公开(公告)号：CN103515467A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210219111.2

申请日：2012-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  朱智源 ,  王陪权 ,  董显山 ,  刘晨晨 ,  胡安琪 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L25/043 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的金属键合层；所述薄型PIN探测器是在键合基片上形成的；所述薄型PIN探测器键合基片由器件层硅片、支撑层硅片以及两层硅片之间的二氧化硅层组成，支撑层硅片上通过TMAH腐蚀开窗口形成空腔结构，所述空腔为八边形结构，呈倒扣桶状，且空腔侧壁与底面的夹角为54.74°。本发明还公开了所述基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。

公开(公告)号：CN105466970A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510921283.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  胡安琪 ,  郭磊 ,  程建朋 ,  张洁

IPC: G01N27/00 ,  G01R31/26 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN105466970B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510921283.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  胡安琪 ,  郭磊 ,  程建朋 ,  张洁

IPC: G01N27/00 ,  G01R31/26 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。