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公开(公告)号：CN118838125A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410929625.X
申请日：2024-07-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于投影光场调控相关技术领域，其公开了一种投影光场振幅与相位混合优化方法及系统，其中方法包括：根据输入光场计算实际生成投影光场；将目标投影光场的参数和实际生成投影光场的参数代入目标函数模型，判断是否满足预设阈值；所述目标函数模型包括振幅目标函数和相位目标函数，用于评价实际生成投影光场振幅和相位的精确度；若不满足目标函数模型的预设阈值，则采用梯度法对输入光场的输入振幅和输入相位进行优化更新，直至满足目标函数模型的预设阈值或者优化次数达到预设次数。本发明通过光场振幅与相位的混合优化，同时控制生成光场的振幅和相位分布，实现更高自由度的光场复振幅控制。
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公开(公告)号：CN118672073A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410871953.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请属于极紫外计算光刻领域，具体公开了一种极紫外光刻部分相干成像建模方法、装置和电子设备，该方法包括：初始化极紫外照明光源；生成多个离散光源点，并获取多个离散光源点分别对应的平面波；将极紫外掩模版的吸收体划分为多个横截面，将平面波作为第一个横截面的光场，依次计算多个横截面的光场，获得吸收体输出光场；获得多层膜反射后的输出光场；将极紫外掩模版划分为多个横截面，将多层膜反射后的输出光场作为第一个横截面的光场，依次计算多个横截面的光场，获得极紫外掩模版散射近场；基于极紫外掩模版散射近场、低通滤波、离焦量、偏振像差、倾斜因子效应和放大倍率，获得空间像，以完成极紫外光刻部分相干成像建模。
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公开(公告)号：CN118096942A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410209060.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体公开了一种晶圆检测配置参数的优化方法及装置，方法包括：将照明光瞳和收集光瞳的图形分别栅格化，得到第一二维分布矩阵和第二二维分布矩阵；基于偏振照明的方式和第一二维分布矩阵，确定照明光瞳的光源点信息；建立目标缺陷类型的无缺陷结构模型和缺陷结构模型，结合光源点信息求解照明光瞳的无缺陷近场分布集合和缺陷近场分布集合；初始化明场显微成像模型，计算无缺陷晶圆的第一空间像和缺陷晶圆的第二空间像；基于第一空间像和第二空间像，确定评价指标和评价函数；基于选定的优化对象和优化方式执行迭代优化流程，更新优化对象的变量矩阵；当更新后的评价指标满足迭代条件时，输出优化后的优化对象。
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公开(公告)号：CN117973026A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410121685.9
申请日：2024-01-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种降低内存占用的光学仿真方法、系统、设备以及存储介质。本发明将仿真参数带入修正波恩级数迭代公式；迭代过程中，将卷积对象由向量重塑为三维数组；在所述三维数组的x和y向维度上执行傅里叶变换；基于三维数组的z向维度边缘值，生成虚拟吸收边界；在三维数组的z向维度上执行傅里叶变换，随后与卷积函数相乘，之后在三维数组的z向维度上执行逆傅里叶变换；裁切虚拟吸收边界并在三维数组的x和y向维度上执行逆傅里叶变换，随后将三维数组重塑为向量；重复迭代直至终止，得到仿真数据。本发明基于修正波恩级数的光学仿真方法，减少了吸收边界在修正波恩级数方法中的内存占用，节省了计算资源。
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公开(公告)号：CN113740269B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010470128.X
申请日：2020-05-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，并公开了一种高压光谱椭偏测量装置及测量方法。该装置包括入射起偏光路、反射检偏光路和装夹单元，入射起偏光路中设置有第一微透镜，用于将直径为毫米级的平行光束汇聚成直径为微米级的光斑并照射在待测样品表面；反射检偏光路中设置有第二微透镜，用于将装夹单元中待测样品表面反射的光线准直为平行反射光；装夹单元中设置有高压加载模块，该高压加载模块中包括相对设置的金刚石压砧，测量过程中，待测样品装夹在相对设置的金刚石压砧之间，通过金刚石压砧在待测样品上施加不同的压力，改变待测样品的受力状态，以此改变反射光的偏振态信息。通过本发明，实现待测样品压强依赖性光学常数的准确获取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115356897A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210999176.7
申请日：2022-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于散射近场相关技术领域，其公开了一种三维图案化掩模或晶圆散射近场的快速计算方法，方法包括：根据待求解三维图案化掩模或晶圆的结构特征将所述三维图案化掩模或晶圆分为非均匀层和均匀层；当光路的传播顺序为先非均匀层后均匀层时，先采用势散射积分方法计算非均匀层的散射近场，然后进行坐标转换并采用传输矩阵方法计算经过均匀层后的散射近场；当光路的传播顺序为先均匀层后非均匀层时，先采用传输矩阵方法计算均匀层的散射近场，然后进行坐标转换并采用势散射积分方法计算经过均匀层后的散射近场。本申请可以实现既存在均匀层又存在非均匀层的散射近场的快速准确计算。
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公开(公告)号：CN115289988A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211004717.4
申请日：2022-08-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料测量相关技术领域，其公开了一种纳米薄膜材料厚度和密度不均匀性的测量方法，方法包括：采用穆勒矩阵椭偏仪测量对应的实际穆勒矩阵和实际退偏度；依据菲涅尔反射理论获取待测样品的幅值比和相位差并将其代入待测样品的理论穆勒矩阵；以理论穆勒矩阵和实际穆勒矩阵拟合偏差最小为目标获取各层的平均复折射率和平均层厚度；分别以平均复折射率和平均层厚度为均值预设各层的厚度和密度概率分布模型并将其加入反射光的斯托克斯向量，进而获取理论退偏度；以理论退偏度曲线和实际退偏度曲线拟合偏差最小为目标获得厚度和密度分布的不均匀性。本申请通过分析薄膜样品的退偏特性，能够准确表征纳米薄膜样品的厚度和密度不均匀性。
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公开(公告)号：CN112378859A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011067230.1
申请日：2020-10-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了石英玻璃窗偏振效应原位校准的光学常数测量方法及装置，属于偏振光学测量领域，包括：建立变温椭偏测量装置中石英玻璃窗在斜入射情况下的穆勒矩阵W和变温椭偏测量装置中高温加热腔内样品的理论穆勒矩阵MS；穆勒矩阵W中包括椭偏参数Ψ2和Δ2以及参数m13，穆勒矩阵MS中包括椭偏参数Ψ1和Δ1；根据W和MS建立变温椭偏测量装置的整体穆勒矩阵为M＝WMSW，并归一化为矩阵Mn，由此得到Ψ2、Δ2、m13、Ψ1、Δ1以及Mn中各元素之间的关系；将样品加热至不同的温度，并测量各温度下的光谱穆勒矩阵，以计算各温度下Ψ1和Δ1的光谱，并反演拟合得到样品的高温光学常数。本发明能够对石英玻璃窗的偏振效应进行原位校准，保证了样品高温光学常数的测量精度。
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公开(公告)号：CN108801930A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810536399.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨率的穆勒矩阵椭偏测量装置及测量方法。入射光路采用4个偏振调制通道将一束脉冲激光分束且调制成4束偏振态相互独立的偏振光束，利用不同光程差使得各脉冲之间产生数纳秒的时间间隔，并将此4束脉冲激光依次辐照在样品表面。反射光路采用六通道偏振检测模块同步测量样品表面的反射光束的斯托克斯向量。利用此4束脉冲的已知入射与反射斯托克斯向量，可通过解线性方程组来求取样品的穆勒矩阵。本发明的装置及方法能够将穆勒矩阵的分辨率提高至脉冲光源的一个重复周期内，根据设定的脉冲光源的脉冲周期，穆勒矩阵的时间分辨率可以提高至数十纳秒级，能够广泛应用于光全息聚合物、有序材料等复杂纳米结构的原位动态测量。
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公开(公告)号：CN108061709A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711323981.3
申请日：2017-12-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于材料冲击动力学参数测量领域，并公开了一种透明材料冲击动力学参数获取方法。该方法包括：(a)建立了平稳冲击波加载下透明薄膜样品的双层薄膜分层模型(b)利用第一性原理，证明了P偏振光以布儒斯特角入射样品时，反射光相位对时间导数的波形呈周期性震荡特性，推导出了震荡特性与冲击动力学参数之间的表达式；(c)采用泵浦探测测试系统测量待测样品的实际震荡周期、实际幅值、和实际震荡偏离值；(d)将获得的测量实际值带入获得的表达式中进而获得实际冲击动力学参数。通过本发明，实现了双层薄膜模型中，使用公式直接提取透明材料冲击动力学参数，该方法使用的测量光路简单，易于实施，数据易于处理。
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