公开(公告)号：CN102881822A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110195121.2

申请日：2011-07-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  张丽杰 ,  杨庚雨 ,  谭胜虎 ,  潘越 ,  唐粕人

IPC: H01L45/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L45/149 ,  H01L45/1675 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明公开了一种透明柔性阻变存储器及其制备方法，包括一透明的柔性衬底和衬底上的MIM电容结构的器件单元，所述器件单元的底层和顶层为透明柔性电极，中间功能层为聚对二甲苯透明薄膜。聚对二甲苯材料具有良好的阻变特性，器件中衬底、电极和中间功能层均采用透明柔性材料制备，得到全透明的柔性阻变存储器，可应用于透明柔性电子系统中。

公开(公告)号：CN102157557B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110029706.7

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  邹积彬 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。