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公开(公告)号：CN105466970A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510921283.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104513392A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310461321.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含羟基和烯丙基芳香族聚酰胺树脂及其制备方法与应用。该树脂的重复结构单元如式I所示。本发明将羟基和烯丙基同时引入到芳香族聚酰胺的分子链上，通过烯丙基的双键与其它材料反应形成共价键，通过引入酚羟基来提高芳香族聚酰胺的极性来增强分子链间作用力，同时通过控制两种基团在聚合物中的含量，达到调控芳香族聚酰胺纤维与其它材料的复合能力。本发明提供的式I所示聚合物，热稳定好，羟基和烯丙基易于与环氧树脂、橡胶等相互作用，增加界面粘接性能，有可能作为增强纤维或上浆剂，发展出材料界面复合良好的芳香酰胺增强复合材料。
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公开(公告)号：CN104513391A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310461290.5
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含烯丙氧基芳香族聚酰胺树脂及其制备方法与应用。该含烯丙氧基芳香族聚酰胺树脂，其重复结构单元如式I所示。本发明选用二烯丙氧基二酰卤单体为基本单体，通过与二元芳香伯胺、二元芳香酰卤按比例进行共缩聚，得到不同烯丙氧基含量的一系列新型芳香族聚酰胺树脂。所制备的聚合物的热稳定比较好，同时可以通过烯丙氧基与其它材料进行交联，进而发展出材料界面复合良好的芳香酰胺增强复合材料。
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公开(公告)号：CN103349786B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310218441.4
申请日：2013-06-04
Applicant: 北京大学第一医院
Abstract: 本发明公开了一种用于治疗皮肤瘙痒药物的筛选方法，首先筛选对TRPV3通道蛋白功能具有调控作用的目标致痒物质；然后分别检测多种不同化合物对于目标致痒物质对TRPV3通道蛋白功能调控作用所产生的影响，从而从所述多种不同化合物中筛选用于治疗皮肤瘙痒的药物。本发明方法是基于以下发现和研究提出的：首先发现致痒物质在野生型小鼠和TRPV3通道蛋白敲除小鼠的瘙痒模型上所产生的瘙痒反应有着显著的差异，进一步通过荧光和电生理学研究发现致痒物质激活其受体GPCR后，通过释放激活G蛋白βγ二聚体直接作用于TRPV3，从而调控TRPV3通道蛋白功能。本发明为针对GPCR与TRPV3通道蛋白偶联作用机制而开发和筛选用于皮肤瘙痒或皮肤相关疾病的药物提供了靶点，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117284635A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311025112.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯薄膜包覆式气体分子储存及可控释放装置，属于微纳元件应用领域。本装置包括压盖、石墨烯薄膜和柔性基底；柔性基底上开设若干凹槽；石墨烯薄膜铺设在柔性基底表面，并通过预拉伸柔性基底的生产方法得到弯曲态的石墨烯薄膜，在无外力作用下薄膜由于机械变形而保持为封闭的管状储存囊形态；两端使用压盖封闭，以防气体分子外逸。本发明以石墨烯薄膜的机械弯曲变形实现储存空间的开放和闭合，能够快速完成气体的收集，并通过控制储存空间的开口大小控制内部气体分子的释放速率；相较于现有的吸附式储气方法具有更高的储存速度，以及简易可控的气体释放功能；装置适用的气体范围广，可多次重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109632855B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110871141A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811018745.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构纳米复合物。该复合物由两亲性聚合物与疏水性修饰的磁性纳米粒子通过共组装形成，其核芯为疏水性修饰的磁性纳米材料，壳层为两亲性聚合物，其中，两亲性聚合物中的亲水链段位于所述壳层的最外层。利用上述复合物可通过单次结晶同时获得两种光学纯对映体。其关键是利用所述复合物，在外消旋底物的过饱和溶液中，其在抑制某一构型分子结晶的同时，还对相同构型分子有富集作用，在单元操作中生成一种无磁性晶体和一种有磁性晶体(其互为对映异构体)。利用该方法，一次结晶就能获得ee％值均高于90％的两种对映体，产率可达40％。该方法使得外消旋化合物的分级结晶拆分过程变得更为简便和高效，具有工业应用价值。
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公开(公告)号：CN109103070A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810801132.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层和高温AlN横向生长层中具有周期性排布的空气隙，所述空气隙在Si衬底中的深度为10nm～1μm，其横截面最大宽度为50nm～1μm，周期为100nm～2μm。与现有生长厚膜AlN的方法相比，本发明成本低廉，可被大规模产业化应用，大幅降低硅衬底上AlN的缺陷密度，提高后续器件结构材料的晶体质量，在垂直结构的UV-LED器件、微机电系统、发光二极管、射频滤波器以及声表面波器件制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108172501A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711400432.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公布了一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法，在异质衬底上依次生长氮化铝成核层、铝镓氮层、氮化镓位错过滤层和氮化镓外延层，通过采用独特的氮化镓位错过滤层，有效克服了现有异质衬底上GaN厚膜材料外延技术上的复杂性，使外延工艺简单且快捷有效，稳定性高，同时能大幅降低缺陷密度，获得GaN连续厚膜，提高异质结构晶体质量，十分适合于低成本的垂直GaN电子器件的研制。
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