公开(公告)号：CN1328348A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN01123428.8

申请日：2001-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张太平 ,  宁宝俊 ,  田大宇 ,  张洁天 ,  张录 ,  倪学文 ,  王玮 ,  李静 ,  马连荣 ,  王兆江 ,  袁坚 ,  郭昭乔

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。

公开(公告)号：CN106477517B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN104729919B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN102963859B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210451765.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。

公开(公告)号：CN104729919A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN103011056A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210501839.4

申请日：2012-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  黄贤 ,  赵丹淇 ,  林琛 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件；本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102967510A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210397912.8

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01N3/26

Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。

公开(公告)号：CN102963861A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。

公开(公告)号：CN102163606B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110029132.3

申请日：2011-01-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  罗葵 ,  王玮 ,  田大宇 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01J37/32 ,  G01R29/24

Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。

公开(公告)号：CN102515089A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110433579.7

申请日：2011-12-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。