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公开(公告)号：CN112290174A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010959864.1
申请日：2020-09-14
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种开关矩阵及在所述开关矩阵中信号传输的四种方法，所述开关矩阵包括威尔金森功分器模块、1/4的波长传输线模块、单刀双掷开关模块，威尔金森功分器模块通过开关的闭合使得威尔金森功分器负载保持50欧姆，实现输入信号高隔离度的功率分配；1/4的波长传输线模块实现输入端和输出端的隔离；单刀双掷开关模块可以对信号通路进行选择；本发明解决了硅基电路隔离度差的问题，可有效提高电路的隔离度，输入端口和输出端口均实现了很好的隔离。
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公开(公告)号：CN110601659A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910802516.0
申请日：2019-08-28
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开一种有源矢量调制器，该有源矢量调制器的一个具体实施方式包括：输入变压器巴伦、片上差分正交耦合器、I路可变增益放大器、Q路可变增益放大器、数模转换器和输出变压器巴伦；输入变压器巴伦的输入端接收射频输入信号，输出端与片上差分正交耦合器的输入端连接；I路可变增益放大器的输入端与片上差分正交耦合器的差分输出端连接，输出端分别和Q路可变增益放大器的输出端与输出变压器巴伦的输入端连接；Q路可变增益放大器的输入端与片上差分正交耦合器的差分耦合端连接；输出变压器巴伦的输出端输出射频输出信号；数模转换器的第一端与I路可变增益放大器电连接，第二端与Q路可变增益放大器电连接。该实施方式具有精度高等优点。
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公开(公告)号：CN117081545B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311121950.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H03H17/08 , H03K19/20 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开一种超宽带数字移相器，包括移相电路模块和控制电路模块；移相电路模块包括射频信号输入端、射频信号输出端、输入信号通路开关选择电路、输出信号通路开关选择电路、参考信号通路、移相信号通路；控制电路模块与输入信号通路开关选择电路和输出信号通路开关选择电路连接，通过控制输入信号通路开关选择电路和输出信号通路开关选择电路，选择导通参考信号通路或移相信号通路；移相信号通路包括第一奇偶模补偿电路、相位补偿电路、折叠定向耦合器、第二奇偶模补偿电路；参考信号通路包括第一高频补偿电路、磁耦合全通网络、第二高频补偿电路。本发明能够在兼顾芯片小型化的基础上，拓展芯片带宽，在较宽频带范围内实现高精度数字移相。
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公开(公告)号：CN115394758B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210846604.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L23/58 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。
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公开(公告)号：CN117713866A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311755046.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开了一种中功率低附加调幅多功能芯片，包括1分2功率分配器和两个收发通道，每个收发通道的数控衰减器单元的输入端口是芯片信号输入端，输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连，接收放大器单元的输出端口与收发开关单元的接收端口相连，收发开关单元的公共端口与数控低附加调幅移相器单元的第一端口相连，发射端口与中功率发射放大器单元的输入端口相连，发射放大器单元的输出端口是芯片信号输出端；功率分配器的第一端口是芯片的公共端口，第二端口与第三端口分别与两个收发通道的数控低附加调幅移相器单元的第二端口相连。本发明能够输出中等功率信号，降低移相附加调幅参数，提升相控阵天线集成度，优化天线旁瓣性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838940B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110954453.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
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公开(公告)号：CN117353684A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311203509.1
申请日：2023-09-18
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明实施例公开一种自适应提升折叠共源共栅相位裕度的运算放大器。在一具体实施方式中，该运算放大器包括：偏置电流镜电路，用于给所述运算放大器提供偏置电流；折叠共源共栅电路，用于将输入信号进行两级放大，得到输出信号；反馈补偿电路，用于将输出信号与参考电压进行比较，并反馈到折叠共源共栅电路；还用于将输出信号与参考电压进行比较反馈到折叠共源共栅电路进行自适应的相位裕度补偿。本发明通过反馈的方式自适应的补偿折叠共源共栅运算放大器的相位裕度，从而可以很好的提升运放的稳定性。
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公开(公告)号：CN117080079B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311312095.6
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：清洗氧化镓基底；在氧化镓基底的正面外延一层氧化镓本征层；使用电子束蒸发工艺，在氧化镓基底的背面沉积一层Ti金属层，并在Ti金属层上沉积第一Au金属层；将沉积了Ti金属层和第一Au金属层的氧化镓基底进行高温退火处理，形成欧姆接触电极；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在氧化镓本征层上形成刻蚀区域和非刻蚀区域；使用磁控溅射工艺，在氧化镓本征层上的刻蚀区域沉积氮硅锆介质层；使用电子束蒸发技术，在氮硅锆介质层中间的无介质层区域沉积一层Ni金属层，并在Ni金属层上沉积第二Au金属层，得到肖特基电极。本发明能够提高肖特基电极边缘的耐压能力，具有良好的电学特性。
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公开(公告)号：CN109660217B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201811549281.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开了一种无反射微波放大装置，包括信号输入端、信号输出端、放大器、第一串联谐振腔、第二串联谐振腔、第一并联谐振腔、第二并联谐振腔、第三串联谐振腔、第四串联谐振腔、第三并联谐振腔和第四并联谐振腔；当信号输入端的输入信号频率在通带内时，所有串联谐振腔处于低阻状态，所有并联谐振腔处于高阻状态，放大器导通；当信号输入端的输入信号频率在通带外时，所有串联谐振腔处于高阻状态，所有并联谐振腔处于低阻状态，放大器短路，解决了放大器在全频带内信号无反射的问题。
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公开(公告)号：CN109391236B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811267389.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开一种信号放大电路，包括信号放大模块和直流偏置生成模块；其中，所述直流偏置生成模块用于提供第一偏置电压V1和第二偏置电压V2；所述信号放大模块包括射频信号输入端RFin、射频信号输出端RFout、第一电压输入端VDD1、第一偏置电压输入端V1in和第二偏置电压输入端V2in，用于基于第一偏置电压输入端V1in输入的第一偏置电压V1和第二偏置电压输入端V2in输入的第二偏置电压V2对所述射频信号输入端RFin输入的射频信号进行低噪声放大，本发明还公开了一种包括该信号放大电路的毫米波信号放大电路，本发明可降低信号放大电路的噪声，提升信噪比。
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