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公开(公告)号：CN115642148A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211654973.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H10B61/00
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。
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公开(公告)号：CN114420182B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN114420182A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN110299299A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910602633.2
申请日：2019-07-05
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN116597885A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310501016.X
申请日：2023-05-05
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明提供一种NOR Flash阵列可靠性测试装置、设备及方法，属于芯片测试技术领域。该装置包括：处理单元，与NOR Flash模拟单元和逻辑运算单元连接，用于产生测试信号，并将测试信号传输到待测NOR Flash芯片阵列和NOR Flash模拟单元；用于对逻辑运算结果信号与目标结果信号进行比较，判断测试是否通过；逻辑运算单元与NOR Flash模拟单元连接，用于接收待测NOR Flash芯片阵列产生的输出信号阵列进行逻辑运算，并根据第一输出信号输出逻辑运算结果信号到处理单元；NOR Flash模拟单元用于模拟NOR Flash芯片根据测试信号产生第一输出信号并传输到逻辑运算单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889163A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111485264.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
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公开(公告)号：CN113887025A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111088795.2
申请日：2021-09-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/06
Abstract: 本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统，属于芯片老化分析领域。所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数，然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数，在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度，使得老化仿真结果更准确。
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公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
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公开(公告)号：CN112581995A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011497059.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度；在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时，保持所述磁性存储介质的工作状态；在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时，备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质，其中，所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。
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公开(公告)号：CN119317116A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411408314.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及存储技术领域，具体涉及一种基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片。本公开创新性地在MRAM存储单元中引入了包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结的双磁性隧道结。第一和第二磁性隧道结被镜像设置于第一金属层两侧，它们的自由层均与第一金属层电接触，固定层则分别与第二和第三金属层电接触。当对所述MRAM存储单元进行写入操作时，通过施加贯穿所述双磁性隧道结的不同方向的写入电流来写入数据，当对所述MRAM存储单元进行读取操作时，通过判断所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的磁阻差异来读取数据。由此有效地抵御了外界磁场干扰。
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