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公开(公告)号：CN114711733B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210632256.9
申请日：2022-06-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种脉搏信号提取方法、装置、电子设备及存储介质，涉及脉搏信号技术领域。通过对在变化压力下采集得到的初始脉搏信号进行去噪，通过滤除多种噪声而得到的滤波脉搏信号，进而对滤波脉搏信号进行处理得到的中脉、浮脉以及沉脉，可通过本发明提供的脉搏提取方法为后续的脉搏信号的分析人员减少了对脉搏信号数据的分析处理量，通过将得到的浮脉、中脉、沉脉对脉搏信号更具体精细化处理，进一步提高脉搏信号提取的精确性以及效率性。
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公开(公告)号：CN113871487A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111026328.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/792 , H01L23/48 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹型电荷俘获层突触晶体管及其制备方法，属于面向神经网络硬件化应用的突触器件领域。本发明采用的凹型电荷俘获层结构便于通过首次编程将电荷隧穿到俘获层，而后通过若编程的方式改变电荷俘获位置的方式来降低操作电压；另一方面，通过在栅源或者栅漏之间的电压脉冲控制电荷在俘获层中的横向位置实现多值存储，从而提高神经网络的精度。
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公开(公告)号：CN106252227B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610659888.9
申请日：2016-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , H01L29/10 , G01N27/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种带栅极调控的垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运动时对纳米线沟道表面的各个方向均产生随机碰撞，最终在纳米线表面产生更高的修饰密度。且本发明避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能；以及可以将沟长缩短至10nm以下，满足了对单个蛋白质或核酸分子的修饰要求。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单、成本代价小。
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公开(公告)号：CN106206296B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610641234.3
申请日：2016-08-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种垂直沟道纳米线生物传感器的集成方法，属于半导体制造技术领域。该方法结合刻蚀通孔、外延沟道、各向同性去除假栅层以实现垂直沟道的纳米线生物传感器的集成。本发明与传统的水平沟道结构相比，生物分子在溶液中进行布朗运动时对纳米线沟道表面的各个方向均产生随机碰撞，最终在纳米线表面产生更高的修饰密度。且本发明避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能；以及可以将沟长缩短至10nm以下，满足了对单个蛋白质或核酸分子的修饰要求。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单、成本代价小。
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公开(公告)号：CN106531681B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510578208.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP‑CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057664B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610603257.5
申请日：2016-07-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法。本发明采用在衬底上形成非晶硅薄膜层，然后在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条，最后进行退火处理，再结晶得到高质量低内部缺陷的柱状多晶硅；本发明再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸显著提高，内部缺陷减少，结晶效果好；再结晶后得到的多晶硅，由于晶粒间界更少，方块电阻下降，载流子迁移率提高，对提高多晶硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的性能有积极效果；能够通过设计纳米尺度细线条的宽度来控制多晶硅的结晶大小，可控性和均匀性高；与体硅CMOS工艺完全相兼容，工艺简单，成本代价小，适用于三维集成。
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公开(公告)号：CN106098783B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610694855.8
申请日：2016-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该场效应晶体管的侧壁沟道层厚度和顶部沟道层厚度均在10nm以下，且在远离顶栅控制的深体区形成了鳍型隔离条，本发明有利于器件沟长的进一步缩小，可有效提高器件的短沟道效应控制能力，减小了静态功耗。此外本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN106328806B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610751139.9
申请日：2016-08-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于磁阻效应的电子器件开关，该开关包括有源层、隔离层和控制线；其中，有源层包括源电极、漏电极以及连接二者的导电沟道；隔离层覆盖有源层；在隔离层上形成与导电沟道方向一致的控制线。当控制线中无电流流过时，不激发磁场，有源层中的电流从源电极流经导电沟道，从漏电极流出，导电沟道中的电子不受洛伦兹力影响，无磁阻现象，开关处于开态；当控制线中有电流流过时，激发出环形磁场，此时导电沟道中的电子受到洛伦兹力的影响，发生偏转而与沟道表面间的散射加剧，致使载流子沿沟道方向的速度损失，出现磁阻现象，有源层中的电流被关断，开关处于关态。与现有技术相比，本发明具有良好的抗辐射性、开关效率高。
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公开(公告)号：CN106531681A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510578208.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/762 , H01L21/76202 , H01L21/76224
Abstract: 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP-CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
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公开(公告)号：CN106404840A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610720469.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种实现纳米线生物传感器表面修饰的方法，该方法对纳米线生物传感器待修饰表面进行氨气或氮氢混合气体的等离子体处理，纳米线生物传感器待修饰表面被修饰上氨基；将混合有交联剂和待修饰生物分子的溶液滴定至纳米线生物传感器待修饰表面，生物分子在交联剂的作用下与待修饰表面的氨基形成共价键，完成对纳米线生物传感器表面的生物修饰。本发明提出的等离子体处理方法能够在纳米线待修饰表面形成更均匀、更高密度的氨基基团，使得后续待修饰分子的修饰密度也大大提高；大大提高生物传感的灵敏度和信号强度。
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