一种光伏光热综合利用装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115940800A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211444607.X

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本申请实施例公开了一种光伏光热综合利用装置,包括了调节架、多个反射件、驱动组件、连接架、太阳能光伏电池、电能利用组件和热能利用组件,在使用过程中,多个反射件朝向于阳光设置,通过驱动组件可以带动反射件转动,进而即可调节反射件对阳光的反射方向,阳光经过反射之后可以照射在太阳能光伏电池之上,太阳能光伏电池可以产生电能,电能可以通过电能利用组件进行利用;随着阳光在太阳能光伏电池上的照时,太阳能光伏电池会产生热能,通过热能利用组件可以对太阳能光伏电池产生的热能进行利用,基于此通过本申请实施例提供的光伏光热综合利用装置可以从电能和热能两个角度对太阳能进行回收利用,太阳能的利用率更高。

    基于难熔金属硼化物的高温光谱选择性吸收涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN106152576B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201610824620.6

    申请日:2016-09-14

    CPC classification number: F24S70/20 Y02E10/40

    Abstract: 本发明涉及功能薄膜技术领域,具体是指一种可实现太阳能光热能量转换的高温光谱选择性吸收涂层。一种基于难熔金属硼化物的高温光谱选择性吸收涂层,其主要特点在于:在基板上设有红外反射层,在红外反射层上顺序设有光谱主吸收层、光谱辅吸收层和减反射层,其中光谱主吸收层和光谱辅吸收层中均包含难熔金属硼化物作为吸收光谱能量的主要成分。本发明涂层可采用磁控溅射等真空镀膜技术沉积在不锈钢等基体上,能够稳定工作在500~620℃真空或大气环境中,可应用于太阳能聚光集热高温发电等领域。本发明的涂层具有吸收率高、热发射比低、高温稳定性和耐久性优越等特性,适合于工业化生产与应用。

    一种线性菲涅尔式聚光镜场的阴影与遮挡分析优化布设方法

    公开(公告)号:CN107388599A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710653340.8

    申请日:2017-08-02

    Abstract: 本发明涉及光伏发电技术领域,特别是一种线性菲涅尔式聚光镜场的阴影与遮挡分析优化布设方法。包括如下步骤:A镜场坐标系确定、B遮挡阴影坐标系确定、C遮挡阴影分析计算、D偏移影响分析计算、E阴影与遮挡效率。该方法更加贴近实际使用环境,可以准确计算线性菲涅尔式聚光镜场的阴影与遮挡效率,为分析线性菲涅尔式聚光系统的效率提供了可靠依据。进而修正线性菲涅尔式聚光镜场反射镜的分布方向和角度,进一步提升镜场转换效率。

    多晶硅薄膜组件的制备方法

    公开(公告)号:CN101404304B

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200810210052.6

    申请日:2007-10-09

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜组件的制备方法,其主要特点包括有如下步骤:A.基底清洗;B.多晶硅薄膜制备,将高纯硅作为靶材,当真空室体内压强抽到2×10-4Pa后,向真空室体充入氩气,真空室体内压强达到0.5~5Pa时,在基底的工件车和真空室体间加200~1000V的偏压,占空比为45~80%;磁场强度300~500Gs,开始磁控溅射镀膜,在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜;基片温度为25~30℃,镀膜时,真空室体温度为25~30℃。本发明的优点是,可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜,使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成,大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单,可批量生产。

    单晶硅薄膜组件的制备方法

    公开(公告)号:CN101582470A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200910145260.7

    申请日:2007-10-09

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜组件的制备方法。一种单晶硅薄膜组件的制备方法,其主要特点包括有如下步骤:(1)基底抛光;(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗,速度为1-5s/cm2,并采用惰性气体防止氧化;(3)单晶硅薄膜制备,将经抛光清洗后的基底放入真空室体,采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜,靶材为99.99%的高纯硅块体,溅射时功率密度为1-10W/cm2,靶和基底的距离为50-300mm,镀膜时,真空室体的温度为100-160℃,在工件和真空室体间加占空比为40-80%的200-1000V的直流偏压,磁场强度300~500Gs;沉积厚度为0.5-5μm。(4)导电透明电极制备。本发明的优点是在低温下进行,不需二次退火热处理,工艺过程简单,便于硅膜工业化生产。

    镁及其合金表面真空镀层的制备方法

    公开(公告)号:CN101086057A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200710017500.6

    申请日:2007-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种镁及其合金表面强化的制备方法,特别涉及镁合金表面真空镀层的制备方法。一种镁及其合金表面真空镀层的制备方法,其主要特点是包括有如下步骤(1)预处理:在非水溶液环境下,直接利用机械打磨进行除锈、除油处理,镁及其合金的基体温度为180℃以下;(2)采用惰性气体冲洗,其压力为5-10MPa;速度为5-10s/cm2;采用惰性气体可防止氧化,并能将材料表面的浮尘去除。(3)在惰性气体冲洗完后,在1-10min之内送入真空镀膜设备内进行镀膜。本发明的优点是镁合金表面真空镀膜处理预处理工艺,能保证镁合金在真空镀膜时镁及合金与镀层结合力的同时不会对工件产生过腐蚀。经过该工艺处理后,能大大提高镁合金在PVD处理时与金属膜层的结合力,同时克服了常规化学工艺带来的过腐蚀现象和由于镁合金表面结构缺陷导致水残留致使的“发泡”现象。保证了膜层的质量。

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