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公开(公告)号：CN119024612A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310616292.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电致可重构的反射式超表面开关器件，包括多个呈水平行列周期性排列的像素单元，单个像素单元最小周期为2×2，该周期内部由RGGB四个子像素单元组成，各子像素单元均包括设置在衬底上方的功能层，功能层由半径大小不同的两对圆柱组成，圆柱的结构为三明治结构或两层层叠结构；通过调节大小圆柱的半径、圆柱结构中各层的厚度及超表面开关器件的周期可实现可见光波段稳定色彩的显示，通过调控相变材料层的相变状态，可改变超表面开关器件的反射率，实现原位色彩亮度的调节。本发明在提升刷新速率的同时，还能有效提升光学效果及刷新寿命。
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公开(公告)号：CN118818811A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310420246.3
申请日：2023-04-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电致可重构的超表面及其制备方法，该超表面包括电压源和多个亚波长单元，亚波长单元包括衬底、介质层、纳米金属光栅、填充在纳米金属光栅间隙间的相变材料层、抗氧化层；通过调节纳米金属光栅和相变材料层的结构参数以及抗氧化层的厚度，可调制出可见光谱范围内的不同结构色，纳米金属光栅的结构参数包括光栅的厚度、周期和占空比，占空比为一个周期内光栅的宽度与周期的比值，宽度小于外部入射光波长；相变材料层包括非晶态和晶态两种相态，相变材料层的相态转变通过调整与介质层相连的电压源产生的脉冲宽度和电压幅值实现，用于实现色彩的灰度调制。本发明不仅可以调节出稳定的结构色，而且还能快速有效地调节色彩的灰度。
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公开(公告)号：CN118298896A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410436280.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种相变存储器的功耗计算方法，包括如下步骤：通过初始化使相变存储器的初始阻值置于低阻态，并获得相变存储器的初始阻值；对相变存储器进行不同脉冲参数的复位操作，在每次有效复位操作结束后获取相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，并在每次有效复位操作结束后对相变存储器进行置位操作将其状态重置为低阻态；将初始阻值和每次有效复位操作结束后获取的相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，使用预先建立的功耗计算模型，计算得到相变存储器在每次有效复位操作后的功耗；功耗计算模型考虑到相变存储器熔融状态电阻值的变化，包括相变熔融过程功耗和熔融状态功耗。本申请能快速准确地计算相变存储器的功耗。
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公开(公告)号：CN117253533A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311316190.3
申请日：2023-10-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存储阵列选通测试系统，用于对还未封装且未添加外围电路的存储器进行测试，包括：阵列控制模块，用于根据设定的参数输出相应的控制信号；阵列选通模块，包括行选通电路和列选通电路，两选通电路均包括多路复用选择器和模拟开关，两选通电路中的多路复用选择器的通道数量对应与阵列中的字线和位线数量相匹配，两选通电路中的模拟开关的接口数量对应与阵列中的字线和位线数量相匹配；其中，多路复用选择器用于根据所述控制信号，将读写擦操作电压分配到所选择的字线中，并将所选择的位线接地；模拟开关用于根据所述控制信号，将偏置电压分配到所有未选择的字线与位线中。本发明能有效降低测试时间，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN116644697A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310538904.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元的电阻计算方法和系统，属于半导体存储器及电子设计自动化领域。本发明将有限元分析方法与Spice仿真相结合，基于有限元仿真的温度场及电场分布，构建出相变存储器单元的Spice电阻模型，通过将实际相变单元结构和相态及电场分布考虑在内，得到了更为科学、更为精确的相变存储器单元电阻计算方式。该模型用数学表达式的方式，较好地契合了有限元仿真中的计算结果，相较于传统的串联电阻模型和对数插值模型，更为科学和精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116626992A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310599254.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种相变彩色光刻胶及其像素化彩色滤光片制备方法，属于彩色光刻胶技术领域，相变彩色光刻胶包括由下而上的金属层和硫系相变材料层；金属层为半透明半反射层，硫系相变材料层为介质层，金属层和硫系相变材料层共同构成不对称的Fabry‑Perot光学共振腔；通过调整金属层和硫系相变材料层的厚度和结晶程度，实现不同结晶度下不同颜色的选择；利用硫系相变材料在刻蚀溶液中非晶态被刻蚀掉而结晶态保留的特性，实现彩色光刻胶的像素化。本发明基于相变彩色光刻胶，只需要执行一次光刻步骤即可制备出抗氧化、高热稳定性的像素化彩色滤光片。
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公开(公告)号：CN116626954A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310599233.7
申请日：2023-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红绿蓝三通道可重构的滤色片，采用陷波移动架构或双波段开关架构，各架构中均包括级联的基于相变材料的两层滤光片，且各层滤光片被配置为在其相变材料不同的结晶状态对不同波长的光有相应不同的透过率，使得两层滤光片级联在一起后，通过四种状态的不同组合，实现可见光波段内红绿蓝三原色的切换；其中，陷波移动中架构的两层滤光片的调节功能分别是黄色和品红色之间进行切换、品红色和青色之间进行切换；双波段开关架构中的两层滤光片的调节功能分别是黄色和蓝色之间进行切换、红色和青色之间进行切换。本发明可在一个像素内实现红绿蓝三原色的分时切换，可有效提高显示的分辨率，同时具有响应速度快、功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN106503310A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610880611.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元热阻与热容的获取方法，包括：通过在相变存储单元上施加脉冲序列，获得不同非晶化率的相变存储单元的电阻和热积累温度；根据电阻获得与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的非晶化区域宽度和晶化区域宽度；根据非晶化区域宽度和晶化区域宽度计算与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的热阻；对热积累温度进行拟合，获得施加第i个脉冲后与之对应的相变存储单元的热积累温度的对数拟合曲线；根据所述对数拟合曲线获得在施加第i个脉冲序列后，与之对应的相变存储单元热扩散时相变存储单元的时间常数；根据热阻和时间常数获得施加第i个脉冲序列后相变存储单元热容。本发明能够有效地获取相变存储单元的热容和热阻。
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公开(公告)号：CN103714852A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310698161.8
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实现GST相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节，实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相变材料非晶化率控制的稳定性。
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公开(公告)号：CN119916594A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510203757.9
申请日：2025-02-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于光电子领域，具体公开了一种用于相变光子器件的阶梯式微加热器及其制备方法。微加热器包括：基底、相变材料薄膜和至少三层电极；除底层电极剩余电极从下到上以开阔式阶梯型位于相变材料薄膜的两侧，底层电极上设置有加热区域，在加热区域上方设置相变材料薄膜；电极的开阔式阶梯型结构用于当顶层电极上被施加驱动信号时，优化电极上的电流分布，使加热区域的电流密度达到峰值，以便在加热区域集中产生焦耳热，进而实现相变材料薄膜状态的变化。本申请提供的相变光子器件的阶梯式微加热器具有加热效率高、热量损失小，开关速度快的特点。
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