公开(公告)号：CN103378292A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210128935.9

申请日：2012-04-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  谢吉鹏 ,  杨汀 ,  姚博 ,  陈德强

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构及其制备方法。其制备方法是，对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成电子肖特基接触。源极和漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏极与源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此采用本发明制备的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。

公开(公告)号：CN202736984U

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201220186887.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  谢吉鹏 ,  杨汀 ,  姚博 ,  陈德强

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于，它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属(例如铝、镁，等)作为漏极和源极，以形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属(例如铂、金，等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此本实用新型的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。