一种集成式多通道输出伺服控制驱动器

    公开(公告)号:CN206165027U

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201621147178.X

    申请日:2016-10-21

    Abstract: 一种集成式多通道输出伺服控制驱动器,包括壳体、功率板、电源板和控制板;壳体由上壳体和下壳体对接而成,其中上壳体和下壳体结构相同,高度不同,下壳体底面带有4个安装法兰;在上壳体和下壳体的底部分别安装一块功率板,每块功率板螺接一块电源板;控制板通过减振垫固连在金属板上,再将金属板安装在高度高的壳体上部,功率板、电源板和控制板之间通过连接器方式电气连接。利用该伺服控制驱动器能够同时驱动多台机电作动器,从而较现有技术相比,降低了机电伺服系统安装空间,减小了产品质量,简化了系统电气连接。

    一种再生能量可靠管理的控制电路

    公开(公告)号:CN202373972U

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201120416755.1

    申请日:2011-10-27

    Abstract: 本实用新型属于一种用于机电伺服系统的控制电路,具体公开一种再生能量可靠管理的控制电路,该电路由母线电压检测模块、实时滞回比较模块、光电隔离模块和功率智能制动模块组成;母线电压检测模块的输出端与实时滞回比较模块的输入端连接,实时滞回比较模块的输出端与光电隔离模块的输入端连接,光电隔离模块的输出端与功率智能制动模块的输入端连接,功率智能制动模块的输出端与母线电压检测模块的输入端连接。该电路能够灵活设置再生能量泄放控制的阈值,且响应速度快、可靠性高,能够确保机电伺服系统稳定、可靠工作。

    一种基于功率管状态的可设置电流保护电路

    公开(公告)号:CN201877777U

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN201020617326.6

    申请日:2010-11-22

    Abstract: 本实用新型属于涉及功放电路,具体涉及一种基于功率管状态的可设置电流保护电路。目的是提供一种电流保护值可设置、可靠性高的机电伺服系统功率器件保护电路。它包括:驱动芯片、功率管、二极管,驱动芯片的DETECT管脚通过二极管连接到驱动芯片的集电极,二极管导通方向为驱动芯片至功率管;其中,在二极管和功率管之间,连接有分压电路。分压电路为多个串并联的常用电阻。本实用新型的优点是实现了电流保护值的可设置。分压电路为多个串并联的常用电阻,不仅成本低,易挑选,而且结构简单,工作可靠性高、寿命长。提高了控制驱动器的通用性。可通过配置分压电路不同的电阻,实现对不同电流保护值的设置;可根据功率管的运行状况进行过流保护。

    一种线位移信号调理电路
    24.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204085477U

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201420484854.7

    申请日:2014-08-26

    Inventor: 龙海峰 何雨昂

    Abstract: 本实用新型属于测控技术领域,具体公开一种线位移信号调理电路,传感器供电电路的输出端与线位移传感器的输入端连通,线位移传感器的输出端与信号转换电路的输入端连通,信号转换电路的输出端与DSP片内A/D转换器的输入端连通;传感器供电电路为线位移传感器提供工作所需的直流电源电压,线位移传感器输出线位移反馈信号,信号转换电路将线位移反馈信号进行跟随处理,再进行信号放大处理,生成模拟信号;该模拟信号经调理后,送入DSP片内A/D转换器。本实用新型的电路结构简单、占用体积空间小、器件成本低,且该电路不受线位移传感器接触电阻变化的影响,即使接触电阻发生突跳,仍能够无失真的采集、转换线位移信号。

    一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路

    公开(公告)号:CN202737731U

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201220322870.7

    申请日:2012-07-04

    Abstract: 本实用新型属于功率驱动技术领域,具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。该电路包括二极管、电阻R1、电阻R2和MOSFET功率管;所述二极管的正极与电阻R1串连,串联后的结构与电阻R2并联,电阻R1和电阻R2的公共端与MOSFET功率管的栅极G连接,MOSFET功率管的源极S接地,可以实现在不增加高频损耗的情况下减小MOSFET管关断时间,降低关断损耗;所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有稳压管,可以防止栅极G过电压损坏;所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有电容,可以通过改变驱动电路阻抗特性,防止高频振荡,确保MOSFET功率管可靠运行。

Patent Agency Ranking