热学与力学性质差异，通过应力补偿区向器件区施加应力，补偿温度升高对器件阈值电流和微分增益的影响，使得器件可在宽温度范围内工作，且在该宽温度范围内保证恒定的阈值电流和高的调制带宽，高温条件下器件能耗较低，降低运行成本，此外，无需为器件额外设置温度补偿电路，降低器件复杂度。
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公开(公告)号：CN113612109A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110869623.2
申请日：2021-07-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种实现电光锁存功能的半导体激光器、信息加载/锁存方法，属于半导体器件领域，包括：器件区和隔离区，器件区包括第一分布反馈激光器和第二分布反馈激光器，第一分布反馈激光器和第二分布反馈激光器构成谐振腔，每个分步反馈激光器包括电极、光栅层、有源区，有源区为多量子阱结构；激光器的PI曲线显示出迟滞现象：注入电流由小到大和由大到小时光功率跳变点不一致，两个跳变点中间电流的输出光状态与之前状态有关，若减小输入信号幅值，可实现激光器输出状态的暂时锁存，即此激光器可作为电光锁存器使用，也可实现信息处理从电到光转化过程中信息的暂时缓存，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN112924416A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110100142.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量分布反馈激光器纵向光场分布的装置及其测量方法，包括由局部面发射激光器构成的激光器阵列；局部面发射激光器与待测分布反馈激光器相比，除上内包层以外，其余部分均相同；局部面发射激光器中的上内包层内刻写有选模光栅和耦合结构；且耦合结构所在的位置处的顶部不覆盖电极，耦合结构用于实现波导模式到垂直端面出射模式的耦合；各局部面发射激光器的纵向腔体的长度均与待测分布反馈激光器的纵向腔体的长度相同；各局部面发射激光器的耦合结构在其纵向方向上的分布位置不同，所有分布位置处耦合结构的长度之和大于或等于待测分布反馈激光器的纵向腔体的长度；本发明能够精确测量待测分布反馈激光器腔内的纵向光场分布。
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