公开(公告)号：CN102998037B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210340683.6

申请日：2012-09-15

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 汪祖民 ,  展明浩 ,  吕东锋 ,  郭群英 ,  徐栋 ,  黄斌 ,  王鹏 ,  何凯旋

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。

公开(公告)号：CN102901845A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210409192.2

申请日：2012-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方岚 ,  郑宇 ,  徐栋 ,  卜令旗

IPC: G01P21/00

Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。