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公开(公告)号：CN103186897A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110452380.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种获取图像差异度量结果的方法及装置。其中，该方法包括：通过比较第一图像与第二图像中相同位置上的像素点的颜色相似度以及结构相似度，来获取每一个相同位置上的像素点的颜色和结构差异度量值；根据颜色和结构差异度量值计算得到每一个像素点的偏移量，并根据每一个像素点的偏移量来计算任意一个像素点的偏移一致性差异度量值；根据颜色和结构差异度量值和偏移一致性差异度量值，来得到两个图像的差异度量结果。通过本发明，能够实现提高图像差异检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN101719497B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910238271.X
申请日：2009-11-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，所述沟槽填充材料中嵌入一牺牲材料层，所述牺牲材料是掺杂了第三主族元素的硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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公开(公告)号：CN102194827A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128019.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述的埋氧化层与有源区硅层之间有隔离层，所述隔离层采用高介电常数材料制成。该新型结构的SOI器件基于主流的SOI制造技术，与传统工艺完全兼容；在保持原有SOI器件优良特性的同时，提高了其抗辐照能力；该结构对于减小总剂量辐照引起的SOI集成电路功耗增加及增强芯片可靠性方面有着明显的优势和广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN101859783A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164471.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的SOI器件通过在硅片上依次形成第一SiO2层，牺牲层，第二SiO2层，和硅膜衬底层而制造。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN101752376A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910242576.8
申请日：2009-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明旨在提供一种可以减少NMOS器件总剂量辐照后关态泄漏电流的新型抗总剂量辐照的集成电路。所述集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一低介电常数的界面材料，其介电常数优选小于3.9。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719497A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910238271.X
申请日：2009-11-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，所述沟槽填充材料中嵌入一牺牲材料层，所述牺牲材料是掺杂了第三主族元素的硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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公开(公告)号：CN101667576A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910093411.9
申请日：2009-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L23/552 , H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L21/316
Abstract: 本发明公开了一种新型抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一水汽氧化制备的二氧化硅材料。所述水汽氧化制备的二氧化硅通过下列方法制备：向含硅界面通入高纯水和氧气的混合气体以氧化所述界面中的硅得到二氧化硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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公开(公告)号：CN119926408A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510433918.3
申请日：2025-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: B01J23/78 , B01J35/40 , B01J35/70 , C02F1/72 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种用钴单原子掺杂钛酸锶复合材料的制备方法和应用，属于水处理领域。本发明所述的钴掺杂钛酸锶复合催化材料，由钴金属掺杂钛酸锶材料复合而成。其制备工艺使用钛酸四丁酯和硝酸盐作为反应物，乙二醇和水为溶剂，通过水热法制备钛酸锶（SrTiO3：STO）。然后，使用静电吸附的方法，将钴单原子通过氯化钴（钴源）掺入钛酸锶，形成钴掺杂钛酸锶（Co‑STO）。这种材料能够高效激活氧化剂过氧乙酸，快速降解多种抗生素类污染物，尤其在降解喹诺酮类、四环素类和大环内酯类抗生素方面表现出色。该催化材料具有低成本、可再生和环保等优点，非常适合应用于制药废水的深度处理流程。
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公开(公告)号：CN115608322B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202211413780.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: B01J20/20 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/30 , C02F101/20
Abstract: 本发明公开了一种用于协同去除水中新兴有机污染物与重金属的可再生吸附剂的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明中的复合材料为一系列金属有机骨架材料衍生的多孔道碳材料和纳米钛酸盐材料的均相复合物，经水热法合成，并可在此基础上掺杂其他金属。复合材料应用于水中重金属和新有机物的协同去除，吸附动力学过程快、吸附量大、协同吸附加成效果显著。吸附重金属饱和后可通过酸碱再生重复使用；吸附新有机污染物饱和后，可通过光再生后重复使用。本发明采用的原材料价格低廉，方法简便易行，应用过程清洁无污染，适用于大规模的饮用水、生活污水、工业废水、垃圾渗滤液处理以及地下水修复和自然水体污染应急处理。
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公开(公告)号：CN103186897B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201110452380.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种获取图像差异度量结果的方法及装置。其中，该方法包括：通过比较第一图像与第二图像中相同位置上的像素点的颜色相似度以及结构相似度，来获取每一个相同位置上的像素点的颜色和结构差异度量值；根据颜色和结构差异度量值计算得到每一个像素点的偏移量，并根据每一个像素点的偏移量来计算任意一个像素点的偏移一致性差异度量值；根据颜色和结构差异度量值和偏移一致性差异度量值，来得到两个图像的差异度量结果。通过本发明，能够实现提高图像差异检测结果的准确性。
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