公开(公告)号：CN103378292A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210128935.9

申请日：2012-04-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  谢吉鹏 ,  杨汀 ,  姚博 ,  陈德强

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构及其制备方法。其制备方法是，对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属作为漏极和源极，以使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成电子肖特基接触。源极和漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏极与源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此采用本发明制备的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。

公开(公告)号：CN103378291A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210124471.4

申请日：2012-04-24

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  姚博 ,  谢吉鹏 ,  吕文理 ,  杨汀 ,  高鹏杰

IPC: H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种双极型有机光敏场效应管的设计与制备方法。在常规结构有机光敏场效应管的源极-有机半导体沟道和漏极-有机半导体沟道之间加入一层载流子阻挡层，有效地提高了光电流，降低了暗电流。载流子阻挡层分为电子阻挡层和空穴阻挡层两种。对p-型有机光敏沟道，选用高功函数金属作为源极和漏极，低HOMO能级n-型材料，如C60等作为空穴阻挡层；而对n-型有机光敏沟道，选用低功函数金属作为漏极和源极，高LUMO能级p-型材料作为电子阻挡层，如酞菁铜等。依据上述技术思路发明的双极性有机光敏场效应管结构包括衬底、栅极、栅介质、有机光敏沟道，载流子阻挡层，漏极和源极。载流子阻挡层与有机光敏沟道形成的p-型/n-型异质结，一方面增大了无光照时漏极与源极之间的阻抗，从而降低了暗电流，另一方面有利于光生激子的离解，从而提高了光电转换效率。因此本发明光具有光电流/暗电流比高的优点。

公开(公告)号：CN202736984U

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201220186887.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  吕文理 ,  谢吉鹏 ,  杨汀 ,  姚博 ,  陈德强

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于，它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属(例如铝、镁，等)作为漏极和源极，以形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属(例如铂、金，等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此本实用新型的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。