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公开(公告)号：CN1628977A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410100272.5
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1646 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种介电体薄膜元件、压电致动器、液体排出头及其制造方法。构成用于液体排出头的压电致动器中的结晶性介电体薄膜元件(10、20)的压电体薄膜(13、23)，在加热而引起的结晶化工序中产生晶格失配等产生的应力。为此，通过使具有吸收上述应力的双晶结构的中间层(12、22)夹在与基板(11、21)之间，抑制压电体薄膜(13、23)的膜剥离或压电特性的劣化。中间层(12)是具有由双晶结构的薄膜构成的中间第一层(12a)、和作为下电极的中间第二层(12b)的多层结构，由于基板(21)兼作下电极，所以中间层(22)是由双晶结构的薄膜构成的单层结构。
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公开(公告)号：CN1181977C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构，包括：一个振动板；一个压电膜；该振动板包括由单晶材料、多晶体材料，掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料，或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层，并且包括将前述层夹在中间的氧化层，该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN102153344B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010570706.3
申请日：2010-11-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/468 , C04B35/622 , B41J2/045
CPC classification number: H01L41/1871 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 压电陶瓷，包括钛酸钡和相对于钛酸钡为0.04质量％-0.20质量％的锰。该压电陶瓷由晶粒组成。该晶粒包括具有30μm-300μm的圆当量直径的晶粒A和具有0.5μm-3μm的圆当量直径的晶粒B。该晶粒A和该晶粒B各自形成聚集体并且该晶粒A的聚集体和该晶粒B的聚集体形成海岛结构。
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公开(公告)号：CN101490316B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780026986.8
申请日：2007-07-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16 , H01L41/09 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316
Abstract: 一种压电物质，其由ABO3制成的钙钛矿型结构的氧化物制成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特征在于是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体或单晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101641806B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009802.1
申请日：2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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公开(公告)号：CN101107724B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200680002605.8
申请日：2006-01-18
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电物质元件，其在基板上具有压电物质膜和一对与所述压电物质膜连接的电极，并且所述压电物质膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O3，Zr/(Zr+Ti)的组成比例大于0.4但小于0.7，所述压电物质膜是至少具有四方晶体a畴和c畴的膜，所述a畴和c畴相对于所述基板表面的角度在±10°的范围内，并且c畴体积与a畴和c畴的总体积之比等于或大于20％并且等于或小于60％。
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公开(公告)号：CN101728478A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910253126.9
申请日：2006-01-18
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开一种压电物质元件、液体排出头以及液体排出装置。所述压电物质元件具有压电物质膜和一对与所述压电物质膜连接的电极，其中所述压电物质膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O3，所述压电物质膜是具有四方晶体a畴和c畴的膜，并且在配置这些畴的[001]轴长度和[100]轴长度中，[001]轴长度/[100]轴长度之比等于或大于1.004并且等于或小于1.040。
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公开(公告)号：CN100402292C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9……(1)。
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公开(公告)号：CN1380187A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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