公开(公告)号：CN204029872U

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201320658398.9

申请日：2013-10-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  郑挺才 ,  刘金凤 ,  李尧 ,  周茂清

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开了一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺杂硅、酞菁铜光敏层、金薄膜(顶电极)和铝薄膜(底电极)组成。其制备方法是，先用标准工艺清洗掺杂硅片；然后用真空热蒸发方法在硅片非抛光面制备一层铝薄膜(底电极)作为阳极；再用真空热蒸发方法在硅片抛光面制备一层酞菁铜光敏层；然后用真空热蒸发方法在酞菁铜光敏层上通过金属掩膜板制备插指状金薄膜(顶电极)作为阴极；最后将制作的器件封装。

公开(公告)号：CN203617347U

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201320656869.2

申请日：2013-10-23

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  汤瑜 ,  李尧

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/10

Abstract: 光敏有机场效应管中平面异质结通常由p-型(n-型)光敏层和n-型(p-型)有机沟道层组成。本实用新型公开了一种以酞菁钕为光敏层的平面异质结光敏有机场效应管的设计与制备方法。依据本实用新型的平面异质结光敏有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质、n-型有机沟道层、酞菁钕光敏层、源极和漏极。酞菁钕有机光敏层在可见光区域具有很高的光吸收系数，能够有效地吸收可见光，从而可以提高光生载流子产生效率。同时，n-型有机沟道层具有高的载流子迁移率，从而可以有效地提高光电流。因此本实用新型能有效地提高光敏场效应管的光响应度和光电流-暗电流比。