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公开(公告)号：CN112467514B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011250138.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/06
Abstract: 本发明公开了一种宽工作温度范围的半导体器件，属于半导体器件领域，包括：器件区和应力补偿区，器件区包括有源区，有源区为多量子阱结构，器件区和应力补偿区的热膨胀系数不相等；当半导体器件的温度高于初始温度时，应力补偿区用于为器件区提供应力，以对温度升高在器件区中产生的阈值电流升高和微分增益降低进行补偿。利用器件区和应力补偿区的材料热学与力学性质差异，通过应力补偿区向器件区施加应力，补偿温度升高对器件阈值电流和微分增益的影响，使得器件可在宽温度范围内工作，且在该宽温度范围内保证恒定的阈值电流和高的调制带宽，高温条件下器件能耗较低，降低运行成本，此外，无需为器件额外设置温度补偿电路，降低器件复杂度。
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公开(公告)号：CN115275773B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210630061.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单纵模可调谐FP激光器及控制方法，属于半导体器件领域。激光器自下至上依次包括：n面电极、衬底、n型下包层、下限制层、多量子阱结构有源区、上限制层及p型上包层，还包括两个相互耦合的谐振腔及两个p面电极，所述两个相互耦合的谐振腔设在所述p型上包层上，所述两个p面电极分别对应的布置在两个谐振腔上，其中一个p面电极用于注入第一电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的增益系数，另一个p面电极用于注入第二电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的损耗系数。通过控制两个谐振腔内增益最高的纵模对应的增益系数及损耗系数，无需刻蚀光栅，即可实现FP激光器的单纵模激射。
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公开(公告)号：CN112467514A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011250138.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/06
Abstract: 本发明公开了一种宽工作温度范围的半导体器件，属于半导体器件领域，包括：器件区和应力补偿区，器件区包括有源区，有源区为多量子阱结构，器件区和应力补偿区的热膨胀系数不相等；当半导体器件的温度高于初始温度时，应力补偿区用于为器件区提供应力，以对温度升高在器件区中产生的阈值电流升高和微分增益降低进行补偿。利用器件区和应力补偿区的材料热学与力学性质差异，通过应力补偿区向器件区施加应力，补偿温度升高对器件阈值电流和微分增益的影响，使得器件可在宽温度范围内工作，且在该宽温度范围内保证恒定的阈值电流和高的调制带宽，高温条件下器件能耗较低，降低运行成本，此外，无需为器件额外设置温度补偿电路，降低器件复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937620B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202111024380.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法，该激光器包括N面电极、N型衬底、下限制层、多量子阱有源区、上限制层、P型上包层、P型波导层和P面电极，P型波导层包括呈轴对称的第一脊波导阵列和第二脊波导阵列，第一脊波导阵列为增益波导阵列且具有增益系数γa，第二脊波导阵列为损耗波导阵列且具有损耗系数γb，第一脊波导阵列和第二脊波导阵列相互耦合，且具有基模耦合系数κ0和一阶模耦合系数κ1，第一脊波导的增益系数γa和第二脊波导的损耗系数γb独立可调且满足κ0
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公开(公告)号：CN115275773A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210630061.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单纵模可调谐FP激光器及控制方法，属于半导体器件领域。激光器自下至上依次包括：n面电极、衬底、n型下包层、下限制层、多量子阱结构有源区、上限制层及p型上包层，还包括两个相互耦合的谐振腔及两个p面电极，所述两个相互耦合的谐振腔设在所述p型上包层上，所述两个p面电极分别对应的布置在两个谐振腔上，其中一个p面电极用于注入第一电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的增益系数，另一个p面电极用于注入第二电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的损耗系数。通过控制两个谐振腔内增益最高的纵模对应的增益系数及损耗系数，无需刻蚀光栅，即可实现FP激光器的单纵模激射。
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公开(公告)号：CN113937620A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111024380.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法，该激光器包括N面电极、N型衬底、下限制层、多量子阱有源区、上限制层、P型上包层、P型波导层和P面电极，P型波导层包括呈轴对称的第一脊波导阵列和第二脊波导阵列，第一脊波导阵列为增益波导阵列且具有增益系数γa，第二脊波导阵列为损耗波导阵列且具有损耗系数γb，第一脊波导阵列和第二脊波导阵列相互耦合，且具有基模耦合系数κ0和一阶模耦合系数κ1，第一脊波导的增益系数γa和第二脊波导的损耗系数γb独立可调且满足κ0
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公开(公告)号：CN111999802B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010804918.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非易失可编程的集成光子器件及其设计方法，属于光子器件领域，集成光子器件的多模波导包括N×M个可独立调节调谐状态的逻辑单元，N和M均为正整数；每个逻辑单元包括具有凹槽且材料为硅的长方体结构以及填充在凹槽中且材料为相变材料的填充结构，且每个逻辑单元为亚波长尺寸结构。通过调节每个逻辑单元的调谐状态，在亚波长尺度调控器件折射率的分布，实现不同功能的光子器件。将相变材料与类光子晶体结构相结合，利用相变材料的非易失性、可重构特性，以及利用类光子晶体结构亚波长尺度的光场调控能力，实现非易失、可编程的超小型集成光子器件，降低器件尺寸及能耗，具有更多的调谐功能，从而实现不同功能用途。
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公开(公告)号：CN111999802A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010804918.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非易失可编程的集成光子器件及其设计方法，属于光子器件领域，集成光子器件的多模波导包括N×M个可独立调节调谐状态的逻辑单元，N和M均为正整数；每个逻辑单元包括具有凹槽且材料为硅的长方体结构以及填充在凹槽中且材料为相变材料的填充结构，且每个逻辑单元为亚波长尺寸结构。通过调节每个逻辑单元的调谐状态，在亚波长尺度调控器件折射率的分布，实现不同功能的光子器件。将相变材料与类光子晶体结构相结合，利用相变材料的非易失性、可重构特性，以及利用类光子晶体结构亚波长尺度的光场调控能力，实现非易失、可编程的超小型集成光子器件，降低器件尺寸及能耗，具有更多的调谐功能，从而实现不同功能用途。
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