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公开(公告)号：CN119181651A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411303219.9
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点的方法，属于封装领域。方法：在金属基底制备Co基镀层并在两组Co基镀层之间再制备Sn层形成金属基底/Co基镀层/Sn/Co基镀层/金属基底的结构，后加热至Sn的熔点以上并保温，即可制备出全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点样品(金属基底/Co基镀层/Co‑Sn金属间化合物/Co基镀层/金属基底)。本发明利用Co原子在液态Sn焊料中快速扩散和Co‑Sn金属间化合物快速生长优势，可在短时间内制备大厚度全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点并满足低温连接、高温服役的需求，可广泛用于第三代半导体功率芯片的封装以及晶圆凸点键合等先进封装工艺中。
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公开(公告)号：CN116855923A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310824346.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C18/31 , H01L23/498 , B23K35/02 , B23K35/40 , B23K35/26 , C23C18/18 , C23G5/032 , B22F1/145 , B22F1/17 , B22F1/142
Abstract: 本发明公开了一种铜球表面化学镀锡的方法，属于材料的制备与连接技术领域。所述铜球表面化学镀锡方法的步骤包括：先利用盐酸乙醇溶液对铜球表面进行酸洗并酸化，然后除去铜球表面的盐酸乙醇溶液，再对铜球表面进行化学镀锡。本发明基于铜球与锡基焊料的结合较差的问题，通过先对铜球表面进行化学镀锡，其关键步骤在于铜球表面的酸洗并酸化，该操作可以改善铜球与锡镀层的结合性能，进一步以锡镀层为过渡，解决了铜球与锡基焊料结合较差的问题。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低廉，可制作出镀敷材料厚度可控的镀锡铜球。
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公开(公告)号：CN114192918B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111660958.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种SnAgBiIn钎料在制备Sn基钎料互连焊点中的应用，属于材料制备与连接技术领域；所述SnAgBiIn钎料为Sn3.5Ag0.5Bi8.0In钎料焊膏。Sn基钎料互连焊点的制备步骤为：将钎料焊膏涂敷于两个焊盘之间，采用热风焊接在240℃‑300℃下重熔焊接30s‑10min，然后冷却，得到具有“交叉晶”结构的Sn基钎料互连焊点。这种呈现各向同性的“交叉晶”焊点结构，保证了焊接结构的一致性，并且交叉晶结构在一定程度上可以保证焊点服役寿命的一致性，达到提升电子封装产品整体质量水平的目的。
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公开(公告)号：CN116252069A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310270607.0
申请日：2023-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及电子封装材料连接技术领域，特别是涉及一种增强Sn基无铅焊料稳定性的方法。方法包括以下步骤：步骤1，向Sn基无铅焊料焊膏中掺加镀镍碳纤维，得到Sn基复合焊料；步骤2，在焊接过程中通过外加磁场的方式使熔融态的Sn基复合焊料中的镀镍碳纤维定向排布，通过调控镀镍碳纤维排布取向增强Sn基无铅焊料稳定性。镀镍碳纤维的镀Ni层具有铁磁性，本发明中通过在外加磁场的作用下，根据磁场取向不同而形成镀镍碳纤维的定向排布。当磁场取向与基板成一定夹角时，Sn基复合焊料中的镀镍碳纤维便可对焊点起到力学支撑作用。因此，可以在减少镀镍碳纤维掺量的同时，实现焊点性能的增强。
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公开(公告)号：CN116197569A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310068743.1
申请日：2023-02-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K35/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/40 , B23K20/00
Abstract: 本发明提供一种焊片、焊片制备系统和焊片烧结方法。焊片包括：焊片本体和多个金属凸起，多个金属凸起分别间隔设置于所述焊片本体的第一表面和第二表面，在所述焊片本体的第一表面和第二表面的所述多个金属凸起中任意两个相邻金属凸起之间的间距为1‑50μm。通过焊片本体的第一表面和第二表面形成多个金属凸起紧密间隔设置的微纳米结构，促进多个金属凸起与芯片扩散焊接，从而在较低温度烧结，实现不含有机物的情况下焊片与芯片能够大面积的均匀可靠连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114325505A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665303.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种微焊点原位电迁移测试系统和方法，本系统包括：金相探测装置、测试仓体、热感装置、干燥物质和直流电源；直流电源用于对微焊点通入直流电流，金相探测装置用于获取微焊点的形貌表征和尺寸，并计算得到直流电流值，热感装置用于监测微焊点温度，干燥物质用于对测试仓体内的空气进行干燥处理；本方法包括：获取微焊点形貌表征和焊点尺寸，计算得到直流电流值；向微焊点通入直流电流，对微焊点进行疲劳测试，得到微焊点的原位电迁移数据图，完成微焊点原位电迁移测试。本申请能够使微焊点不产生氧化反应，从而实现微焊点电迁移的原位表征测试。
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公开(公告)号：CN113953730A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111400740.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K37/00 , B24B41/06 , B23K101/42
Abstract: 本申请公开了一种能够精确控制一维线性对接焊点抛光质量的抛光组件，包括一维线性对接焊棒和焊棒载体；一维线性对接焊棒的截面为正方形；一维线性对接焊棒由第一铜棒、第二铜棒和对接焊点组成，对接焊点将第一铜棒和第二铜棒对接焊接；焊棒载体用于承载一维线性对接焊棒，并且包裹一维线性对接焊棒的三个侧面，一维线性对接焊棒只有一个侧面可见。本申请通过对抛光组件进行改良组装，使得线性焊点的抛光表面在抛光时既能充分得到抛光处理，又能很大程度减少由于施力不均而产生曲面的影响，满足焊点表面在进行扫面电镜和电子背散射衍射测试时尺寸完整、图像清晰的要求。
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公开(公告)号：CN109166818A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810838878.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法涉及半导体器件制造技术领域。2.5D/3D集成与系统封装是现在与未来的研发方向。其中，TSV填充工艺被认为是实现三维集成技术的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是铜的成本高且易产生可靠性问题，需要寻找新的填充材料。钎料填充工艺克服了现有合金(以铜为主)填充硅通孔技术的不足，具有研究潜力。本发明提供了一种制作成本低廉、操作便利、填充速度快的钎料填充硅通孔新方法，即通过加热使金属融化，然后通过真空压差产生的毛细作用力将熔融的金属吸入到硅通孔中。这种方法具有极高的填充速度，方法简单，易于实施，同时可以填充多种类的钎料与晶圆。
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公开(公告)号：CN108941818A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811114880.X
申请日：2018-09-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 低温快速制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点的方法属于材料制备与连接领域，适用于制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点。采用一维线性铜棒作为焊盘，并将其用双面胶固定于印刷电路板上，在两个铜棒之间填入复合钎料焊膏，采用无铅焊接系统对焊缝处进行焊接，制备一维线性钎料焊点，经过磨抛，获得可用于进行电学，力学及热学可靠性研究的Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点。该方法能够保证低成本低温且快速制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点，能够缓解由于Sn基焊点的各向异性导致的失效问题，同时能够大大降低传统金属间化合物焊点的制备成本。
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公开(公告)号：CN106990270A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710313850.0
申请日：2017-05-05
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01R1/0416 , G01R31/00
Abstract: 一种微型钎焊接头电迁移测试结构及制备方法，属于材料制备与连接领域，两个焊盘之间采用钎料焊膏重熔焊接成钎料对接接头，钎料对接接头采用环氧树脂粘附于基板上，钎料对接接头至少有一个侧面表面作为钎料对接接头截面，此作为截面的侧面表面是经过研磨抛光的。解决了由于微型接头尺寸太大造成的其于实际倒装芯片焊球的通电面积不相当，或者尺寸太小造成的其在电迁移测试过程中不易被固定，容易受到外力作用造成损失甚至断裂的难题。
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