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公开(公告)号：CN114942568B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202210135076.X
申请日：2022-02-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , C07D319/24 , C07D493/10
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物。本发明的课题，目的是提供一种化合物，具有二氧芑(dioxin)结构，即使在钝性气体中的成膜条件中也能硬化，能形成耐热性、形成于基板上的图案的填埋或平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜、及含有该化合物的有机膜形成用材料。本发明的解决手段，是一种有机膜形成用材料，其特征在于含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1]#imgabs0#式中，W1是4或6价的有机基团，n1表示1或2的整数，n2表示2或3，R1是各自独立地表示下式(1B)的任一者；此外，式中的苯环的氢原子也可被氟原子取代。[化2]#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118642329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410280006.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其特征为具备：涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，加热步骤，将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积％的环境中，以450℃以上且800℃以下的温度进行加热；其是使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)、及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#[化3]#imgabs2#
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公开(公告)号：CN118307584A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410005941.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有相对于以往的抗蚀剂下层膜材料优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用化合物，是使用于含金属的膜形成用组成物，其特征在于：前述化合物以下列通式(M)表示。[化1]Tn‑Sn‑Qm(M)。
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公开(公告)号：CN118307578A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410010810.9
申请日：2024-01-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为:前述化合物是含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、以及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(W‑1)表示的交联基团。[化1]#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116478617A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058295.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。
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公开(公告)号：CN116110781A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393733.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/311 , C09D161/06 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
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公开(公告)号：CN111995751B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN114690555A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111600298.6
申请日：2021-12-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、以及图案形成方法及聚合物。本发明的课题是为了提供不损及树脂本身的碳含量且可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成材料，以及提供使用了该有机膜形成材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜形成材料的聚合物。该课题的解决手段为一种有机膜形成材料，其特征为含有：(A)具有下述通式(1)表示的重复单元的聚合物，及(B)有机溶剂；该通式(1)中，AR1、AR2、AR3及AR4为苯环或萘环，W1为具有至少1个以上的芳香环的碳数6～70的4价有机基团，W2为碳数1～50的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN114380849A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111162164.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D519/00 , G03F7/004 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明的课题提供不仅在空气中会硬化，在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，可形成耐热性、于基板所形成的图案的填埋、平坦化特性优异，而且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜的酰亚胺化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有：(A)下列通式(1A)表示的有机膜形成用化合物；及(B)有机溶剂。[化1]式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示下列通式(1B)中的任1者以上。[化2]
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