公开(公告)号：CN108109949B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711400343.7

申请日：2017-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 童浩 ,  戴一帆 ,  缪向水 ,  程晓敏

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法及封装结构，其中该封装方法包括：在转接基板的上表面上预留出与待封装芯片的内部管脚相对应的凸点；在该待封装芯片的内部管脚上植入第一金属球；PCB基板设置有焊盘，在转接基板的下表面上植入第二金属球，焊盘与第二金属球相对应；在转接基板与PCB基板之间还设置有压力导电膜；接着，将待封装芯片置于转接基板的上表面上，将PCB基板置于转接基板的下方，对该待封装芯片施加机械压力，实现封装。本发明通过对封装方法的整体工艺流程、相应封装结构中的各个细微结构设置等进行改进，能够有效解决回流焊接封装中存在的翘曲的问题，避免焊接故障的出现，减少对温度的敏感性，且封装芯片可拆卸、更换。

公开(公告)号：CN108109949A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711400343.7

申请日：2017-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 童浩 ,  戴一帆 ,  缪向水 ,  程晓敏

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L21/68 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/4922 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83986

Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法及封装结构，其中该封装方法包括：在转接基板的上表面上预留出与待封装芯片的内部管脚相对应的凸点；在该待封装芯片的内部管脚上植入第一金属球；PCB基板设置有焊盘，在转接基板的下表面上植入第二金属球，焊盘与第二金属球相对应；在转接基板与PCB基板之间还设置有压力导电膜；接着，将待封装芯片置于转接基板的上表面上，将PCB基板置于转接基板的下方，对该待封装芯片施加机械压力，实现封装。本发明通过对封装方法的整体工艺流程、相应封装结构中的各个细微结构设置等进行改进，能够有效解决回流焊接封装中存在的翘曲的问题，避免焊接故障的出现，减少对温度的敏感性，且封装芯片可拆卸、更换。

公开(公告)号：CN106503310A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610880611.9

申请日：2016-10-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李震 ,  袁艺 ,  周伟 ,  何强 ,  缪向水 ,  戴一帆

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元热阻与热容的获取方法，包括：通过在相变存储单元上施加脉冲序列，获得不同非晶化率的相变存储单元的电阻和热积累温度；根据电阻获得与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的非晶化区域宽度和晶化区域宽度；根据非晶化区域宽度和晶化区域宽度计算与各个非晶化率的相变存储单元分别对应的热阻；对热积累温度进行拟合，获得施加第i个脉冲后与之对应的相变存储单元的热积累温度的对数拟合曲线；根据所述对数拟合曲线获得在施加第i个脉冲序列后，与之对应的相变存储单元热扩散时相变存储单元的时间常数；根据热阻和时间常数获得施加第i个脉冲序列后相变存储单元热容。本发明能够有效地获取相变存储单元的热容和热阻。