公开(公告)号：CN103924241A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410147821.8

申请日：2014-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  张子龙 ,  严辉 ,  张昀 ,  张铭 ,  王如志 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  B81C1/00

Abstract: 一种大规模制备低表面应力的表面具备微纳结构的钨的方法，属于微纳加工技术领域。在经电解抛光的金属钨的表面通过纳米压印的方法制备微纳结构刻蚀掩膜，使得需要刻饰的部分裸露，其他部分则被掩膜；将处理后的金属钨用ICP刻蚀的方法对微纳结构掩膜后金属钨的表面进行刻蚀，使得微纳结构刻蚀掩膜中的裸露的钨表面被刻饰掉；将处理后的金属钨放在真空中进行退火，即可得到低表面应力的表面具备微纳结构的金属钨。

公开(公告)号：CN103681003A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310598595.0

申请日：2013-11-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  吴春卉 ,  邓思旭 ,  严辉 ,  刘晶冰 ,  孙玉绣

IPC: H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种三维石墨烯-氧化镍复合材料基底的制备方法。采用非离子表面活性剂为结构导向剂，水溶性低分子量甲阶酚醛树脂为碳源，泡沫镍为模板，利用水热反应与高温热处理相结合的方法制得三维石墨烯-氧化镍复合材料。水热反应的温度为120℃～140℃，反应时间为18h～24h；高温热处理的过程为，在氮气或惰性气体保护下，以1～2℃/min速率升温至300℃～400℃，保温2～3h，再以1～2℃/min速率升温至700℃～900℃，保温1～2h。本发明易于操作，并且得到的三维支架式石墨烯-氧化镍复合材料可以有效地提高氧化镍材料的表观导电率以及提供一种用于材料的三维生长的基底，在超级电容器电极材料领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102698735B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201210157640.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘晶冰 ,  陈晓芳 ,  张美娟 ,  汪浩 ,  朱满康 ,  王如志

IPC: B01J23/22

Abstract: 花球状Bi4V2O11可见光催化剂的制备方法属于光催化材料领域。本发明步骤：1. 称取尿素、硝酸铋和偏钒酸铵，其摩尔比为8：2：1。2. 在搅拌条件下，将硝酸加入到乙二醇溶液中，得到溶液A。3. 将尿素加入到溶液A中，持续搅拌，得到溶液B。4. 将硝酸铋和偏钒酸铵依次加入到溶液B中，持续搅拌，待溶质完全溶解，直至整个体系为透明的棕黄色溶液C。5. 用氨水调节溶液C的 pH 值为7-9，搅拌均匀后，装入密闭的反应釜中。6. 在180~230 ℃下晶化4~24 h。7. 晶化产物经抽滤后，用去离子水和无水乙醇洗涤，干燥，即得所需产物。该方法不使用较贵的原材料，工艺简单，由于反应在液相中进行并且不需要高温处理，不但降低了能耗，而且产物为具有高比表面积的纯正交相花球状结构。

公开(公告)号：CN103388134A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310308952.5

申请日：2013-07-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  胡德志 ,  严辉 ,  张铭 ,  王如志 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C23C16/517

Abstract: 容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法，涉及薄膜制备技术领域。将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱，即增加功率馈入端面积，从而使功率馈入端的面积大幅度增加，降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。不需要购买和安装新的部件，不存在改良过程中很难实现的情况，它保证了改良方法的可行性，大大降低了改良的成本。

公开(公告)号：CN102569515B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210002294.2

申请日：2012-01-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  曲铭浩 ,  严辉 ,  张铭 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/055 ,  B82Y20/00

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103367466A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310287057.X

申请日：2013-07-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  李青柳 ,  严辉 ,  王如志 ,  汪浩 ,  王波 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。

公开(公告)号：CN103346215A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310287088.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  郑慧娟 ,  栗晓辰 ,  孙玉绣 ,  刘晶冰 ,  严辉 ,  朱满康

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种均相溶液法制备铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的方法，属于功能材料领域。包括如下步骤：（a）衬底的清洗（b）前躯体溶液的制备（c）前躯体薄膜的制备（d）退火处理。本发明所提供的一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，不需要使用昂贵的原材料和设备，各工艺步骤的控制性好，且不需要使用有毒的高分子溶剂，避免了铜锌锡硫薄膜制备过程中大量的残余碳，有利于制成大晶粒、致密的铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜，其工艺简单，成本低廉，可重复性强，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的铜锌锡硫薄膜太阳能电池技术提供了新思路，具有大规模工业化生产的潜力。

公开(公告)号：CN103213940A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310084326.2

申请日：2013-03-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  裴明德 ,  严辉 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  汪浩

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。

公开(公告)号：CN102931393A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210460224.1

申请日：2012-11-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  王亚洲 ,  邵萱 ,  谢明 ,  邓思旭 ,  孙玉绣 ,  刘晶冰 ,  严辉

IPC: H01M4/505

Abstract: 一种多孔球形结构的锰酸锂正极材料及制备方法，属于锰酸锂正极材料技术领域。多孔球形结构的锰酸锂正极材料由纳米级20-100nm的颗粒堆积而成，所述的球形的球直径为500nm-3μm，所述的孔为平均孔径为20-60nm。制备方法：将NH4HCO3与MnSO4采用乙醇作为沉淀控制剂，生成直径为0.5-3μm的均匀球形碳酸锰沉淀；洗涤得到纯净的球形碳酸锰粉体；在500-800℃下煅烧10-15小时得到多孔球形Mn2O3前驱体粉体；将得到的Mn2O3通过手工研磨、球磨或机械研磨与LiOH混合均匀；在高于上述煅烧温度的700-900℃下煅烧即可。本发明工艺简单，得到了具有明显多孔结构的正极材料。

公开(公告)号：CN102800751A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210265981.3

申请日：2012-07-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙玉绣 ,  郑慧娟 ,  宗恺 ,  张美娟 ,  汪浩 ,  严辉 ,  刘晶冰 ,  朱满康

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C26/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法属于光电材料新能源领域。本发明步骤：（a）前躯体溶液制备（b）浸渍提拉前躯体薄膜制备（c）退火处理。本发明所提供的Cu2ZnSnS4薄膜制备方法，不需要使用昂贵的原材料和设备，各工艺步骤的控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜，其工艺简单，可重复性强，易实现大规模生产，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。