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公开(公告)号：CN116040571A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211698055.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。
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公开(公告)号：CN115410826A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210674430.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: H01G5/04
Abstract: 本发明公开的一种自卷曲可调电容器及其实现方法，属于可调电容器技术领域。本发明公开的一种自卷曲可调电容器，包括衬底、牺牲层、应力调控层、第一电极、第二电极、加热器。通过沉积两种具有不同应力的薄膜将电容做成卷曲形状，将二维的平板电容卷曲成三维卷曲结构，从而显著降低可调电容的占地面积；通过在层间加入导热电阻或电容两侧加入外部热源，增加可调电容的能量密度，利用电热驱动调节卷曲结构的曲率半径，达到调节电容的目的。本发明无需额外的牺牲层，电极层充当应力调控层，工艺简单，易于实现。本发明具有微型化、高密度的特点，能够用于集成电路中，减小电容的占地面积，进一步减小电路的面积，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114911051A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210493453.7
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京理工大学 , 重庆虹势科技有限公司 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法，属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构，电隔离沟道，焊盘和空腔，微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼，实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿；利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂，实现低频率温漂补偿；在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上，提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制，具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。
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公开(公告)号：CN118603071A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812589.9
申请日：2024-06-22
Applicant: 中北大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪，具体是一种全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪测量精度低、灵敏度低的问题。全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片，包括谐振子部分和电极部分；所述谐振子部分包括中心锚点；中心锚点的外侧面连接有两根呈左右对称分布的直形支撑悬梁A；所述电极部分包括正方形基座；正方形基座的上表面溅射有中心点状平面电极、四个沿周向对称分布的等腰梯形平面电极、四个沿周向对称分布的格栅形平面电极、四对沿周向对称分布的外围点状平面电极A、四个沿周向对称分布的外围点状平面电极B、四对沿周向对称分布的条形平面电极。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。
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公开(公告)号：CN117547205A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311739353.9
申请日：2023-12-18
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了焦点独立可调的三模态内窥探头装置及方法，装置包括用于传输光声显微成像用激光的第一光纤、用于传输光学相干层析成像用激光的第二光纤、用于传输共聚焦显微成像用激光的第三光纤、用于使激光准直、汇聚或发散的第一透镜、用于使激光汇聚的第二透镜、用于反射激光至成像端面的MEMS扫描反射镜和超声探头，第一光纤、第二光纤和第三光纤与第一透镜之间的距离独立可调。本发明将光声显微成像、光学相干层析成像和共聚焦显微成像相融合,利用MEMS扫描成像技术，同时对腔内组织、血管和细胞等多目标物成像；且调整光纤与第一透镜的相对位置，可实现多模态各自焦点可调和共焦平面成像，保持最佳分辨率水平和成像质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119892002A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411771066.0
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本申请涉及滤波技术领域，具体涉及一种基于压电效应的F‑P腔滤波器及其制备方法，滤波器包括支撑框架；上极板；第一反射层和第二反射层，均设于支撑框架内且始终彼此平行，用以共同限定法布里‑珀罗谐振腔；驱动组件连接在上极板与支撑框架之间，驱动组件中设有驱动单元；驱动单元由伸缩层和至少一个非压电层组合形成，伸缩层包括压电层、位于压电层底部的底电极，以及位于压电层顶部的顶电极；至少一个非压电层配置为贴合设置于底电极和/或顶电极上。该压电驱动结构可实现滤波器小型化，结构简化，整体体积和重量降低，器件可靠性高。
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公开(公告)号：CN119764012A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411861417.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 重庆邮电大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种三维立体微型集成硅基磁芯功率电感及其设计制备方法，属于微电子领域，该电感包括顶层和底层，所述顶层其内设有多个用作螺旋线圈的穿透硅通孔结构以及顶层重布线层；其中，穿透硅通孔结构之间填充有磁性材料；所述底层内设有多个用作螺旋线圈的穿透硅通孔结构以及底层重布线层；其中，穿透硅通孔结构之间填充有磁性材料；所述顶层和底层之间填充有磁性材料，所述顶层的穿透硅通孔结构和底层的穿透硅通孔结构之间通过锡银共晶键合。本发明通过将一组线圈分为上下两部分制作之后进行以锡银为焊料的共晶键合的方式，实现体积小、电感密度高、高品质因数、可集成的三维立体微型集成硅基磁芯功率电感制作。
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公开(公告)号：CN119586955A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411986827.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明涉及医疗器械领域，公开了一种双模态内窥镜的光学系统及内窥镜成像探头和内窥镜，光学系统包括：沿主光轴方向依次设置的物镜组、目镜组和光控制器，光控制器用于控制白光和近红外光的传播方向，白光经过光控制器后其传播方向保持不变，近红外光经过光控制器后其传播方向被改变，经过光控制器后的近红外光进入光转换模块内，光转换模块包括：MEMS微镜和准直透镜，其中，近红外光依次经过光控制器和MEMS微镜后其传播方向平行于主光轴，本发明的OCT成像与白光成像共用一套光学系统，不需要改变现有的白光内窥镜插入部分的直径，且可以使得OCT成像实现大视场和大工作距离的优点。
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公开(公告)号：CN119148370A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411290342.1
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微位移平台及其位置检测方法，属于MEMS器件检测领域，主要在MEMS微镜的附近放一块位置感应元器件，将感应元器件集成到MEMS微镜中，当MEMS微镜的镜面偏转靠近感应元器件时，感应元器件会产生相应的电信号，放置感应元器件后，通过TSV或者TGV等工艺将信号传递给驱动控制电路，从而实时获取镜面的位置。本发明将器件检测与TSV或TGV工艺相结合，大大提高现有检测器件的集成度，且可以大批量低成本量产，有较高的市场前景。
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公开(公告)号：CN119118048A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183678.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 重庆工商大学
Abstract: 本发明公开了一种集成压电反馈的电热微动平台及其位置检测方法，属于微机电技术领域，该平台包括外围支撑结构、电热驱动结构、微平台，以及用于检测微平台的位置和运动状态的压电位置检测结构。本发明将压电位置检测结构与电热微动平台进行一体式集成，不仅能在不影响微动结构运动的情况下实时、稳定、高精度地获得微动结构偏转角度和偏转方向的姿态信息，还能显著降低器件及其系统的闭环控制姿态反馈电路的复杂程度，优化相关应用产品的结构和尺寸，以及实现器件的小型化和轻量化。
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