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公开(公告)号：CN103714852B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310698161.8
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实现GST相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节，实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相变材料非晶化率控制的稳定性。
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公开(公告)号：CN103714852A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310698161.8
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实现GST相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节，实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相变材料非晶化率控制的稳定性。
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公开(公告)号：CN103731123B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310723749.4
申请日：2013-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置，包括忆阻器控制电路、方波振荡电路、超宽带脉冲产生电路和倍压电路；方波振荡电路的输入端连接忆阻器控制电路，倍压电路的输入端连接至方波振荡电路的第一输出端，脉冲产生电路的第一输入端连接至倍压电路的输出端，第二输入端连接至方波振荡电路的第二输出端。忆阻器控制电路包括三极管，方波振荡电路包括TTL门电路、忆阻器、射极放大电路，超宽带脉冲产生电路包括反相器、RC微分电路、微波三极管放大电路、肖特基二极管。本发明产生的超宽带脉冲具有频率稳定度高、可调范围广、脉冲电压幅值大且稳定易检测、所需电路元件简单低成本、电路结构简单易调试等优点。
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公开(公告)号：CN103731123A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310723749.4
申请日：2013-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置，包括忆阻器控制电路、方波振荡电路、超宽带脉冲产生电路和倍压电路；方波振荡电路的输入端连接忆阻器控制电路，倍压电路的输入端连接至方波振荡电路的第一输出端，脉冲产生电路的第一输入端连接至倍压电路的输出端，第二输入端连接至方波振荡电路的第二输出端。忆阻器控制电路包括三极管，方波振荡电路包括TTL门电路、忆阻器、射极放大电路，超宽带脉冲产生电路包括反相器、RC微分电路、微波三极管放大电路、肖特基二极管。本发明产生的超宽带脉冲具有频率稳定度高、可调范围广、脉冲电压幅值大且稳定易检测、所需电路元件简单，低成本、电路结构简单易调试等优点。
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公开(公告)号：CN203661015U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320859706.4
申请日：2013-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置，包括忆阻器控制电路、方波振荡电路、超宽带脉冲产生电路和倍压电路；方波振荡电路的输入端连接忆阻器控制电路，倍压电路的输入端连接至方波振荡电路的第一输出端，脉冲产生电路的第一输入端连接至倍压电路的输出端，第二输入端连接至方波振荡电路的第二输出端。忆阻器控制电路包括三极管，方波振荡电路包括TTL门电路、忆阻器、射极放大电路，超宽带脉冲产生电路包括反相器、RC微分电路、微波三极管放大电路、肖特基二极管。本实用新型产生的超宽带脉冲具有频率稳定度高、可调范围广、脉冲电压幅值大且稳定易检测、所需电路元件简单低成本、电路结构简单易调试等优点。
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