有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物

    公开(公告)号:CN111948903A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010413700.9

    申请日:2020-05-15

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物,其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物,会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性,并提供使用其的图案形成方法及适合其的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)或(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中,Ar1、Ar2表示也可以有取代基的苯环或萘环,X为单键或亚甲基,L为下列中的任一者;上式中的破折线代表价键,R为氢原子或碳数1~20的1价有机基团。 上述通式(1B)中,W1为羟基、碳数1~10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团,Ar1、Ar2、X、L同前所述。

    有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物

    公开(公告)号:CN113281964B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202110190159.4

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料,含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1A)中,W1表示4价有机基团,W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团,R1表示氢原子或碳数1~10的1价有机基团,n1表示0或1的整数,n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。#imgabs1#R2及R3各自独立地为氢、碳数为1~30个的有机基团,有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。

    图案形成方法
    26.
    发明公开
    图案形成方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN117590684A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311025664.9

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明涉及图案形成方法,其在半导体装置制造步骤中的微细图案化处理中可以获得良好的图案形状,使用了与抗蚀剂上层膜具有高密合性并防止微细图案崩塌的密合膜。所述方法使用含有(A)高分子化合物、(B)热酸产生剂及(C)有机溶剂的密合膜形成用组成物并具有下列步骤:(I‑1)于被加工基板上涂布前述密合膜形成用组成物后,利用热处理以形成密合膜,(I‑2)在前述密合膜上使用抗蚀剂上层膜形成用组成物形成抗蚀剂上层膜,(I‑3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后,以显影液显影,而在前述抗蚀剂上层膜上形成电路图案,(I‑4)将前述已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜,以干蚀刻将图案转印在前述密合膜和前述被加工基板。

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