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公开(公告)号：CN110927168A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911170527.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于焊接与缺陷检测领域，并具体公开了一种基于红外图像的焊接与焊点缺陷检测系统及方法，包括控制箱、移动组件、夹持装置、焊接组件和红外图像检测组件，移动组件包括龙门架、两个X轴滑槽、Z1轴移动平台、Z2轴移动平台和Y轴移动平台，龙门架立柱固定在控制箱上，两个X轴滑槽分别固定在龙门架横梁两侧，Z1轴移动平台和Z2轴移动平台分别活动安装在两个X轴滑槽上，Y轴移动平台安装在控制箱上；夹持装置固定在Y轴移动平台上，焊接组件安装在Z1轴移动平台上，红外图像检测组件安装在Z2轴移动平台上。本发明实现自动焊接与焊点质量检测评估一体化，能同时识别焊点表面缺陷和内部缺陷，提高焊接与检测的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN110416333A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910625116.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1-x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。本发明的成本更低且更易得，制备工艺更简单，光吸收系数更高，载流子传输更快速，适用性较强。
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公开(公告)号：CN110148649A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910280764.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，并具体公开了一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法。该方法包括在基底上制备金属层，然后在金属层上制备绝缘层；制备连续硫化钼薄膜，并将连续硫化钼薄膜转移至绝缘层的表面；制备金属纳米方体，并在金属纳米方体的表面制备SiO2层；将含有SiO2层的金属纳米方体涂覆在连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。本发明将金属纳米方体制备于连续硫化钼薄膜的表面，使金属纳米方体与金属层相互配合，能够增强局域电磁场的强度并显著提高硫化钼薄膜的光吸收率，同时通过控制金属纳米方体的尺寸、制备材料和分布密度等参数，能够提高局域电磁场强度和光吸收率。
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公开(公告)号：CN108085652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711367562.X
申请日：2017-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性微纳结构的制造工艺领域，并公开了基于柔性基底的高耐用性超亲水集水流道结构的制备方法，包括以下步骤：1)光刻和显影；2)去残胶及活化柔性基底表面；3)镀Cu种子层：采用磁控溅射在柔性基底的上表面、负性光刻胶的上表面和侧面溅射Cu种子层；4)去除光刻胶；5)生长Cu(OH)2纳米线和CuO纳米片分层结构：将沉积有Cu种子层的柔性基底放在NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，以在Cu种子层上进行超亲水Cu(OH)2纳米线和CuO纳米片分层结构的生长，从而获得超亲水集水流道结构。本方法所制备的结构具有超亲水特性和优异的柔性耐用性，适用于干旱区域的水汽收集，有望用于沙漠中的集水装置。
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公开(公告)号：CN107729648B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710951370.7
申请日：2017-10-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于复合结构设计优化方法领域，并公开了一种基于Shepard插值的曲线纤维复合结构设计瀑布型多级优化方法，包括以下步骤：建立参数化层次；对于层次结构的每一层，在结构内部均匀布局一系列离散设计点作为设计变量，通过离散点处的纤维角度值，利用Shepard插值构建连续全局函数来表达整个设计域纤维角度；利用有限元分析建立刚度矩阵与设计变量的关系；更新设计变量达到结构柔度最小的目标；得到了较粗层使得结构柔度最小的纤维角度，进而计算出邻近较细层的设计初始值；重复以上步骤，得到曲线纤维复合结构的最优纤维角度空间连续变化布局。本优化方法在设计变量减少优化效率较高的同时，优化过程的计算成本降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109623489A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811502568.8
申请日：2018-12-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种改进的机床健康状态评定方法及数控机床，属于数控加工诊断领域。该方法包括如下步骤：(1)对出厂检验合格的机床进行目标部位的运行状态信息检测，获取机床健康状态标准数据样本；(2)对步骤(1)获取的标准数据样本的特征值做归一化处理；(3)采用支持向量数据描述法对步骤(2)获得的归一化数据进行训练，得到对比样本模型；(4)在机床运行过程中实时获取机床健康状态数据样本，并与步骤(3)获得的对比样本模型进行比对，获得机床实时健康状态。本发明受到实验采样时样本随机波动的影响小，且对实验次数的要求也大大减小，最终获得的对比样本模型具有更高的可靠性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN109507059A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811188404.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明属于湿度传感器技术领域，并具体公开了一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法，该湿度传感器采用如下步骤制备：在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。本发明具有响应快、湿滞小、灵敏度高、重复性好、性能稳定、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN107731939B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710867913.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G06F3/041 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于微钠制造相关技术领域，其公开了基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法，该方法包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶；(2)将掩膜设置在所述光刻胶上，并进行曝光处理，所述掩膜上设置有网格图形，所述网格图形呈矩形，其四个角部分别连接有大尺寸图形；(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后，再进行清洗以得到光刻胶悬浮网格；(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解，并进行剥离以得到独立的整片碳网格结构，即柔性透明碳电极。本发明通过一次曝光即可获得光刻胶悬浮网格，工艺简单，参数容易控制，成品率较高。
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公开(公告)号：CN109402580A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811208448.7
申请日：2018-10-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造技术领域，并公开了一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品。该方法包括，S1、ZnO种子层制备：在基底上沉积一层ZnO薄膜；S2、ZnO催化纳米棒的制备：在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4混合生长液中；S3、Cu种子层制备：在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层；S4、生长纳米线：将沉积有Cu种子层的基底置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，以生长超致密Cu(OH)2纳米线。本发明还公开以一种超致密Cu(OH)2纳米线。本发明制备形成的Cu(OH)2纳米线的形貌具有质量更高、更加致密、比表面积大的特性。
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公开(公告)号：CN109378384A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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