公开(公告)号：CN101865871A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910168581.9

申请日：2009-08-21

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明涉及一种测量有机薄膜电荷载流子迁移率的方法。本发明的特征是先制备一系列厚度不同的结构为“电极-有机薄膜-电极”的单载流子传输器件样品，这些样品通常呈肖特基接触；然后测量每个样品的电流电压曲线-IV曲线；最后根据肖特基接触单载流子器件的电流传导数值模型，以有机薄膜的迁移率、总陷阱密度和陷阱分布的特征深度为调节参数拟合所测量的所有器件样品的IV曲线，从而确定有机薄膜的迁移率、总陷阱密度和陷阱分布的特征深度。

公开(公告)号：CN1949556A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200510113905.0

申请日：2005-10-10

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全

IPC: H01L51/30

Abstract: 本发明是一种二端有机薄膜电流开关器件，具有单层三明治式结构。在衬底上面制备一层铝薄膜电极(其它导电薄膜)，再在上面镀上一层有机薄膜作为器件的夹层，然后在有机薄膜上再制备一层导电薄膜(铝膜)。这种器件结构简单，制备方便。该器件具有独特的开关特性，可应用于电路的过载保护。

公开(公告)号：CN106898695B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201510970565.7

申请日：2015-12-21

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  梁圆龙 ,  吕文理 ,  赵飞宇 ,  王颖

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种有机混合薄膜宽光谱有机‑无机光敏二极管的设计与制备方法。其特征在于它由背面(非抛光面)制备有金属背电极薄膜的掺杂硅(兼做衬底)、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜组成，从上至下，其顺序依次是背电极薄膜、掺杂硅、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜。有机混合薄膜由两种以上光吸收光谱范围互补的有机光敏材料组成。

公开(公告)号：CN104576927A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310503428.3

申请日：2013-10-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  周茂清 ,  姚博 ,  郑挺才

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/428 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4286

Abstract: 本发明公开了一种同型平面异质结有机光敏场效应管的设计与制备方法。同型平面异质结有机光敏场效应管包括衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层，有机光敏层，漏极和源极。有机光敏层实现产生光生载流子的功能，只要求其具有高的光敏性或光生载流子产生效率，而不要求其具有高的迁移率。有机载流子输运层实现光生载流子的输运功能，只要求其具有高的迁移率，而不要求其具有高的光敏性。这种结构极大地扩大了有机材料的选择范围。一方面提高了光生载流子的产生效率，另一方面提高了有机载流子迁移率。因此本发明能有效提高光敏有机场效应管的性能。

公开(公告)号：CN101833886A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010004746.1

申请日：2010-01-15

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全

IPC: G09B23/18

Abstract: 一种能够验证并显示傅里叶变换的实验仪。它由傅里叶分解和傅里叶合成两部分构成。傅里叶分解部分由二阶带通滤波电路和一个集成运算放大电路顺序连接构成，实现对周期性信号中各种频率成份的选频滤波。傅里叶合成部分由一个多通道倍频正弦信号发生电路和一个加法电路组成，可进行傅里叶合成的验证实验。

公开(公告)号：CN204029872U

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201320658398.9

申请日：2013-10-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  郑挺才 ,  刘金凤 ,  李尧 ,  周茂清

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开了一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺杂硅、酞菁铜光敏层、金薄膜(顶电极)和铝薄膜(底电极)组成。其制备方法是，先用标准工艺清洗掺杂硅片；然后用真空热蒸发方法在硅片非抛光面制备一层铝薄膜(底电极)作为阳极；再用真空热蒸发方法在硅片抛光面制备一层酞菁铜光敏层；然后用真空热蒸发方法在酞菁铜光敏层上通过金属掩膜板制备插指状金薄膜(顶电极)作为阴极；最后将制作的器件封装。

公开(公告)号：CN203434207U

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201320060399.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  罗消

IPC: H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构。

公开(公告)号：CN202736984U

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201220186887.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  谢吉鹏 ,  杨汀 ,  姚博 ,  陈德强

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于，它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属(例如铝、镁，等)作为漏极和源极，以形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属(例如铂、金，等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此本实用新型的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。

公开(公告)号：CN209447848U

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201820973656.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  廖光萌

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本实用新型公开了一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管。利用无机半导体的高迁移率，多组分有机体异质结的高光吸收效率，以及无机与有机吸收光谱的互补，本实用新型具有光响应度更高，光谱响应范围更宽的优点。从下至上，基于本实用新型的宽光谱光敏二极管由砷化铟晶片、多组分有机体异质结层、空穴阻挡层、三氧化二锑(Sb2O3)/银(Ag)/三氧化二锑薄膜和钛/金薄膜组成。其中透明导电三层薄膜，三氧化二锑/银/三氧化二锑，采用电子束真空热蒸发方法制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205752260U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620093962.0

申请日：2016-01-30

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  钟隽康 ,  许自强

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本实用新型公开了一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件。