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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN101136408A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710121804.7
申请日：2007-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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公开(公告)号：CN1689961A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410009050.2
申请日：2004-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种解理纳米线的方法，包括：将欲解理的纳米线放于清洁的基底上，再将基底连同纳米线放入装有纳米探针操纵系统的扫描电子显微镜的样品室中；纳米探针操纵系统上装有解理纳米线用的针尖；对扫描电子显微镜样品室抽真空，真空达到扫描电子显微镜使用要求后，开启电子束及电子束加速电压，在用扫描电镜观察的同时移动样品找到要解理的纳米线，然后移动纳米探针的针尖到要解理的纳米线边上；调整好针尖和纳米线的相互位置后使纳米探针向着纳米线前进一大步，从而给纳米线施加一个冲击力，把纳米线解理。解理的纳米线连上光源或激发电源构成纳米激光器。本发明解理纳米线的方法简便，可控制解理部位，从而控制纳米激光器的谐振腔的长度。
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公开(公告)号：CN1606117A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410009818.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提高碳纳米管的阴极发射效率，具体体现为开启电压的降低，场增强因子的增大。上述片状结构不仅可出现在顶端，甚至也可以出现在侧面，由碳管外层管壁劈裂而成，这样使碳管的侧面也成为场发射的有效区域，进一步提高了碳纳米管的阴极发射效率。
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公开(公告)号：CN119813961A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411855366.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明涉及一种倍频器电路，涉及半导体集成领域，倍频器电路包括碳纳米管肖特基二极管对、射频输入匹配网络、射频输出匹配网络、第一开路枝节、第一短路枝节、第二开路枝节和第二短路枝节；射频输入匹配网络的输出端分别与第一开路枝节的输入端和第一短路枝节的输入端连接，第一开路枝节的输出端悬空，第一短路枝节的输出端接地，碳纳米管肖特基二极管对的输入端与射频输入匹配网络的输出端连接，碳纳米管肖特基二极管对的输出端与射频输出匹配网络的输入端连接，射频输出匹配网络的输入端分别与第二开路枝节和第二短路枝节的输入端连接，第二开路枝节的输出端悬空，第二短路枝节的输出端接地。该倍频器电路可以增强输出信号的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314287B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211489324.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了二维半导体晶体管的轻掺杂漏(LDD)的制备方法及二维半导体晶体管，该方法包括：提供基底；形成半导体材料层；形成栅结构；进行第一次表面改性处理；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到第一二维半金属材料层；形成栅结构的侧墙；进行第二次表面改性处理；形成第二固态活性源金属层和第二常规金属层；进行第二次退火处理，得到金属原子浓度大于第一二维半金属材料层的第二二维半金属材料层，光刻自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括第二固态活性源金属层、第二常规金属层、第二二维半金属材料层和第一二维半金属材料层。该方法能够实现二维半导体轻掺杂漏结构的自对准工艺，兼容半导体加工工艺。
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公开(公告)号：CN113782674B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010515970.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种碳纳米管射频器件，包括：沟道层，沟道层由碳纳米管形成；以及衬底层，沟道层设置在衬底层上，其中，衬底层的与沟道层接触的表面形成有极性基团，碳纳米管至少通过衬底层的表面的极性基团设置在衬底层上。本公开还提供了一种碳纳米管射频器件的制造方法以及一种集成电路系统。
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公开(公告)号：CN116865679A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210303276.1
申请日：2022-03-25
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管肖特基二极管的单平衡混频器电路，包括如下结构：碳纳米管肖特基二极管一端与180°混合结结构相连，一端与扇形开路线结构相连；射频输入阻抗匹配网络位于射频输入端口与180°混合结之间；本振输入阻抗匹配网络位于本振输入端口与180°混合结之间；扇形开路线结构位于碳纳米管肖特基二极管器件与1/4波长高阻抗微带线之间；1/4波长高阻抗微带线位于扇形开路线结构与空气桥之间；空气桥横跨在射频输入阻抗匹配网络之上；薄膜电阻和平板电容连接在中频输出线路上。本发明提供的混频器电路在高频频段可以实现更低的变频损耗，并且大幅降低了肖特基二极管器件的寄生电容以及无源器件的衬底损耗。
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公开(公告)号：CN116864522A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210308140.X
申请日：2022-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法。具有一衬底，在上述衬底上具有半导体层、自偏栅介质层以及其上的一主栅结构；自偏栅介质层在左右方向分别水平延伸出主栅结构一个水平延伸部，在水平延伸部具有一高功函数金属层和一低功函数金属层分别构成隧穿晶体管的源极和漏极。本发明将自偏栅与源漏电极直接电学连接起来，自偏栅与源漏电极保持等电势，从而在自偏栅区域引入了静电自掺杂效应。
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公开(公告)号：CN116828867A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210273936.6
申请日：2022-03-19
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧；第二介质层；源电极和源电极，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧并贯穿第二介质层、阈值调控层与半导体有源层接触；第三介质层，设置在第二介质层远离阈值调控层的表面，源电极与漏电极嵌设在第三介质层之内，以阈值调控层、第二介质层和第三介质层间隔开来。根据本发明的背栅场效应晶体管能够降低源漏电极边缘与碳纳米管沟道交界处的电场强度，从而抑制漏电极的反向隧穿电流。
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