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公开(公告)号：CN1674147A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510011392.2
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1604228A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410009724.9
申请日：2004-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11C11/15 , H01L43/00 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法。采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属7～8层膜，然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的7～8层膜器件。存储器存储单元包括：底电极层，底隔离层、自由铁磁层、巨磁电阻自旋阀结构或铁磁性隧道结结构。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌散射主自旋的特性，大幅度的降低了在巨磁电阻自旋阀或铁磁性隧道结中实现CIMS所需要的写电流，降低了能量损耗，为实现超高存储密度的MRAM提供了可能性。
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公开(公告)号：CN119881378A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510126017.X
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01Q30/18 , G01Q30/10 , F16F15/023 , F16F15/02
Abstract: 本发明提供一种用于低温扫描探针显微镜的减震系统，包括：各自分体设置的制冷装置、减震装置和测试平台，制冷装置和测试平台设置在减震装置的两侧；制冷装置包括冷源和输送管道，输送管道的两端分别连接冷源和扫描部件；减震装置包括墙体结构和减震颗粒，减震颗粒设置在墙体结构内部，减震颗粒在墙体结构内部紧密排列，墙体结构具有第一管道连接部，第一管道连接部与输送管道的部分结构相连，用于吸收输送管道的震动。本发明中的制冷装置和测试平台分体设置，大大减少了二者之间的接触面积，减少了震动的传导；输送管道的震动传导至第一管道连接部，减震颗粒将震动转化为热能或通过减震颗粒的压缩和流动来消耗震动能量，从而达到减震的效果。
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公开(公告)号：CN119375795A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202510004696.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供一种薄膜材料磁阻效应测量方法、系统、存储介质及程序产品，涉及电学测量技术领域；所述方法包括：按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电；电磁器件用于在通电后生成磁场；待测薄膜器件设置在磁场的范围内，通过磁场对待测薄膜器件施加电流；设定电流信息用于指示循环测量次数和每次循环测量对应的通电电流值；在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，并基于测量数据和磁场对应的磁感应强度，实时绘制得到待测薄膜器件对应的磁阻效应关系图并显示；能够解决薄膜器件的磁阻效应测量的测量效率低且成本较高的问题；提高了薄膜器件磁阻效应测量的效率；同时，减少了设备和人力成本。
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公开(公告)号：CN115124277A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210599718.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种有机无机复合型钒氧化物电子相变材料的制备方法，属于有机无机复合半导体材料领域。本发明综合利用有机导电聚合物的高电导率特性与良好的粘合性，通过其与钒氧化合物电子相变材料粉体的复合冷压过程，实现不同形状、维度的有机无机复合型电子相变材料的简易制备。本发明方法无须经过高温固相反应或烧结过程，可在常温下通过使用优选压力、复合比例、复合方法，原位制备出具有良好力学特性与金属绝缘体转变特性的钒基电子相变材料。本发明方法可大幅减少反应所需的能耗、时间与成本，实现对钒基电子相变材料的简易有效制备。所述材料可应用于突变式热敏电阻、柔性电子器件、红外探测、热扰动探测方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114538924A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210082966.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种掺杂氧化钒电子相变陶瓷材料的制备方法，电子陶瓷材料与敏感电阻器件领域。通过氧化物粉体间由电流击穿下的放电烧结技术将二氧化钒与掺杂元素氧化物粉体间在非平衡状态下发生原位固相反应并共烧结成陶瓷，从而在烧结中实现对氧化钒原位掺杂。本发明通过对氧化钒母体粉体、掺杂前驱体粉体的形貌、粒径、相对含量以及烧结条件的调控，该方法能够实现对掺杂氧化钒陶瓷材料中的掺杂元素种类、掺杂量进行灵活调控与精准设计，并进一步实现对所制备掺杂氧化钒陶瓷材料金属绝缘体相变温度、室温电阻率的宽范围设计与调节。本发明材料应用于热开关、温度传感、浪涌电流抑制、热致变色涂层、红外伪装涂层、热伪装涂层等方面。
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公开(公告)号：CN110146199B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910383370.0
申请日：2019-05-09
Applicant: 北京科技大学 , 北京高压科学研究中心
Abstract: 本发明属于超高压探测领域，涉及一种基于亚稳相稀土镍基氧化物的压力探测方法，其构思在于，所述方法利用具有热力学亚稳相结构的稀土镍基氧化物作为压力探测器中的压力敏感材料,利用其在高压、超高压范围内随压力敏感变化的特性以及电阻率以及电阻温度系数随压力的变化关系，实现包括高压、超高压的光谱范围内的压力测量。与以往压力测量方法相比，本发明可实现光谱范围内压力测量，且可以通过对电阻率、电阻温度变化率两方面综合表征实现对高压、超高压范围内压力测量的交叉验证，从而大幅度提高高压范围内的压力测量精度。本发明所述方法可进一步应用于高压探测、深海压力测量、地质压力测量等方面。
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公开(公告)号：CN111180151A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010006346.8
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于交变频率的正、负、Delta温度系数热敏电阻主动切换法。通过强关联半导体对不同频率交变信号的电阻相应及其温度关系，实现其电阻温度关系在负温度系数热敏电阻、Delta温度系数热敏电阻、正温度系数热敏电阻三种不同功能特性间的主动式切换的方法。区别于传统通过材料组分与器件结构控制材料电子输运功能特性的传统手段，本发明可以通过对所施加交变电信号频率的调节，控制所实现热敏电阻输运性能在负温度系数热敏电阻、Delta温度系数热敏电阻、正温度系数热敏电阻三种不同功能特性间的主动式切换。本发明所提供技术可进一步实现对电子器件与电路工作中温度探测与控制的高精度化与智能化。
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公开(公告)号：CN107316799B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710429845.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。
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公开(公告)号：CN107240641B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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