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公开(公告)号：CN105428448A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/065 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN113193037A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN110429025A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910733300.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用金属基底制备的氮化物外延结构及其制备方法。本发明通过在退火处理的金属基底上表面氮化形成金属氮化物薄层和沉积低温金属氮化物薄层，抑制金属基底和氮化物外延功能层间界面反应和金属原子扩散，并通过高温外延法和富氮插入层方法提高氮化物外延功能层晶体质量，得到高晶体质量、高散热能力的氮化物外延功能层；采用单晶Ni或Ti为金属基底，与氮化物外延技术兼容，并能够通过高温热处理方法提高金属基底晶体质量，有利于制备高质量氮化物外延功能层；高温外延和富氮插入层技术提高了氮化物外延功能层晶体质量，降低了缺陷密度并改善结构性能；本发明无需复杂的光刻技术，设备简单，易操作，适合产业化应用。
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公开(公告)号：CN110211869A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910449858.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二维氮化硼插入层弛豫氮化物外延结构中应力的方法。本发明通过在氮化物外延结构与异质衬底间引入二维氮化硼BN插入层的方法，利用二维氮化硼BN插入层中原子层间弱分子键连接、易于释放应力等特点，实现氮化物外延结构中应力的可控调制，得到高晶体质量、高性能的氮化物外延结构；制备出的氮化物外延结构易于成核成长、缺陷密度低、晶体质量高；有效弛豫氮化物外延结构生长过程中的应力积聚和降温过程中的热应力积聚，避免氮化物外延结构生长及降温过程开裂，提高成品率；通过对二维氮化硼BN插入层结晶度、厚度和表面形貌的选择，在保证氮化物外延结构晶体质量的基础上实现对氮化物外延结构中应力的调制，重复性好。
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公开(公告)号：CN104485284B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410820866.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期、数量、长度和直径，满足不同的FET需求；富VI族或富V族原子的生长条件达到表面抑制的效果，降低了金属原子在表面的各向同性迁移，有利于纳米线的生长；可控阵列纳米线FET的制备可采用传统的半导体器件制备工艺，工艺简单，可调控性强，成本低廉，能实现批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105846310A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01S5/04 , H01S5/028 , H01S5/34 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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公开(公告)号：CN104485284A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410820866.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/02 , H01L29/0673 , H01L29/66446 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期、数量、长度和直径，满足不同的FET需求；富VI族或富V族原子的生长条件达到表面抑制的效果，降低了金属原子在表面的各向同性迁移，有利于纳米线的生长；可控阵列纳米线FET的制备可采用传统的半导体器件制备工艺，工艺简单，可调控性强，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN104409556A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410738690.0
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/111 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/111 , H01L31/18 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103762262A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010267.9
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种氮化物宽势垒多量子阱红外探测器及其制备方法。本发明宽势垒多量子阱红外探测器，多量子阱中的每个量子阱为宽势垒，以阻挡暗电流通过；并且多量子阱的总宽度能够让光电流通过；多量子阱的势垒或者势阱中为重掺杂。本发明通过增厚势垒宽度，有效地降低了探测器的暗电流并实现了光电流的探测，增大了光谱探测范围；采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；利用插入层调节有源区的应力分布，消除样品开裂现象，尽可能地降低应力组态对光电探测的影响；采用宽势垒，子带的数量增多，增加了光电流的通路。本发明的探测器在2.5K～80K的温度范围内均可测到光电流信号，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110429025B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910733300.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用金属基底制备的氮化物外延结构及其制备方法。本发明通过在退火处理的金属基底上表面氮化形成金属氮化物薄层和沉积低温金属氮化物薄层，抑制金属基底和氮化物外延功能层间界面反应和金属原子扩散，并通过高温外延法和富氮插入层方法提高氮化物外延功能层晶体质量，得到高晶体质量、高散热能力的氮化物外延功能层；采用单晶Ni或Ti为金属基底，与氮化物外延技术兼容，并能够通过高温热处理方法提高金属基底晶体质量，有利于制备高质量氮化物外延功能层；高温外延和富氮插入层技术提高了氮化物外延功能层晶体质量，降低了缺陷密度并改善结构性能；本发明无需复杂的光刻技术，设备简单，易操作，适合产业化应用。
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